產品特性：

• 最先進的矽技術
• 采用5x6mm PQFN封裝
• 實現業界領先的RDS(on）
• 具有低熱阻
• 柵極電荷 (Qg) 僅52nC

應用範圍：

• 專為DC開關應用設計

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一係列新型HEXFET® 功率MOSFET
，其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。

這些新的功率MOSFET采用IR最先進的矽技術，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現業界領先的RDS(on)
，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2mΩ，顯著降低了手工工具等直流電機驅動應用的傳導損耗。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“憑借在基準MOSFET技術方麵的豐富經驗和不斷努力，IR推出了結合我們最新一代芯片與PQFN封裝技術的MOSFET係列，實現了業界領先的RDS(on) ，繼續開創卓越性能的先河。此外
，在未來幾個月
，我們將按照產品路線圖推出寬泛組合的PQFN基準MOSFET產品，以滿足客戶的需求。”

25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是專為DC開關應用設計的，例如需要高電流承載能力和高效率的有源ORing和直流電機驅動應用。IRFH5250TRPbF具有極低的RDS(on)，最高隻有1.15mΩ，且柵極電荷 (Qg) 僅為52nC。而 IRFH5300TRPbF的最高RDS(on) 隻有1.4mΩ
，Qg 達到了 50nC。

如果采用 IRFH6200TRPbF

、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件
，不僅能夠實現卓越的熱性能

，還可以根據給定的功率損耗要求，比現有解決方案使用更少的元件，節省電路板空間及成本。

所有這些新器件均具有低熱阻 (<0.5°C/W)，並達到一級濕敏 (MSL1) 工業合格水平
，也不含鉛、溴化物和鹵素，且符合電子產品有害物質管製規定 (RoHS) 。