產品特性：

• 符合DrMOS標準
• 具有支持高達27V電壓的高電壓容限
• 在20V電壓下，達到業界頂級的電源效率

應用範圍：

• 適用於筆記本電腦用CPU及存儲器等器件中穩壓器

瑞薩科技（以下簡稱瑞薩）宣布推出R2J20653ANP，一款適用於筆記本電腦用CPU及存儲器等器件中穩壓器（VR）的Integrated Driver-MOSFET。它符合Integrated Driver-MOSFET (DrMOS)標準，並具有支持高達27V電壓的高電壓容限，具有業界最高、達到91%的高電源效率（當輸入電壓為20V時，輸出電壓為1.1V）。該產品已於2009年12月7日起投入量產。

Integrated Driver-MOSFET (DrMOS)是英特爾公司提出的半導體器件標準封裝形式。*1在一個單獨的封裝中，集成了一個DrMOS
、兩種類型CPU電源所需的MOSFET等器件，以及驅動器IC。R2J20653ANP是符合此標準的高集成器件。例如，它可以用於將20V的輸入電壓轉換成1.1V的CPU電源電壓。下麵是R2J20653ANP的特性描述：

(1) 符合DrMOS 標準，具有高電壓容限
，滿足20V的筆記本適配器電壓需求

長期以來
，瑞薩一直在提供符合DrMOS標準的一係列產品，尤其是輸出電壓為12V的服務器和台式電腦。新的R2J20653ANP將可承載的輸入電壓擴展到適用於筆記本電腦的20V適配器電壓
，成為瑞薩高電壓容限電源類的首款產品。這款產品的推出有助於筆記本用CPU電源在實現更加小型化的同時，達到更高的性能，並且有望帶動DrMOS標準更加廣泛的應用。

(2) 在20V電壓下，達到業界頂級的電源效率

通過在一個小封裝中的集成實現了高效率，並采用了具有業界高水平性能的細微匹配功率MOSFET和高性能驅動器IC。例如
，在輸入電壓為20V、輸出電壓為1.1V（頻率為300MHz）時，電壓轉換效率可以達到業界最高水平的91%。這有助於電源達到更低的功耗和更大的電流性能。

(3) 適用於更多小型CPU電源的緊湊（6 mm × 6 mm）型高散熱封裝

R2J20653ANP集成了一個大小僅為6.0 × 6.0 × 0.95 (mm)的單獨的40引腳QFN封裝，以及CPU電源等所需的兩類功率MOSFET

，並具有一個用以驅動它們的驅動器IC。因此
，與采用三個封裝的傳統配置相比（與瑞薩以往產品相比較）
，節省了70%的安裝空間。另外，高散熱封裝適應於高速轉換
，因此也減少了外部有源部件的大小和數量
，如電感器和電容器。

這種封裝與瑞薩針對服務器的R2J20651ANP DrMOS兼容產品在引腳上相兼容
，後者可以支持12V的輸入電壓。這就減少了在現有係統上，采用R2J20653ANP所需的開發時間。

(4) 兩個階段過熱保護功能

為了保護筆記本電腦免受過熱、甚至是燃燒的損害，產品的過熱保護設計尤其重要。例如，可以在產品設計階段提供產品的過熱保護功能。R2J20653ANP是業界首款DrMOS兼容型產品，將兩個階段的過熱保護功能整合到驅動器IC中
，包括了過熱警告功能和過熱關斷功能。這就使器件更安全並高度可靠。

< 產品背景 >

隨著筆記本電腦等數碼產品變得越來越小巧

、輕便，它們的內部元件——CPU和存儲器等，也正在不斷的達到更高的性能水平。同時，對於為半導體元器供電的電源，還有著降低功耗

、提高性能和縮減尺寸的要求。

為了應對這些在電源半導體元件（電源的關鍵元件）領域的要求，瑞薩積極的為市場引入分立式、高性能功率MOSFET和DrMOS兼容產品。而瑞薩作為業界最先提供DrMOS兼容產品的廠商之一
，其產品支持服務器和台式電腦所采用的12V輸入電壓，目前還廣泛的應用於各種產品中。在筆記本電腦領域

，對於更小型
、更高效電源的需求日益增加。R2J20653ANP這款DrMOS兼容型集成驅動器MOSFET具有支持筆記本電腦適配器所采用的20V電壓的高電壓容限
，也正是基於這種理念開發出來的。

< 產品詳情 >

R2J20653ANP在一個單獨的40引腳QFN封裝中整合了兩個功率MOSFET（一個高端MOSFET和一個低端MOSFET）和一個功率IC。在一個單獨封裝中的高度集成意味著器件間互聯的寄生電感將非常小，理想用於高頻操作。所采用的功率MOSFET是瑞薩的最新設計，它們提供了業界最高的性能。低端MOSFET整合了一個肖特基勢壘二極管，以降低開關損耗。驅動器IC還優化了用於所使用MOSFET的開關控製。

無鉛、高散熱封裝符合DrMOSbiaozhunbingjuyoujincoudeanzhuangquyu。daiyoudutongcengdewuxianpeizhiyongyuneibuhulian，chongfenjiangdilefengzhuangneidezukang。zhanjufengzhuanghoumianyibanyishangquyudeyinjiaoyongyudadianliulujing，yifangzhiyudianliuhesanreyouguandewenti。

最後，在高頻運行下，業界最高的效率和持久性使其能夠減小尺寸和外部無源元件的數據
，因此也就降低了電源的整體大小。

瑞薩科技計劃為針對筆記本電腦的DrMOS產品陣列增加功能更強
、損耗更低的新產品，以滿足客戶不斷增長的需求並拓展產品的銷售。

< 注釋 >

注釋 1. 英特爾：英特爾和英特爾標識為美國和其它公司的英特爾公司所有。

2. 高端/低端MOSFET：高端和低端MOSFET用作非絕緣型DC-DC轉換器開關
，通過對器件進行交替開關來轉換電壓。高端MOSFET用於DC-DC轉換器控製，低端MOSFET用於同步整流。

* 所提到的其它產品名稱、公司名稱或商標為其各自的所有者所有。