Toshiba-components推出低導通電阻 快速轉換的30V MOSFET
發布時間：2009-12-24 來源：中電網
產品特性：
東芝美國電子元器件公司(TAEC)提供采用TSON高級封裝的6個器件30V MOSFET。這些新器件可用於同步DC-DC轉換器應用，包括移動和台式電腦、服務器、遊戲機和其它電子器件領域，它們需要用於子係統如：處理器、存儲器和其它點負載器件的輸入電壓轉換。(Toshiba)器件由東芝公司開發，采用15和16代UMOS V-H和UMOS VI-H處理技術，實現低側MOSFET的低導通電阻和低柵極電荷(QSW)的高側MOSFET的快速轉換速度。薄型、緊湊型3.3mmx3.3mmx0.9mm TSON高級封裝，與廣泛采用5.0mmx6.0mm SOP-8封裝相比,降低了64%的安裝麵積，同時達到了1.9W的同等功耗。
新產品包括5個N溝道MOSFET和1個MOSBD，MOSBD的單芯片組合了MOSFET和(he)肖(xiao)特(te)基(ji)阻(zu)擋(dang)二(er)極(ji)管(guan)，提(ti)供(gong)了(le)低(di)電(dian)感(gan)結(jie)構(gou)，因(yin)此(ci)提(ti)高(gao)了(le)能(neng)源(yuan)效(xiao)率(lv)。該(gai)產(chan)品(pin)提(ti)供(gong)了(le)一(yi)係(xi)列(lie)的(de)特(te)性(xing)，使(shi)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)能(neng)夠(gou)滿(man)足(zu)不(bu)同(tong)的(de)係(xi)統(tong)要(yao)求(qiu)。額(e)定(ding)電(dian)流(liu)範(fan)圍(wei)為(wei)13A~26A，RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2毫歐(mΩ)，輸入電容從999~2200微微法（pF）（典型值），反向傳輸電容(Crss)為54~140pF(典型值)。
價格和供貨情況：
現可提供Toshiba MOSFET係列的最新推出的產品樣品，采用TSON封裝，已開始大規模生產。樣品數量價格起價為$0.35。
5個N溝道MOSFET和1個MOSBD- 提供了低電感結構
- 額定電流範圍為13A~26A
- 輸入電容從999~2200微微法
- 反向傳輸電容為54~140pF
- 用於同步DC-DC轉換器應用
東芝美國電子元器件公司(TAEC)提供采用TSON高級封裝的6個器件30V MOSFET。這些新器件可用於同步DC-DC轉換器應用，包括移動和台式電腦、服務器、遊戲機和其它電子器件領域，它們需要用於子係統如：處理器、存儲器和其它點負載器件的輸入電壓轉換。(Toshiba)器件由東芝公司開發，采用15和16代UMOS V-H和UMOS VI-H處理技術，實現低側MOSFET的低導通電阻和低柵極電荷(QSW)的高側MOSFET的快速轉換速度。薄型、緊湊型3.3mmx3.3mmx0.9mm TSON高級封裝，與廣泛采用5.0mmx6.0mm SOP-8封裝相比,降低了64%的安裝麵積，同時達到了1.9W的同等功耗。
新產品包括5個N溝道MOSFET和1個MOSBD，MOSBD的單芯片組合了MOSFET和(he)肖(xiao)特(te)基(ji)阻(zu)擋(dang)二(er)極(ji)管(guan)，提(ti)供(gong)了(le)低(di)電(dian)感(gan)結(jie)構(gou)，因(yin)此(ci)提(ti)高(gao)了(le)能(neng)源(yuan)效(xiao)率(lv)。該(gai)產(chan)品(pin)提(ti)供(gong)了(le)一(yi)係(xi)列(lie)的(de)特(te)性(xing)，使(shi)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)能(neng)夠(gou)滿(man)足(zu)不(bu)同(tong)的(de)係(xi)統(tong)要(yao)求(qiu)。額(e)定(ding)電(dian)流(liu)範(fan)圍(wei)為(wei)13A~26A，RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2毫歐(mΩ)，輸入電容從999~2200微微法（pF）（典型值），反向傳輸電容(Crss)為54~140pF(典型值)。
價格和供貨情況：
現可提供Toshiba MOSFET係列的最新推出的產品樣品，采用TSON封裝，已開始大規模生產。樣品數量價格起價為$0.35。
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