機遇與挑戰：

• 采用Si底板的功率元件增加
• EDLC重獲關注
• 利用交流驅動取代電源
• 電容器穩步發展

受社會節能化浪潮的影響
，在電子部件中，電力損失較小的功率半導體和有助於省電的電容器
、LED等與環保息息相關的開發品的展出也成了此次展會的熱門。

采用Si底板的功率元件增加
功率半導體方麵，使用GaN、SiC等Si之後的新一代半導體的演示接連不斷。其中有所增加的是在Si底板上形成GaN類功率元件的類型。如果使用低廉且直徑大的Si底板
，居高不下的製造成本就能夠得到減少。投產預期也逐漸趨於具體化（圖1）。

為了降低成本，使用Si底板的展出接連不斷。IR展出了形成有GaN類HEMT的晶圓（a）。羅姆也首次試製使用Si底板的GaN類HEMT並展出了電源模塊（b）。三墾電氣使用配備有6個SBD內置GaN類FET的逆變器驅動200V、2.2kW的3相交流馬達，與利用配備Si製IGBT和FRD的逆變器進行驅動時逆變器表麵溫度的變化進行了比較（c）。左側配備GaN元件的逆變器損失小且溫度低。

美國國際整流器公司（International Rectifier，IR）宣布在2009年內投入實用。首先投產的將是使用耐壓僅為數十V的GaN類HEMT的POL電源模塊
，為無需加載柵極電壓即可導通的“常開”型。

積極開發功率元件的羅姆首次展出了Si底板產品。產品也為常開型，目前還存在耐壓低於600V的課題。今後，該公司將解決有關課題，爭取在2010年供應耐壓為600V的樣品。

三墾電氣繼2008年後再次展出了Si底板產品
，使用配備該產品的逆變器演示了3相交流馬達的驅動。其發熱量小於Si功率元件組成的逆變器
，電力損失也有所減少。該公司的Si底板產品的耐壓為600V，能夠進行閾值+1V的常開動作
，量產將爭取在2012年左右開始。該公司希望在此之前把閾值電壓提升至+3V左右。

EDLC重獲關注
電容器方麵
，上次大量展出的Li離子電容器難覓蹤影，雙電層電容器（EDLC）展出隨處可見（圖2）。隨著電容器市場最近的回暖
，作為高成本Li離子電容器的“現實替代品”，EDLC重新贏得了關注。
 
首爾半導體在原有2W/4W產品的基礎上增加了照明易用性良好的1W等級封裝（a）。億光電子也展出了該公司首款交流驅動封裝（b）。

對於備受關注的高效照明——LED
，能夠利用交流電源的種類越來越受到重視（圖3）。這種類型的LED照明無需A-D轉換電路，有望實現照明的小型化。該類型的先驅者——韓國首爾半導體（Seoul Semiconductor）展出了新產品：功耗為1W等級的封裝好的產品。過去該公司一般提供2W/4W等級的大型封裝產品，此次展示是為了滿足市場對於小型、高易用性的1W級別產品的需求。該產品的發光效率為70～80lm/W，低於直流電源驅動的類型，但韓國首爾半導體表示：“到2010年
，其效率將提高到與直流驅動產品相當的程度（100lm/ W以上）”。

台灣億光電子（Everlight Electronics）展出了其首款交流驅動封裝產品——功耗為1W和4Wdeyangpin。zhekuanfengzhuangchanpinzheyanyuzhaomingyongtu，shouxianjiangzaitaiwanhezhongguodalushangshi。yushangjieyiyang
，sankendianqirengranzhanchulexiaoxingfengzhuangchanpin。youyufaguangxiaolvjiaodi，shexiangdeshidianyuanfenjietoudengzhishiyongtu。

穩步發展的電容器
除此之外，電子部件區引人注目的還有各公司競爭的電容器薄型化（圖4）。通過在芯片形電容器製造中采用薄膜形成技術
，其厚度可以縮小至50μm以下。


村田製作所展出了耐壓為4V、靜電電容為0.1μF，厚度為50μm的1005尺寸產品。該產品計劃於2010年春季投入量產。太陽誘電展出了在Si底板上利用BaTiO3和鈦酸鍶鋇（BST）形成電介質層的開發品。1mm2電介質層相當於1層靜電容量為20nF

，4層的厚度為50μm，可實現80nF的靜電電容。借助磁場相互抵消的電極結構，小靜電電容同樣能夠抑製阻抗。

層疊陶瓷電容器（MLCC）在薄型化的同時還實現了大容量化。太陽誘電和村田製作所聯合展出了1005尺寸、厚度為150μm、靜電電容為0.22μF的MLCC。太陽誘電已經開始量產額定電壓為4V的產品。通過電介質層BaTiO3的微粉化，該MLCC通過單層厚度減半（0.5μm）實現了大容量化。村田製作所預定於2009年內啟動量