Si8461DB/5DB係列:Vishay推出業界最小的芯片級MOSFET
發布時間:2009-11-06 來源:電子元件技術網
產品特性:
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET--- Si8461DB和Si8465DB,最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm,是迄今為止業界最小的芯片級功率MOSFET。
在種類繁多的便攜式設備中,20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用於負載開關、電池開關和充電開關應用。器件的小尺寸和薄厚度有助於減少電源管理電路所占用的空間,以及/或是實現更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比,1mm x 1mm x 0.548mm的MICRO FOOT的占位小9%。
在4.5V柵極驅動下,Si8461DB的導通電阻為0.1Ω,比非芯片級器件提高了10倍,而且具有相近的占位尺寸,為節約便攜設備中的電池能量提供了極大幫助。除4.5V的電壓等級,Si8461DB還確定了在2.5V、1.8V和1.5V電壓時的最大導通電阻,導通電阻與采用便攜式係統中常見的更小輸入信號的設備相匹配。對於充電開關等需要更高輸入電壓的應用,Si8465DB具有12V的柵源電壓,在4.5V和2.5V柵極驅動時的導通電阻分別為0.104Ω和0.148Ω。
- 器件最大尺寸僅為1mm x 1mm
- 導通電阻比非芯片級器件提高10倍
- 負載開關、電池開關和充電開關應用
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET--- Si8461DB和Si8465DB,最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm,是迄今為止業界最小的芯片級功率MOSFET。
在種類繁多的便攜式設備中,20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用於負載開關、電池開關和充電開關應用。器件的小尺寸和薄厚度有助於減少電源管理電路所占用的空間,以及/或是實現更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比,1mm x 1mm x 0.548mm的MICRO FOOT的占位小9%。
在4.5V柵極驅動下,Si8461DB的導通電阻為0.1Ω,比非芯片級器件提高了10倍,而且具有相近的占位尺寸,為節約便攜設備中的電池能量提供了極大幫助。除4.5V的電壓等級,Si8461DB還確定了在2.5V、1.8V和1.5V電壓時的最大導通電阻,導通電阻與采用便攜式係統中常見的更小輸入信號的設備相匹配。對於充電開關等需要更高輸入電壓的應用,Si8465DB具有12V的柵源電壓,在4.5V和2.5V柵極驅動時的導通電阻分別為0.104Ω和0.148Ω。
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