新聞事件：

• 8月20日，2009中國半導體分立器件市場年會在深圳召開

事件影響：

• 年會對GaN HEMT 微波毫米波器件與電路的新進展情況進行了分析
• GaN HEMT 微波毫米波處於科研向工程化轉化時期
• GaN HEMT 微波毫米波2010年將進入軍民用係統中

8月20日
，深圳，由中國半導體行業協會主辦，分立器件分會
、華強電子網等聯合承辦的“2009中國半導體分立器件市場年會”上

，中國電子科技集團公司趙正平副總經理對GaN HEMT 微波毫米波器件與電路的新進展情況進行了分析。據趙總介紹，從上世紀九十年代中期誕生至今近
，GaN HEMT在zai微wei波bo毫hao米mi波bo領ling域yu有you了le突tu破po性xing進jin展zhan，目mu前qian正zheng處chu於yu從cong科ke研yan向xiang工gong程cheng化hua轉zhuan化hua的de關guan鍵jian時shi期qi。由you於yu其qi高gao的de擊ji穿chuan場chang強qiang
，高gao電dian子zi飽bao和he速su度du

，高gao的de兩liang維wei電dian子zi氣qi濃nong度du，SiC襯底的高熱導率，使得GaN HEMT的微波功率密度比Si
、GaAs微波器件提高了十倍以上。小柵寬GaN HEMT器件在4GHz下，功率密度達到40w/mm；8GHz30w/mm
；18GHz；9.1w/mm；40GHz;10.5w/mm；80.5GHz；2.1w/mm。其高頻特性：30nm柵長的GaN MIS-HFET的fT達到180 GHz；100nm柵長並具有背勢壘結構的GaN HEMT的fmax達到230GHz。在通訊雷達應用研究中
，大柵寬GaN HEMT器件以及由其構成的功率放大器的性能也取得突破。在L波段輸出脈衝功率達500W
，在S波段脈衝功率達800W
，在C波段脈衝功率達220W
；在X波段達250W
，在Ku波段SSPA連續波功率達120W
，在26GHz連續波輸出功率達20W。在GaN HEMT可ke靠kao性xing穩wen定ding性xing研yan究jiu中zhong
，攻gong克ke了le由you缺que陷xian引yin起qi的de漏lou電dian流liu崩beng塌ta效xiao應ying，柵zha漏lou電dian引yin起qi的de短duan期qi失shi效xiao機ji理li以yi及ji主zhu要yao由you柵zha下xia漏lou邊bian緣yuan高gao電dian場chang導dao致zhi的de逆ni壓ya電dian效xiao應ying引yin起qi的de長chang期qi不bu穩wen定ding機ji理li等deng難nan題ti，交jiao流liu穩wen定ding性xing有you很hen大da提ti高gao。由you加jia速su壽shou命ming試shi驗yan評ping估gu的de壽shou命ming已yi大da於yu106小時。預期2010年GaN HEMT將在軍民用係統中獲得應用。

在本次會議上，全國200多位行業主管部門領導、zhuanjiajiyejiedaibiaohuijushenzhen，jinjinweiraojinrongweijixiazhongguobandaotifenliqijianshichangjiyujiqushi
，fenliqijianxinjishuxingongyidefazhan
，xinxingfenliqijianzaiqichedianzi、節能照明等領域的應用前景進行了深入探討。工業和信息化部電子信息司丁文武副司長、中國半導體行業協會徐小田秘書長、中國半導體行業協會分立器件分會趙小寧秘書長
、中國科學院許居衍院士等領導
、專家出席了本次會議並發言。