產品特性：

• 采用超小型0201雙矽片無引腳(DSN2)芯片級封裝
• 低正向電壓或低反向電流
• 額定正向電流為100毫安(mA)或200 mA
• 工作溫度範圍為–40°C至+125°C

應用範圍：

• 手機、MP3播放器和數碼相機等便攜產品

安森美半導體(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基勢壘二極管。這些新的肖特基勢壘二極管采用超小型0201雙矽片無引腳(DSN2)芯片級封裝，為便攜電子設計人員提供業界最小的肖特基二極管和同類最佳的空間性能。

這些新的肖特基二極管提供低正向電壓或低反向電流，額定正向電流為100毫安(mA)或200 mA
，其中後者是業界最小巧的額定200 mA器件。這些新的器件為越來越多空間受限的應用解決問題，例如手機、MP3播放器和數碼相機等。

安森美半導體小信號產品分部總監兼總經理何燾(Dan Huettl)說：“我們客戶持續麵對設計挑戰，要在空間受限的應用中取舍優化電路板布線與係統性能的問題。安森美半導體遂推出超小型0201 DSN-2肖特基勢壘二極管
，回應係統設計人員的訴求
，優化便攜應用的電源管理。”

器件
這些肖特基二極管封裝底部含有可焊接金屬觸點
，令工作的矽片百分之百地利用封裝麵積。新的0201 DSN-2封裝尺寸僅為0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm
，與常見的1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm的SOD-923(也稱作0402)封裝相比，節省3倍的電路板空間。這些新器件的泄漏電流為市場上最低，幫助設計人員解決功率損耗、效(xiao)率(lv)及(ji)開(kai)關(guan)速(su)度(du)問(wen)題(ti)。與(yu)采(cai)用(yong)傳(chuan)統(tong)塑(su)模(mo)封(feng)裝(zhuang)的(de)競(jing)爭(zheng)組(zu)件(jian)相(xiang)比(bi)，新(xin)的(de)肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)的(de)板(ban)麵(mian)積(ji)性(xing)能(neng)顯(xian)著(zhe)提(ti)升(sheng)，傲(ao)視(shi)同(tong)儕(chai)。它(ta)們(men)的(de)電(dian)源(yuan)管(guan)理(li)特(te)性(xing)，也(ye)領(ling)先(xian)同(tong)類(lei)產(chan)品(pin)，有(you)助(zhu)延(yan)長(chang)便(bian)攜(xie)設(she)備(bei)應(ying)用(yong)中(zhong)的(de)電(dian)池(chi)使(shi)用(yong)時(shi)間(jian)。

NSR0xF30NXT5G器件係列優化了正向電壓降(Vf)，在10 mA正向電流時僅為370毫伏(mV)，進一步突顯這係列的先進
、高性能規格。NSR0xL30NXT5G器件係列設計用於低反向電流(Ir)，在10 V反向電壓時僅為0.2微安(µA)，且泄漏電流極低
，延長電池使用時間。這兩個係列的器件提供人體模型(HBM) 3B類和機器模型(MM) C類的ESD額定能力及低熱阻抗，為設計工程師解決在小電路板空間中納入越來越多電路的挑戰。這些肖特基二極管符合RoHS指令，工作溫度範圍為–40°C至+125°C
，非常適用於苛刻室內及室外環境中的設備。

器件型號	正向電壓降(Vf) (V)	正向電流(If) (mA)	封裝	特性
NSR01F30NXT5G	30	100	DSN2 0201	低Vf
NSR02F30NXT5G	30	200	DSN2 0201	低Vf
NSR01L30NXT5G	30	100	DSN2 0201	低Ir
NSR02L30NXT5G	30	200	DSN2 0201	低Ir