產品特征：

• 運行頻率為920 至960 MHz，提供17.8 W 的平均RF功率輸出，效率高達42.5%
• 誤差矢量幅度的均方根值不超過2.1%
• 增強型的內部阻抗匹配能使製造商更輕鬆地適應印刷電路板的變化

適用範圍：

• 基站收發器、GSM EDGE無線網絡

隨著基於LDMOS（laterally-diffused metal oxide semiconductor
，橫向擴散金屬氧化物半導體）技術的三個高性能RF功率晶體管的推出
，飛思卡爾半導體擴展了它在GSM EDGE無線網絡方麵的投入。這些器件結合了增強功能
，使它們輕鬆集成到放大器內
，同時可提供卓越的性能水平。

飛思卡爾副總裁兼RF部門總經理Gavin Woods 表示："隨著行業向第三和第四代無線業務不斷邁進,GSM無疑是部署最為廣泛的無線技術。飛思卡爾最新的RF功率晶體管的設計旨在通過提高基站收發器的效率，幫助全球的GSM運營商提高來自每個用戶的平均收入。"

MRFE6S9046N（920 至 960 MHz）對於GSM EDGE的應用，MRFE6S9046N 的運行頻率為920 至960 MHz，提供17.8 W 的平均RF功率輸出，19 dB 的增益，效率高達42.5%，且誤差矢量幅度的均方根（RMS）值不超過2.1%。它(ta)內(nei)置(zhi)在(zai)飛(fei)思(si)卡(ka)爾(er)超(chao)模(mo)壓(ya)塑(su)膠(jiao)封(feng)裝(zhuang)中(zhong)
，該(gai)封(feng)裝(zhuang)是(shi)精(jing)確(que)機(ji)械(xie)公(gong)差(cha)和(he)成(cheng)本(ben)效(xiao)率(lv)的(de)結(jie)合(he)。此(ci)外(wai)，該(gai)封(feng)裝(zhuang)是(shi)表(biao)麵(mian)安(an)裝(zhuang)的(de)，這(zhe)使(shi)它(ta)能(neng)夠(gou)支(zhi)持(chi)自(zi)動(dong)化(hua)的(de)製(zhi)造(zao)流(liu)程(cheng)。而(er)且(qie)，增(zeng)強(qiang)型(xing)的(de)內(nei)部(bu)阻(zu)抗(kang)匹(pi)配(pei)能(neng)使(shi)製(zhi)造(zao)商(shang)更(geng)輕(qing)鬆(song)地(di)適(shi)應(ying)印(yin)刷(shua)電(dian)路(lu)板(ban)的(de)變(bian)化(hua)。內(nei)部(bu)輸(shu)出(chu)匹(pi)配(pei)不(bu)僅(jin)在(zai)基(ji)本(ben)頻(pin)率(lv)上(shang)實(shi)現(xian)了(le)用(yong)戶(hu)友(you)好(hao)的(de)終(zhong)端(duan)阻(zu)抗(kang)，而(er)且(qie)還(hai)包(bao)括(kuo)賴(lai)以(yi)實(shi)現(xian)更(geng)高(gao)效(xiao)率(lv)的(de)第(di)二(er)和(he)第(di)三(san)個(ge)諧(xie)波(bo)終(zhong)端(duan)

，以(yi)符(fu)合(he) F 級放大器的理論。

MRF8S9100H/HS（920 至 960 MHz) 與 MRF8S18120H/HS（1805 至 1880 MHz）這些 28 V 的器件專為 GSM 與 EDGE 係統中的 AB 級與 C 級的操作而設計。在 GSM EDGE 業務中，MRF8S9100H/HS 在 940 MHz 運行時提供 45 W的平均功率，19.1 dB 的增益，44%的效率以及均方根（RMS）值為2.0%的誤差矢量幅度（EVM）。

在 GSM EDGE 業務中
，MRF8S18120H/HS 在 1840 MHz 運行時提供 46 W的平均功率，18.2 dB 的增益，42%的效率以及均方根（EVM）值為1.7%的誤差矢量幅度。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 內置在結實的氣腔陶瓷封裝中。MRF8S9100H/HS 還能夠在 GSM 800 頻段中操作，而 MRF8S18120H/HS 支持在 GSM 1900 頻段中的操作。所有這三個器件都是內部匹配的，以簡化電路設計，符合 RoHS規範
，並且還包含內部 ESD 保護電路。

定價和供貨情況
MRFE6S9046N 現已成批生產

，而且也可提供樣品。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 現在也處於樣品性能試驗階段

，預計2009年7月全麵投入生產。參考測試設備將與預期於2009年7月生產的大型信號模型一起提供。