中心議題：

• 高Q積層電感在抗幹擾中的應用

解決方案：

• 低損耗和高Q值電感
• 克服分布電容的影響
• 內部電極密集設計

手shou機ji設she計ji得de越yue來lai越yue小xiao，然ran而er功gong能neng也ye日ri益yi複fu雜za，從cong而er對dui所suo有you元yuan件jian的de微wei型xing化hua和he性xing能neng要yao求qiu更geng高gao，當dang然ran也ye包bao括kuo電dian感gan的de性xing能neng要yao求qiu。尤you其qi對dui積ji層ceng電dian感gan，不bu僅jin要yao求qiu尺chi寸cun更geng小xiao，還hai應ying達da到dao高gaoQ等級。TDK-EPC通過進一步提高低溫共燒陶瓷（LTCC）多層基材的工藝技術已達到該要求。
　　
現在，新設計的芯片內部電極的製造工藝對位置控製更為精確，進而生產出高Q值的0402和0603係列中的積層電感MLG0402Q和MLG0603P係列。積層電感采用鐵氧體或其它材料製成的薄片，並在薄片上用金屬漆（一般為銀）印製出繞線圖案而製成。將這些薄片排列成多層並創造出螺旋式內部電極結構。TDK開發的積層技術製成的線圈已無需再將電線繞在一個核心上，從而促進了產品的微型化和批量生產。
　　
低損耗和高Q值是高頻應用必不可少的條件
　　
高頻電路應用的積層電感采用的是介電陶瓷做成的薄片
，而非鐵氧體製成的薄片。原因是在幾百MHz以上的頻率範圍內，鐵氧體損耗率更大，難以達到高Q值（參見圖表一）。xianquanyitongzhiliudian，danduijiaoliudiandezuoyongleisiyudianzu
，beichengzhiweigankang。jiaoliudianpinlvyuegao，gankangjiuyuegao。suiranxianquanshidaoti
，danshidianxianchanraorengjuyouyidingzhiliudianzu（R）。直流電阻和頻變電感（R/2ttfL）間的比率稱為損耗係數，其倒數為Q值。“f”指通過線圈流動的電流的頻率
，所以Q值會根據頻率不同而變化。簡而言之，高Q值(zhi)指(zhi)高(gao)頻(pin)電(dian)感(gan)使(shi)用(yong)時(shi)的(de)低(di)損(sun)耗(hao)和(he)高(gao)適(shi)應(ying)性(xing)。由(you)於(yu)手(shou)機(ji)的(de)功(gong)能(neng)越(yue)來(lai)越(yue)多(duo)
，這(zhe)些(xie)功(gong)能(neng)的(de)耗(hao)電(dian)也(ye)越(yue)來(lai)越(yue)高(gao)，因(yin)此(ci)

，高(gao)頻(pin)電(dian)路(lu)係(xi)統(tong)內(nei)的(de)積(ji)層(ceng)貼(tie)片(pian)電(dian)感(gan)必(bi)須(xu)達(da)到(dao)低(di)損(sun)耗(hao)和(he)高(gao)Q值。


圖表一：各種基材電感的Q值和頻率響應
　　
Q值因頻率和基材不同而變化。鐵氧體基材不可用於幾百MHz以上的頻率範圍，應采用陶瓷介質。
　　
克服分布電容的影響
　　
手機高頻電路係統的電感應具有高Q值和小尺寸。然而遺憾的是，如果將線圈變小達到更微小體積，則造成直流電阻的增加，導致低Q值。另外
，更高的頻率範圍的內部電極和其它零件的分布寄生電容（未出現在電路圖中的電容）對Q值的影響很大。線圈感抗（X）與線圈電感和頻率成正比

，采用方程式X=2πfL來(lai)定(ding)義(yi)。理(li)想(xiang)的(de)電(dian)感(gan)是(shi)指(zhi)電(dian)感(gan)值(zhi)為(wei)常(chang)數(shu)時(shi)
，感(gan)抗(kang)和(he)頻(pin)率(lv)成(cheng)正(zheng)比(bi)。因(yin)此(ci)，頻(pin)率(lv)和(he)電(dian)抗(kang)對(dui)比(bi)的(de)繪(hui)製(zhi)圖(tu)應(ying)成(cheng)一(yi)條(tiao)直(zhi)線(xian)，然(ran)而(er)在(zai)實(shi)際(ji)中(zhong)，更(geng)高(gao)頻(pin)率(lv)位(wei)置(zhi)電(dian)抗(kang)下(xia)降(jiang)，而(er)線(xian)圈(quan)的(de)分(fen)布(bu)電(dian)容(rong)正(zheng)是(shi)造(zao)成(cheng)這(zhe)一(yi)現(xian)象(xiang)的(de)原(yuan)因(yin)。在(zai)積(ji)層(ceng)電(dian)感(gan)中(zhong)
，繞(rao)線(xian)圖(tu)案(an)的(de)作(zuo)用(yong)類(lei)似(si)電(dian)容(rong)電(dian)極(ji)，會(hui)產(chan)生(sheng)分(fen)布(bu)電(dian)容(rong)（圖表二）。同樣，分布電容也存在於端子電極和繞線圖氨之間。


圖表二：TDK積層電感的電極間分布電容
　　
事實上積層電感有分布電容，意味著在高頻段形成相當一個LC並聯電路。電容與電感不同，它阻止直流電，當頻率越高時
，電容作用則類似於交流電導體。類似於用於諧振電路的LC並聯元件，具有分布電容的積層電感具有諧振頻率，即自諧頻率（SRF）。當頻率超過自諧頻率時，貼片電感的作用不再是電感，Q值zhi也ye迅xun速su下xia降jiang至zhi零ling。因yin此ci，選xuan擇ze積ji層ceng電dian感gan用yong於yu高gao頻pin電dian路lu和he高gao頻pin模mo塊kuai時shi，單dan單dan考kao慮lv所suo需xu的de電dian感gan是shi不bu夠gou的de。自zi諧xie頻pin率lv也ye必bi須xu比bi使shi用yong頻pin率lv高gao出chu許xu多duo。另ling外wai，高gao頻pin適shi用yong電dian感gan也ye必bi須xu考kao慮lv所suo謂wei的de趨qu膚fu效xiao應ying。它ta會hui顯xian著zhu增zeng加jia電dian阻zu，導dao致zhi電dian感gan下xia降jiang。
　　
新型MLG係列：突破性的內部電極設計
　　
積(ji)層(ceng)電(dian)感(gan)為(wei)用(yong)量(liang)相(xiang)當(dang)大(da)的(de)電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)

，必(bi)須(xu)密(mi)集(ji)排(pai)布(bu)在(zai)電(dian)路(lu)板(ban)上(shang)，因(yin)此(ci)需(xu)要(yao)變(bian)得(de)更(geng)小(xiao)
，高(gao)度(du)更(geng)低(di)。薄(bo)膜(mo)工(gong)藝(yi)技(ji)術(shu)的(de)線(xian)圈(quan)形(xing)成(cheng)的(de)薄(bo)膜(mo)貼(tie)片(pian)電(dian)感(gan)不(bu)僅(jin)十(shi)分(fen)小(xiao)，也(ye)很(hen)薄(bo)
，還(hai)可(ke)以(yi)維(wei)持(chi)高(gao)準(zhun)確(que)率(lv)，但(dan)是(shi)仍(reng)難(nan)以(yi)實(shi)現(xian)高(gao)Q值。
　　
weilekefuzhezhongshejinanti

，guanjianjiushixuyaocaiyonggaojingmidezhizaojishulaizuixiaohuafenbudianronghequfuxiaoying
，tongshiyoushineibudianjidadaoyouhuasheji，yishixianweixingchicun。

TDK-EPC先進的LTCC工藝技術製作穩定的積層電感和十分精密的內部螺旋導體，並形成規模化生產。通過對內部導體的形狀、層寬和布局的設計，不僅達到高Q值，還可不用擔心分布電容的影響。
　　
全部重新設計MLG0402G和MLG0603P係列的繞線圖案和布局，才達到了此要求。TDK工程師成功地減小了端子電極間的分布電容
，但是又保留了線圈表麵麵積
，並且獲得了優秀的Q值特征（圖表三）。

圖表三：TDKMLG0402Q和MLG0603P係列的Q值和頻率特征對比圖
　　
繞線圖案微小的偏移都會導致Q值下降。因此
，為了防止此類現象，在開發MLG0402Q係列時，采用了高精度定位控製技術和其它先進的措施。通過進一步改進和完善技術，具有新設計的內部電極的MLG0603P係列已加入到TDK-EPC產品係列中。新係列產品具有高得多的Q值，尤其適用於800MHz或更高頻率的設計中。新的MLG0402Q和MLG0603P係列設計用於手機高頻電路係統
，例如，表麵聲波（SAW）濾波器和壓控振蕩器（VCO）電路內的阻抗匹配及扼流圈。同時，積層電感可進一步應用於藍牙
、WLAN、UWB、數字電視調節器和其它高頻電路和模塊，並且提供優異性能。
TDK的MLG0402Q和MLG0603P係列積層電感主要技術參數