中心議題：

• 電磁幹擾的屏蔽問題
• 屏蔽殼體的設計問題

解決方法：

• 合適殼體的尺寸
• 減小縫隙的影響
• 接縫的密封嚴密

長期以來我們一直麵臨屏蔽的相關問題。早期的調幅收音機裏就有帶屏蔽的射頻和中頻轉換器、帶屏蔽的電子管和被分隔屏蔽的底板。這些必要的屏蔽體防止了電子管引起的射頻感應

、反饋和振蕩，也防止了本地振蕩器的輻射、中頻陷波器的射頻汙染和電路的線間串擾。

到了20 世紀40 年代中期
，出現了大量的與軍事有關的射頻幹擾（RFI）規範需要滿足
，射頻襯墊也開始被使用（鈹銅、銀填橡膠、蒙乃爾導線紡織網）。1956 年頒布了用於三軍的屏蔽殼體測量規範，即MIL-STD-285。50 年後
，這個規範仍然被用於對屏蔽殼體的評價。盡管最初是被設計用來測量屏蔽殼體衰減的（源位於殼體之外）
，但該標準還是被用於幾乎任意一種屏蔽殼體的測量。如何測量殼體非常重要
，測量技術應該反映殼體實際的使用情況。

同(tong)樣(yang)的(de)道(dao)理(li)也(ye)適(shi)用(yong)於(yu)殼(ke)體(ti)的(de)設(she)計(ji)。因(yin)此(ci)某(mou)些(xie)很(hen)可(ke)能(neng)出(chu)現(xian)的(de)問(wen)題(ti)作(zuo)為(wei)影(ying)響(xiang)因(yin)素(su)必(bi)須(xu)在(zai)殼(ke)體(ti)的(de)設(she)計(ji)過(guo)程(cheng)中(zhong)予(yu)以(yi)考(kao)慮(lv)。設(she)計(ji)者(zhe)需(xu)要(yao)處(chu)理(li)輻(fu)射(she)發(fa)射(she)、輻射敏感度
、感性或者容性串擾以及這些問題的組合嗎？另外，這些問題是源自平麵波、電場或者磁場耦合嗎
？如果被保護的設備僅對磁場敏感或者隻產生磁場，那麼為向其提供120dB dediancishuaijianerdanxinjiuxiandehaowuyiyi。yinweipingbiketishibeishejiyonglaibaoweihuopaichidiancinengliangde，suoyiyaolijiepingbiketideshejiguochengjiubixutaolunfushedediancichanghediancibodetexing。

場和波

一個靜電荷可能會通過對設備中相似電荷所施加的排斥力而導致該電子設備的重新啟動（半導體尤其如此）；danruguojingdianhebaochibubian，tashibuhuichanshengdiancichangde。xiangfan，youyundongdianhezuchengdedianliuhuichanshengcichang。ruguodianliushiwentaide，cichangyejiangshiwentaide。yigewentaicichangshibuhuichanshengfushediancichangde。

如(ru)果(guo)電(dian)荷(he)作(zuo)加(jia)速(su)或(huo)減(jian)速(su)運(yun)動(dong)或(huo)者(zhe)電(dian)流(liu)增(zeng)大(da)或(huo)減(jian)小(xiao)，就(jiu)會(hui)產(chan)生(sheng)變(bian)化(hua)的(de)磁(ci)場(chang)。如(ru)此(ci)一(yi)來(lai)就(jiu)會(hui)產(chan)生(sheng)變(bian)化(hua)的(de)電(dian)場(chang)，源(yuan)就(jiu)會(hui)輻(fu)射(she)出(chu)電(dian)磁(ci)能(neng)量(liang)了(le)。電(dian)磁(ci)能(neng)量(liang)既(ji)可(ke)以(yi)產(chan)生(sheng)於(yu)高(gao)阻(zu)抗(kang)的(de)電(dian)場(chang)源(yuan)（高電壓－小電流）也可以產生於低阻抗的磁場源（大電流－低電壓）。如圖1 所示的單極天線和環天線就是這兩種源的典型代表。

在靠近源的區域，電場和磁場的關係非常複雜；盡管既有電場又有磁場
，但該區域要麼基本體現為電場要麼基本體現為磁場。在遠離源的區域，電場和磁場的關係變得穩定了，即E/H=120π。電場和磁場的這種關係如圖2 所示。EMC從業者通常采用簡化和近似的距離
，即R=λ/2π，並bing認ren為wei場chang在zai該gai處chu出chu現xian從cong近jin場chang到dao遠yuan場chang轉zhuan變bian。這zhe個ge公gong式shi的de前qian提ti假jia設she是shi源yuan結jie構gou的de尺chi寸cun小xiao於yu半ban個ge波bo長chang。天tian線xian的de設she計ji者zhe們men所suo尋xun求qiu的de更geng加jia精jing確que的de表biao達da式shi可ke能neng會hui成cheng為wei上shang述shu觀guan點dian的de一yi個ge例li外wai情qing況kuang。[page]

屏蔽效能模型

用於屏蔽效能分析的典型模型有三個，其中一個僅適用於低頻段（包括直流）
，其它兩個適用於射頻。在低頻段，材料的感抗小於材料的電阻，屏蔽效能基本取決於材料的電導率（對電磁場而言）和磁導率（對磁場而言）。zhezhongjingyanchangchanghuidaozhiyigecuowuderenshi，jicailiaodedianzujuedinglepingbixiaoneng。gezhongshepinchendiandezhizaochangshangmenshituliyongcailiaodetidianzulaimingquebiaoshiqipingbixiaoneng，ranhoujiangzhexieshuzhiyingyongyuquanpinlvfanwei，danzhexieshuzhizaizhexiepinlvfanweineishiwuxiaode。ruguozaicongzhiliuyizhidaohenkuanpinlvfanweineiyanjiudianrongdetexingxianranjiuhuifaxian：同tong一yi個ge結jie構gou在zai直zhi流liu情qing況kuang下xia雖sui然ran具ju有you很hen高gao的de直zhi流liu電dian阻zu
，但dan其qi在zai高gao頻pin情qing況kuang下xia的de射she頻pin阻zu抗kang會hui非fei常chang低di。反fan之zhi對dui電dian感gan同tong樣yang成cheng立li。反fan射she型xing屏ping蔽bi既ji需xu要yao低di電dian阻zu又you需xu要yao低di的de射she頻pin阻zu抗kang。僅jin僅jin通tong過guo測ce量liang電dian阻zu是shi無wu法fa決jue定ding射she頻pin阻zu抗kang的de。

電路法

在大概300kHz 到3GHz 的中間頻率範圍內，可以利用電路法對屏蔽效能建模。在這個頻段範圍內，屏蔽取決於材料的轉移阻抗。這一方法是Wheeler 在20 世紀50 年代中期為估計殼體的磁場屏蔽而提出的。這種技術後來被擴展到包括磁場
、電場和電磁場的屏蔽。電路法將屏蔽殼體描述為一個短的環路天線（磁場）或者一個粗的電振子天線（電場和平麵波）。

tongguojiangketijianmochengyigetianxiandedianlufasuotigongdedaankaolvleketidezhengtichicunhepingbicailiaodetexingdengyinsu。gaifangfadebenzhishiquedingketibiaomianganyingdeshepindianliu（和給定尺寸的天線結構類似），殼ke體ti內nei的de場chang是shi利li用yong通tong過guo轉zhuan移yi阻zu抗kang得de到dao感gan應ying電dian流liu
，並bing分fen析xi這zhe些xie感gan應ying電dian流liu在zai殼ke體ti內nei產chan生sheng的de電dian場chang而er得de到dao的de。相xiang對dui於yu後hou續xu將jiang要yao介jie紹shao的de傳chuan輸shu線xian法fa而er言yan，通tong過guo改gai進jin，電dian路lu法fa很hen容rong易yi用yong於yu分fen析xi殼ke體ti上shang的de縫feng隙xi和he不bu連lian續xu，但dan它ta同tong樣yang也ye有you一yi些xie不bu足zu。如ru果guo殼ke體ti的de尺chi寸cun（相對於頻率而言）允許出現駐波，即如果殼體的最大尺寸等於半個波長
，則殼體就會變成一個射頻腔體，此時就需要選擇傳輸線法來分析了。

傳輸線法

傳輸線法是20 世紀40 年代由Schelkunoff 提出的。簡而言之，輻射場和屏蔽體之間在阻抗上的差別會導致一部分入射到殼體上的能量在殼體表麵被反射（R），一部分能量在穿過屏蔽材料時被吸收（A）。ruciyilai
，pingbixiaonengjiukeyiangezhongyinqichangqiangbianhuadegongxianyinsulaifenbiejiayibiaoshu。pingbixiaonengdezhezhongbiaoshurongyixingxianghua，zaipingbililunzhongjingchangbeicaiyong。duiyunaxiedade
、沒有不連續部分的均勻殼體，如果波長比殼體的尺寸長
，Schelkunoff 的方法就會特別合適。

該方法沒有考慮殼體的尺寸，而且因為有平麵波的假設前提
，所以它無法對低頻情況下（殼體的尺寸和波長相比很小）的磁場、電場衰減做出準確的估計。作為MIL-STD-285 的作者，Richard Schultz 對Schelkunoff 的方法進行了修改， 形成了Schelkunoff-Schultz 綜合分析方法。盡管該方法有很大的改進，但在估計磁場衰減的問題上它仍然不是完全有效。用於磁場屏蔽分析的最準確的方法是King 在1933 年基於麥克斯韋方程組提出的一種方法。John Quine 等人在這方麵做了大量的工作，在RADC 他們利用傳輸線法對屏蔽殼體上諸如縫隙和射頻襯墊的不連續部分進行了分析。

盡(jin)管(guan)本(ben)文(wen)會(hui)涉(she)及(ji)這(zhe)些(xie)方(fang)法(fa)中(zhong)的(de)每(mei)一(yi)種(zhong)的(de)要(yao)素(su)，但(dan)討(tao)論(lun)還(hai)是(shi)會(hui)主(zhu)要(yao)集(ji)中(zhong)在(zai)傳(chuan)輸(shu)線(xian)方(fang)法(fa)上(shang)。另(ling)外(wai)
，本(ben)文(wen)還(hai)會(hui)采(cai)用(yong)一(yi)些(xie)教(jiao)學(xue)法(fa)上(shang)的(de)簡(jian)化(hua)，盡(jin)管(guan)這(zhe)可(ke)能(neng)會(hui)給(gei)一(yi)些(xie)讀(du)者(zhe)帶(dai)來(lai)困(kun)難(nan)
，但(dan)我(wo)們(men)還(hai)是(shi)會(hui)對(dui)一(yi)些(xie)基(ji)本(ben)概(gai)念(nian)作(zuo)闡(chan)述(shu)的(de)。
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研究對象可以分成兩種：在第一種情況下射頻源處於殼體之外，而在第二種情況下射頻源處於殼體之內。上述兩種情況如圖3 所示。

在兩種情況下都有

，


其中，F1 和F2 分別表示靠近射頻源一側和相反的另一側的殼體表麵處磁場
、電場或者平麵波的場強。
在第一種情況下
，源在殼體外部，整個屏蔽效能（單位為dB）可以近似歸納為

其中　　
A= 吸收損耗（單位為dB）
R()= 反射損耗（並非真正的損耗而是射頻能量朝反方向傳輸。因為射頻源處於殼體外部，所以朝反方向傳播的能量就可以被視為是一種損耗。）
B= 對內部多次反射的修正係數。隻有吸收損耗小於10dB 的非常薄的材料，該參數才會顯著。本文對該參數將不予討論。
在更高的頻率上，殼體的屏蔽效能取決於吸收。吸收和入射到殼體上的波的種類無關，它由如下所示的表達式給出：

射頻能量之所以在殼體表麵被反射是因為入射波的阻抗（Zw）和屏蔽材料的阻抗（Zs）不匹配。對於那些遠處的源，無論其初始源的阻抗和間隔距離如何，隻要其間隔距離等於或大於d=λ/2 或者1/6 波長，其波阻抗就會穩定在Z0=120π歐姆上。另外
，對於那些附近的源，其波阻抗會隨初始源阻抗以及源和屏蔽材料之間的間隔距離而變化。低阻抗源（磁場）的波阻抗會小於120π（即377）歐姆，而且它會隨著間隔距離的增大而逐漸增大，直到極限值。
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高阻抗源（電場）的波阻抗會大於120π 歐姆，而且它會隨著間隔距離的增大而逐漸減小，直到極限值。由此，有三個等式被用於計算屏蔽體表麵的反射。這些等式假設Zw/Zs 或Zs/Zw >10。當λ/2πr或2πr/λ=1 時
，電場和磁場等式就變得和平麵波的等式一致了。
平麵波：

需要注意的是Zs 會隨頻率的上升而增大，這會導致反射係數數值的減小。圖4 給出並對比了銅和鐵的屏蔽效能。

　　在第二種情況下
，整個屏蔽效能（單位為dB）可以近似歸納為
SEdB ≈ AdB
其中
A = 吸收損耗（單位為dB）
R()
在這種情況下，之所以沒有將反射R() 當作一種損耗來考慮是因為被內部牆體反射（方向改變）的能量仍然處於殼體內部。盡管必須承認R() 不嚴格等於0，但dan其qi影ying響xiang仍reng然ran非fei常chang小xiao。這zhe些xie殼ke體ti內nei部bu的de反fan射she可ke能neng會hui導dao致zhi和he產chan生sheng幹gan擾rao的de信xin號hao不bu同tong相xiang的de衰shuai減jian波bo。它ta們men要yao麼me可ke能neng會hui對dui產chan生sheng它ta們men的de電dian路lu的de操cao作zuo形xing成cheng幹gan擾rao
，要yao麼me可ke能neng會hui和he正zheng常chang波bo疊die加jia從cong而er導dao致zhi電dian磁ci場chang的de增zeng大da。即ji使shi這zhe些xie可ke能neng發fa生sheng的de事shi情qing都dou沒mei有you發fa生sheng，反fan射she波bo還hai可ke以yi和he正zheng常chang波bo一yi起qi通tong過guo縫feng隙xi同tong時shi泄xie漏lou出chu殼ke體ti，從cong而er導dao致zhi整zheng個ge場chang強qiang的de增zeng大da。當dang殼ke體ti的de尺chi寸cun增zeng大da到dao駐zhu波bo可ke以yi存cun在zai的de時shi候hou，諧xie振zhen放fang大da也ye

開始出現了。由此

，殼體內的電場強度一般會增大30dB 到40dB
，大大超出了前麵一些問題的影響。即使是非常好的殼體，這個問題同樣存在。例如，大多數軍用航空電子設備的殼體都是由30 到40 密耳厚的鋁板製成的。

雖然我們無法測量
、也不可能實現這麼高的衰減，但從中顯然可以發現：不考慮反射對問題的分析沒有影響。[page]

殼體的尺寸

我們不經常討論屏蔽殼體的尺寸對屏蔽效能的影響。而尺寸之所以會有影響是因為殼體的Q 值與儲存在腔體空間中的和消耗在內表麵區域中的能量的比值成正比。屏蔽效能和殼體的體積直接成正比
，和Q 值成反比，而Q 值會因為任意一個損耗部分而改變，例如射頻襯墊、接縫、材料的變化
、安裝的元件等等。如果有讀者想了解更多關於這方麵的信息，可以參考John Quine 等人在RADC
，Rome，NY 所做的大量的有關這方麵的研究（論文）。

尺寸也決定了殼體的諧振頻率。諧振使得SE 隨頻率波動。雖然衰減可能保持不變
，但殼體內的場強在諧振頻率處會增大。內部場強增大

，看上去就好像殼體SE 性能惡化一樣。因為諧振而造成的等效SE 損失的典型值為30 到40dB。但是Georgia Tech 所做的研究顯示對於Q 值極高的殼體，損失最高會到60 dB。

對於一個簡單的矩形殼體（尺寸為L，W，H，單位是米）

，各諧振頻率可以通過下麵的表達式計算得到

令l 和m 等於1，而且n 等於0
，則我們可以計算TE110模對應的腔體的最低諧振頻率。
場強的增大是非常顯著的！根據USN Dahlgren

，VA，[M.Hatfield 等] 為MIL-STD-461 所做的混響室諧振腔體方麵的研究可知，一個不加負載（空）的反射腔體內的平均電場強度可以計算如下：

峰值場強比平均值要高6 到8dB，而且整個殼體的場強分布並不是均勻的。既然腔體的Q 值與儲存在腔體空間中的和消耗在內表麵區域阻抗中的能量的比值（Vol/As）成正比

，而且使用磁導率相同的材料，那麼對同樣的腔體結構，其Q值將和腔體表麵電導率成正比。空的銅殼體在2000MHz 頻率下，如果沒有加載則其Q 值約為26,000

；如果加載則其Q值約為2600。下麵是2000-MHz、10 瓦信號在殼體內所產生的場，其中天線係數取為0.9：


諧振帶來的影響是個主要問題
，對航天器的設計者和製造者尤其如此。
一般來說，加載一些導電或者吸波的材料會減小殼體的體積，並增加內表麵的麵積。隔板和區域劃分會提高諧振頻率，減小Q 值，並對元件/ 模塊提供局部屏蔽。

既(ji)然(ran)沒(mei)有(you)考(kao)慮(lv)縫(feng)隙(xi)和(he)其(qi)它(ta)不(bu)連(lian)續(xu)所(suo)帶(dai)來(lai)的(de)影(ying)響(xiang)，那(na)麼(me)上(shang)述(shu)計(ji)算(suan)得(de)到(dao)的(de)這(zhe)些(xie)高(gao)屏(ping)蔽(bi)效(xiao)能(neng)的(de)數(shu)值(zhi)代(dai)表(biao)的(de)就(jiu)是(shi)屏(ping)蔽(bi)效(xiao)能(neng)的(de)最(zui)佳(jia)情(qing)況(kuang)了(le)。不(bu)幸(xing)的(de)是(shi)，建(jian)造(zao)一(yi)個(ge)完(wan)全(quan)理(li)想(xiang)焊(han)接(jie)的(de)殼(ke)體(ti)是(shi)無(wu)法(fa)實(shi)現(xian)的(de)。大(da)多(duo)數(shu)殼(ke)體(ti)都(dou)要(yao)求(qiu)開(kai)口(kou)以(yi)方(fang)便(bian)控(kong)製(zhi)、麵板的嵌入，通風和觀察等。這些縫隙和不連續就會形成主要的屏蔽殼體的泄漏。
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縫隙的影響

suiranfengxidexingzhuanggeyi
，danruguonenggoujiangpingbixiaonengshiweihedengxiaoxingzhuangfengxitianxiandefushexiaolvxiangfandewenti
，jiukeyidedaoyigejiandandemoxinglaijisuanzuihuaiqingkuangxiafengxidepingbixiaoneng。suiranzhezhongjiasheyehuidaozhiyixiecuowu
，danduishejieryanjiuzugoule，yinweishijidepingbixiaonenghuigaoyujisuangeichudejieguo。zuidakaikouchicunweiD 的單縫隙的屏蔽效能由下麵等式的第一部分給出。等式的第二部分是對多個同樣尺寸縫隙情況的修正。

這個等式可以根據尺寸（D）決定究竟采用何種形狀的接縫才能滿足給定的衰減，但一般來說接縫最大不能超過D=λ/50。這將造成非常小的開口！例如，為了在10GHz 的頻率（1000MHz 時鍾頻率的10 次諧波，在高速數字設備中並不少見）下獲得可以接受的衰減值，接縫不能超過0.6 毫米。這就要求在製造過程中采用連續焊合。

接縫的密封

suiranpingbimianbanhuowaikekeyicaiyonggezhongcailiao
，danketidepingbixiaonengzhuyaoqujueyumianbanhewaikeyuketizhijianlianjiedemifengqingkuang，jijiefengmifengchudeshepindajiedezhiliang。renhedulidemianbanhuowaike，ruguomeiyouchongfenjiedihuozheheketichongfendajie

，jiuhuichengweiyigefashetianxian。ruguojiangmianbandandianjiedihuijiangditianxiandexiaolvbingfangzhiqichengweitianxian
，danzhebuhuixiaochutongguoqitafengxidexielou。

考慮到其有效性
，屏蔽接縫周邊密封的最好方法依次是電焊

、銅焊、錫焊和鉚接（例外：在高振動環境中鉚接優於錫焊）。不(bu)幸(xing)的(de)是(shi)
，這(zhe)些(xie)方(fang)法(fa)很(hen)難(nan)實(shi)現(xian)保(bao)養(yang)和(he)維(wei)修(xiu)上(shang)的(de)便(bian)利(li)。盡(jin)管(guan)允(yun)許(xu)緊(jin)密(mi)安(an)裝(zhuang)螺(luo)絲(si)釘(ding)或(huo)者(zhe)卡(ka)釘(ding)，但(dan)現(xian)場(chang)移(yi)除(chu)還(hai)是(shi)不(bu)方(fang)便(bian)。因(yin)此(ci)，殼(ke)體(ti)通(tong)常(chang)采(cai)用(yong)主(zhu)動(dong)接(jie)觸(chu)設(she)計(ji)以(yi)提(ti)供(gong)並(bing)保(bao)持(chi)接(jie)觸(chu)麵(mian)之(zhi)間(jian)的(de)低(di)射(she)頻(pin)阻(zu)抗(kang)連(lian)接(jie)。可(ke)供(gong)該(gai)設(she)計(ji)采(cai)用(yong)的(de)密(mi)封(feng)方(fang)式(shi)包(bao)括(kuo)凸(tu)起(qi)
、分段互鎖密封刀邊、表麵交迭和射頻襯墊。依靠密封的設計
，這些方法都可以完全免除使用緊固件；但在任意情況下
，它們都允許在間隔更遠的情況下使用緊固件。基於不同材料和結構的組合，有超過2000 種不同的射頻襯墊設計。在好的印刷電路板設計中，至少60dB 的衰減

對大多數商業應用而言就足夠了。軍用設備的典型要求是80到100dB。不同的射頻襯墊材料在其電氣特性、jixietexinghefushitexingshangdouyoushizhishangdechabie。erqie，meizhongchendiandouyouxiangduiyuqitazhongleichendiangengweishiyideyingyong。jutixuanyongnazhongqujueyushiyongchendiandeketidemifengzhonglei。jinjingenjushuaijianliang，zaiyaoqiuchaoguo80dB衰減的情況下
，鈹銅
、錫、鍍銀金屬或者填充金屬的人造橡膠襯墊都很常用；在要求60 到80dB 衰減的情況下，還可以選擇蒙乃爾合金、鎳、錫銅鐵和鍍銀的織物；在要求60dB及以下衰減的情況下
，任何材料都可以選用。

接縫的構造

有四種不同構造的接縫形式可供選擇，即(1) 單獨接縫，(2) 壓縮接縫
，(3) 剪切或摩擦接縫，(4) 絕緣或阻塞抑製接縫。這些接縫的結構如圖5 suoshi。zuinenggoudaibiaodandujiefengdeshidabanduijie。shilizhongdedingbuhedibujiefengchuyuanzhuangzaijijiashangdekongbaimianbanhuohuoyechoutizhijian。yinweimeiyoujiaodie，suoyihennanyingyongchuantongdechendiancailiao。cishiqingxiangshiyongdemifengfangfashizaijiefengchushiyongdaibeichenzhanhededaodianbopianhuozhiwudai。
[page]
這種靜態（固定）dejiegoujingchangbeishiyongzaizhongliangjiaoqingdehangtianqiheweixingshang，danzheyebuyiweizhetajiushiyizhongyongjiudejiejuefangfa，erqietayebunengfanfudedakaiheguanbi。yasuomifengwangwangshizuichangshiyongdemifengxingshi。tasuiranbushizuihaode，dantaqueshiyouxiao。zhezhongjiegouyeshixiwangxingchengyizhongjingtaidelianjie。zaizhezhongyingyongzhong，mianbanhefengxidezhoubianjiaodie。ruguojiechubiaomianshidaodiande
，tongguoluosi（尤其是大扭矩型）的密集使用一般會滿足60dB 的商業要求。對於更高水平的衰減要求
，接縫設計可以使用任意類型的射頻襯墊材料來密封。

既(ji)然(ran)襯(chen)墊(dian)材(cai)料(liao)的(de)壓(ya)力(li)是(shi)垂(chui)直(zhi)於(yu)麵(mian)板(ban)的(de)，那(na)麼(me)就(jiu)必(bi)須(xu)在(zai)其(qi)周(zhou)邊(bian)均(jun)勻(yun)使(shi)用(yong)螺(luo)紋(wen)緊(jin)固(gu)件(jian)或(huo)卡(ka)釘(ding)以(yi)保(bao)證(zheng)射(she)頻(pin)密(mi)封(feng)。如(ru)果(guo)選(xuan)擇(ze)的(de)是(shi)低(di)壓(ya)力(li)的(de)襯(chen)墊(dian)，就(jiu)可(ke)以(yi)使(shi)用(yong)更(geng)輕(qing)質(zhi)的(de)殼(ke)體(ti)材(cai)料(liao)和(he)更(geng)寬(kuan)的(de)緊(jin)固(gu)件(jian)間(jian)隔(ge)。隨(sui)著(zhe)殼(ke)體(ti)結(jie)構(gou)的(de)小(xiao)型(xing)化(hua)和(he)複(fu)雜(za)化(hua)，襯(chen)墊(dian)的(de)選(xuan)擇(ze)就(jiu)會(hui)受(shou)到(dao)限(xian)製(zhi)，可(ke)以(yi)使(shi)用(yong)現(xian)場(chang)成(cheng)型(xing)的(de)、yinshuadehuozheyinghuarenzaoxiangjiaodechendian。jianqiemifengshiweiyideyizhongdongtaijiegou，tadechuliheqitaliangzhongbutong。zhezhongleixingdejietouyoujizhongbutongdejiegou，jipingkou
、刀口、改進刀口和/ 或者縱向的。這些設計中的機械力都一致地和麵板表麵平行，因此無需緊固件或者卡釘來支持屏蔽。
顯xian然ran，這zhe種zhong設she計ji可ke以yi不bu用yong緊jin固gu件jian。無wu需xu對dui接jie或huo者zhe分fen段duan邊bian沿yan就jiu可ke以yi使shi用yong平ping麵mian板ban蓋gai，因yin此ci很hen難nan確que認ren它ta和he周zhou邊bian的de良liang好hao接jie觸chu。如ru果guo對dui衰shuai減jian的de要yao求qiu很hen高gao需xu要yao采cai用yong射she頻pin襯chen墊dian，通tong常chang采cai用yong帶dai金jin屬shu簧huang片pian的de襯chen墊dian；danshiyeyouyongpaomozhiwujiegoude。ruguoshiyongdeshizhiwuchendian
，jiuyaoliuxinmifengshejiyibaozhengzhiwubuhuibeimosun。ruguoshiyongdeshihuangpianchendian
，zhezhongjiegouzaizuikuandepinlvfanweineijuyouzuihaodepingbixiaoguo
，erqietahaishiziqingjiede。yinweigaijinzhezhongjiegoudeyangshiyishiyingjiyouchanpinshifeichangkunnande，suoyizaichanpinshejizhichujiuyinggaikaolvzhezhongsheji。zhezhongshejiruguozaizuichujiubeijiayikaolv，yibanhuiyizuididedaijiahuodezuihaodexingneng。

絕緣（阻塞抑製）jiefengheshangshusanzhongmifengfangfayouhendadechabie。duinaxieshixiankuandaishepinmifengdejiegoueryan，tamenyikaodeshijiechubiaomianzhijianjinshuyujinshudedizukangshepinlianjie。erzusaiyizhijiefengzhenduideshinaxiewuxuzaikuanpindaishangshixianshepinmifengdegaopinshebei。youxieshebeihaiyaoqiugaizihejizuozhijianbixujueyuan。ershijishang
，haiyouxieshenzhiyaoqiujinshugaizibixufugaisuliaoyijianxiaoqifushi
、方(fang)便(bian)其(qi)清(qing)潔(jie)。如(ru)果(guo)隻(zhi)是(shi)要(yao)求(qiu)在(zai)高(gao)頻(pin)窄(zhai)帶(dai)的(de)情(qing)況(kuang)下(xia)實(shi)現(xian)衰(shuai)減(jian)，用(yong)微(wei)波(bo)阻(zu)塞(sai)抑(yi)製(zhi)密(mi)封(feng)接(jie)縫(feng)就(jiu)可(ke)以(yi)實(shi)現(xian)了(le)。這(zhe)種(zhong)接(jie)縫(feng)實(shi)質(zhi)就(jiu)是(shi)一(yi)個(ge)射(she)頻(pin)濾(lv)波(bo)器(qi)。接(jie)縫(feng)的(de)每(mei)個(ge)邊(bian)都(dou)被(bei)加(jia)工(gong)成(cheng)四(si)分(fen)之(zhi)波(bo)長(chang)或(huo)者(zhe)二(er)分(fen)之(zhi)一(yi)波(bo)長(chang)的(de)槽(cao)以(yi)反(fan)射(she)形(xing)成(cheng)一(yi)個(ge)相(xiang)位(wei)不(bu)同(tong)的(de)信(xin)號(hao)分(fen)量(liang)，該(gai)分(fen)量(liang)和(he)原(yuan)信(xin)號(hao)疊(die)加(jia)從(cong)而(er)實(shi)現(xian)衰(shuai)減(jian)。通(tong)過(guo)使(shi)用(yong)階(jie)梯(ti)結(jie)構(gou)，開(kai)槽(cao)可(ke)以(yi)被(bei)調(tiao)諧(xie)以(yi)增(zeng)加(jia)帶(dai)寬(kuan)

，但(dan)不(bu)幸(xing)的(de)是(shi)，它(ta)無(wu)法(fa)獲(huo)得(de)和(he)前(qian)麵(mian)三(san)種(zhong)設(she)計(ji)一(yi)樣(yang)的(de)帶(dai)寬(kuan)。

屏蔽設計的過程

本設計過程並不總是有效，但它提供了一種初始的方法。首先規定待測設備的輻射要求。該規定的確定可以通過測量電磁環境（EME）或huo者zhe參can考kao目mu前qian軍jun事shi或huo商shang業ye上shang對dui需xu要yao屏ping蔽bi設she備bei所suo適shi用yong的de規gui定ding就jiu可ke以yi了le。一yi旦dan這zhe一yi工gong作zuo完wan成cheng，就jiu可ke以yi確que定ding待dai測ce設she備bei的de輻fu射she發fa射she和he敏min感gan度du水shui平ping了le。即ji這zhe可ke以yi通tong過guo計ji算suan，也ye可ke以yi通tong過guo測ce量liang或huo者zhe預yu測ce分fen析xi（P&A）來完成。有三個頻段需要分析：
（1）100kHz 以下
，
（2）100kHz 和100MHz之間以及
（3）100MHz 以上。
隨後通過將這些輻射發射和敏感度水平做相互的比較
、並與規定的環境要求做比較就可以確定所需的最差屏蔽效能了。（注：雖sui然ran不bu經jing常chang發fa生sheng，但dan有you時shi會hui出chu現xian輻fu射she發fa射she水shui平ping超chao過guo輻fu射she敏min感gan度du水shui平ping的de情qing況kuang。這zhe表biao明ming有you一yi個ge主zhu要yao的de潛qian在zai自zi兼jian容rong問wen題ti，它ta必bi須xu和he環huan境jing電dian磁ci兼jian容rong分fen開kai解jie決jue。）為了顧及某個係統和另外一個係統之間電磁特性的差異，必須添加電磁兼容的安全裕量（EMCSM）。如果發射和敏感度水平是通過測量得到的，這個電磁兼容安全裕量取為6dB，如果是通過預測分析得到的
，就取為12dB。

頻率低於100kHz

發射和敏感度問題的頻率低於100kHz 就意味著這是一個磁場（HF）耦合問題。在這種情況下，屏蔽效能主要取決於殼體材料的類型。不管材料如何選擇

，首先必須決定最高頻率情況下對屏蔽效能（SE）的要求
，然後加上適當的電磁兼容裕量。
然後
，假設使用的是一種便宜的導磁材料
，通過令其吸收損耗（A）＝ SE+EMCSM 來計算其所需的厚度（t）。

如果計算得到的厚度（t）小於設計的最大允許厚度，則本過程結束。否則

，增加厚度並/ 或者改用更高磁導率的材料，重複計算。冷軋鋼作為設計開始選用的材料非常合適，如果需要可以再選擇熱軋鋼，然後是純鐵。

如果對厚度和磁導率兩方麵的要求迫使你必須選擇一個非常高磁導率的材料時
，例如納米金屬
，conetic huozhechaotoucihejin，nikeyizaijuedingxuanzeshiyongzhexiecailiaozhiqianzaicikaolvyixiashejizhongduicailiaohoududexianzhiwenti。duicichangpingbieryan，weilejiefengliangbiancitongdeguodu

，xuyaocaiyongjiaodiejiefeng（氣隙最小）。交迭長度的要求是材料厚度的10 倍到100 倍，但通常采用0.5 英寸。其中不采用射頻襯墊
，也不要采用搭板對接。
頻率高於100kHz

頻率高於100KHzdefasheheminganduwentijikenengshiyigecichangouhewentiyekenengshiyigedianchangouhewenti。zaizhezhonggaopinxia
，renheyizhongqingkuangdounenggoushiyongdaodiancailiao。shejidebuzhouqujueyushepinyuanshizaipingbineibuhaishiwaibu，qujueyusuoxudeshuaijianliangshiduoshao（即大於或者小於60dB），取決於頻率是大於還是小於100MHz。設計中，首先確定最高率下對屏蔽效能（SE）的要求，然後加上適當的電磁兼容裕量。

如果源在殼體內部，假設使用的是一種便宜的導電材料（例如鋁），通過令其吸收損耗（A）＝ SE+EMCSM 來計算其所需的厚度（t）。如果計算得到的厚度（t）小於設計的最大允許厚度，則本過程結束。否則
，增加厚度並/ 或huo者zhe改gai用yong導dao磁ci材cai料liao，重zhong複fu計ji算suan。冷leng軋zha鋼gang作zuo為wei設she計ji開kai始shi選xuan用yong的de材cai料liao非fei常chang合he適shi，如ru果guo需xu要yao可ke以yi再zai選xuan擇ze熱re軋zha鋼gang，然ran後hou是shi純chun鐵tie。如ru果guo源yuan在zai外wai部bu，假jia設she使shi用yong的de是shi一yi種zhong便bian宜yi的de導dao電dian材cai料liao（例如鋁），先計算屏蔽材料的反射。

在這種情況下
，反射（R）所(suo)要(yao)求(qiu)的(de)材(cai)料(liao)厚(hou)度(du)約(yue)為(wei)集(ji)膚(fu)深(shen)度(du)，因(yin)此(ci)它(ta)和(he)材(cai)料(liao)的(de)厚(hou)度(du)基(ji)本(ben)無(wu)關(guan)
，尤(you)其(qi)是(shi)在(zai)更(geng)高(gao)的(de)頻(pin)率(lv)上(shang)。如(ru)果(guo)較(jiao)低(di)頻(pin)率(lv)上(shang)的(de)反(fan)射(she)已(yi)經(jing)足(zu)夠(gou)
，則(ze)材(cai)料(liao)選(xuan)擇(ze)結(jie)束(shu)。如(ru)果(guo)不(bu)夠(gou)，就(jiu)可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)令(ling)其(qi)吸(xi)收(shou)損(sun)耗(hao)（A）滿足A+R ＝ SE+EMCSM 來計算其所需的厚度（t）。如果計算得到的厚度（t）小於設計的最大允許厚度，則本過程結束。否則，增加厚度並/ 或者改用導磁材料，重複計算。最後，隻要材料的特性確定
，就可以根據表1 所總結出的衰減與頻率之間的關係來選擇接縫設計和射頻襯墊

，並完成整個設計。