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片狀多層陶瓷電容器絕緣阻抗值分析

發布時間：2019-06-10 責任編輯：xueqi

【導讀】獨石陶瓷電容器的絕緣電阻表示當在電容器端子之間施加直流電壓 (無紋波) 時，在設定時間 (比如60秒) zhihoushijiadianyaheloudianliuzhijiandebilv。dangyigedianrongqijueyuandianzudelilunzhiwuqiongdashi，yinweishijidianrongqidejueyuandianjizhijiandedianliuliulianghenxiao，shijidianzuzhishiyouxiande。shangshudianzuzhichengwei"絕緣電阻"，並用兆歐[MΩ]和歐法拉[ΩF]等單位表示。

絕緣電阻值的性能

當直流電壓直接施加在電容器後，突入電流 (也稱充電電流) 的流量如下圖1所示。隨著電容器逐漸被充電，電流呈指數降低。

電流I (t) 隨時間的增加而分為三類 (如方程 (1) 所示)，即充電電流Ic (t)、吸收電流Ia (t) 和漏電電流Ir。

I (t)=Ic (t)+Ia (t)+Ir 方程 (1)

充電電流表明電流通過一個理想的電容器。與充電電流相比，吸收電流有一個延遲過程，並且在低頻範圍內伴隨有介電損耗、造成高介電常數電容器 (鐵電性電容器) 極性相反並在陶瓷與金屬電極界麵上發生肖特基障壘。

漏電電流是在吸收電流的影響降低後，在一定階段出現的常數電流。

yinci，xiashudianliuzhisuishijiazaidianrongqishangdeshijiandianyaliangerbianhua。zheyiweizhe，zhiyouzaizhidingdianyayongtuxiadedingshiceliangcainengquedingdianrongqidejueyuandianzuzhi。

絕緣電阻值

絕緣電阻值以兆歐[MΩ]或歐姆法拉[ΩF]等單位表示。其規定值隨電容值而改變。該值用標稱電容值和絕緣電阻的乘積 (CR的乘積) 來表示。例如: 當絕緣電阻在10,000MΩ以上時，電容為0.047µF或更小，當絕緣電阻為500ΩF時，其值大於0.047µF。

絕緣電阻值的保證

如上表所示，電容值越高，其絕緣電阻值越低。

其原因解釋如下: 考慮到獨石陶瓷電容器可以看作是一個導體，根據施加在其上的電壓和電流，利用歐姆定律可以計算出絕緣電阻。

絕緣電阻值R可以用方程 (2) 表示，導體的長度為L，導體的橫截麵麵積為S，電阻率為ρ。

R=ρ • L/S 方程 (2)

同樣，電容量C可以用方程 (3) 表示，獨石陶瓷電容器兩個電極之間的距離 (電介質厚度) 用L表示，內部電極的麵積用S表示，介電常數為ε。

C ∝ ε • S/L 方程 (3)

方程 (4) 由方程 (2) 和方程 (3) 得出，由方程 (4) 可知R與C成反比。

R ∝ ρ • ε/C 方程 (4)

絕緣電阻越大表明直流電壓下的漏電電流越小。一般情況下，絕緣電阻值越大，電路的精確性越高。

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