MOS管

 

MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導體絕緣柵場效應管。其特性
，輸入阻抗高
、開關速度快、熱穩定性好、電壓控製電流等特性。

 

 

IGBT管

 

IGBT中文名絕緣柵雙極型場效應晶體管
，是MOS管與晶體三極管的組合，MOS是作為輸入管，而晶體三極管作為輸出管。於是三極管的功率做的挺大，因此兩者組合後即得到了MOS管的優點又獲得了晶體三極管的優點。

 

 

綜(zong)上(shang)所(suo)述(shu)的(de)兩(liang)種(zhong)晶(jing)體(ti)管(guan)，是(shi)目(mu)前(qian)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)使(shi)用(yong)頻(pin)率(lv)很(hen)高(gao)的(de)電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)

，兩(liang)者(zhe)在(zai)外(wai)形(xing)及(ji)靜(jing)態(tai)參(can)數(shu)極(ji)其(qi)相(xiang)似(si)，某(mou)些(xie)電(dian)子(zi)產(chan)品(pin)是(shi)存(cun)在(zai)技(ji)術(shu)壟(long)斷(duan)， 在(zai)電(dian)路(lu)中(zhong)有(you)時(shi)它(ta)們(men)的(de)型(xing)號(hao)是(shi)被(bei)擦(ca)掉(diao)的(de)，截(jie)止(zhi)目(mu)前(qian)，它(ta)們(men)在(zai)命(ming)名(ming)標(biao)準(zhun)及(ji)型(xing)號(hao)統(tong)又(you)沒(mei)有(you)統(tong)一(yi)標(biao)準(zhun)，而(er)外(wai)型(xing)及(ji)管(guan)腳(jiao)的(de)排(pai)列(lie)相(xiang)似(si)，根(gen)本(ben)無(wu)規(gui)律(lv)可(ke)循(xun)，成(cheng)為(wei)維(wei)修(xiu)過(guo)程(cheng)中(zhong)的(de)攔(lan)路(lu)虎(hu)
，如(ru)何(he)區(qu)分(fen)和(he)判(pan)斷(duan)成(cheng)為(wei)必(bi)要(yao)手(shou)段(duan)。

 

MOS管和IGBT管的辨別

 

帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管的識別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管它們的柵極位置一樣，IGBT管的C極位置跟MODS管的D極位置相對應，IGBT管的e極位置跟MODS管的S極位置相對應，對它們的好壞判斷及及區分可以用動靜態測量方法來完成。

 

一、靜態測量判斷MOS管和IGBT管的好壞

 

先將兩個管子的管腳短路放掉靜電，MOS管的D極與S極之間有個PN接，正向導通反向截止，於是有Rgd=Rgs=Rds=無窮大，Rsd=幾千歐。IGBT管的G極到c、e極的電阻應為無窮大
，即Rgc=Rge=無窮大，而IGBT管的之間有阻尼二極管的存在，因此具有單向導電反向截止特性
，即Rce=無窮大，Rec=幾(ji)千(qian)歐(ou)。從(cong)這(zhe)裏(li)隻(zhi)能(neng)用(yong)萬(wan)用(yong)表(biao)的(de)電(dian)阻(zu)檔(dang)判(pan)斷(duan)出(chu)管(guan)子(zi)的(de)好(hao)壞(huai)，卻(que)區(qu)分(fen)不(bu)出(chu)是(shi)那(na)種(zhong)管(guan)子(zi)。測(ce)量(liang)得(de)阻(zu)值(zhi)很(hen)小(xiao)，則(ze)說(shuo)明(ming)管(guan)子(zi)被(bei)擊(ji)穿(chuan)
，測(ce)量(liang)阻(zu)值(zhi)很(hen)大(da)
，說(shuo)明(ming)管(guan)子(zi)內(nei)部(bu)斷(duan)路(lu)。

 

動態測量區分MOS管和IGBT管

 

先用萬用表給管子的柵極施加電壓
，是場效應管建立起溝道
，然後測量D、S及c、e之間的阻值
，根據阻值的差異來區分MOS管和IGBT管。

 

用萬用表的電阻檔測量兩個管子的D、S及c、e之間的電阻，由於場效應管已經建立溝道
，Rds=Rsd≈0，而Rce之間呈現電阻Rce，晶體三極管處於放大狀態的導通電阻，Rec為內部阻尼二極管的導通電阻，兩者均為幾千歐。因此根據測量可知，兩個管子的導通程度不一樣，MOS管的D
、S之間電阻值是遠小於IGBT管c、e之間的電阻值，於是可以分辨出MOS與IGBT管。