由於獲得了在 25°C時典型飽和壓降 (VCE(sat)) 為1.05 V的傲人成績
，此類新型 IGBT成功地將效率水平提升到一個新的高度 —— 用 L5 係列代替它的前輩 TRENCHSTOP IGBT，使效率在NPC1拓撲中提升高達 0.1％，在 NPC 2 拓撲中提升 0.3％。再加上VCE(sat)的溫度係數為正，保持高效率的同時還能直接並聯——樹立了20kHz 以下頻率的IGBT的行業標杆。鑄造新 L5係列靈魂的 TRENCHSTOP5技術，不但能提供無與倫比的低傳導損耗，還能將25℃時的總開關損耗降至1.6 mJ。新 L5 係列基於 TRENCHSTOP™5 薄晶片技術，使本來就很低的導通損耗因為載流子結構的優化得到了進一步降低。

 

綜上所述，在低開關頻率應用場合使用英飛淩新推出的低飽和壓降 IGBT 能提升效率，增加可靠性並且縮小係統的尺寸。

 

第一波麵世的新L5 IGBT係列采用業界標準的TO-2473針封裝技術。此外

，為了滿足需要進一步增強效率的應用場合，英飛淩還提供 TO-247 4針開爾文-發射極封裝版（Kelvin-Emitter package）的 L5 IGBT。與標準的 TO-247 3針封裝版相比，TO-247 4針封裝版的開關損耗減少了 20％。因此
，L5與TO-247 4針(zhen)封(feng)裝(zhuang)的(de)結(jie)合(he)
，不(bu)但(dan)創(chuang)造(zao)了(le)終(zhong)極(ji)版(ban)低(di)傳(chuan)導(dao)能(neng)耗(hao)和(he)低(di)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)成(cheng)績(ji)
，還(hai)幫(bang)助(zhu)英(ying)飛(fei)淩(ling)鞏(gong)固(gu)了(le)在(zai)為(wei)高(gao)功(gong)率(lv)市(shi)場(chang)提(ti)供(gong)高(gao)度(du)創(chuang)新(xin)並(bing)且(qie)與(yu)眾(zhong)不(bu)同(tong)的(de)產(chan)品(pin)方(fang)麵(mian)的(de)領(ling)先(xian)地(di)位(wei)。

 

新型低飽和壓降L5係列有30A和75A兩種規格，一種是單IGBT形式
，另一種則合裝有英飛淩的超快Rapid 1和Rapid 2矽二極管。TO-247 4針開爾文-發射極封裝版有75A規格。