我們知道每種電容都有它的頻率特性，那麼AVX 鉭電容的頻率特性是怎麼樣的呢？AVX 鉭電容隨著頻率的增加有效電容的值會減小，直到共振達到（通常視0.5 - 5MHz 的之間該評級）。除了共振頻率的設備變得感性。除了100kHz 的電容繼續下降。下麵以AVX 貼片鉭電容E型的220UF 10V 規格為例，來說明鉭電容的頻率特性AVX 鉭電容溫度特性曲線。

在介紹AVX 鉭電容的溫度特性曲線前，我們必需對以下兩個基本概念有所認識：

額定容量（CR）：這是額定電容。對於鉭OxiCap電容器的電容測量是在25℃時等效串聯電路使用測量電橋提供一個0.5V RMS120Hz 的正弦信號
，諧波與2.2Vdc。

電容公差：這是實際值的允許偏差電容額定值。

AVX鉭電容的溫度特征

鉭(tan)電(dian)容(rong)器(qi)的(de)電(dian)容(rong)隨(sui)溫(wen)度(du)變(bian)化(hua)而(er)發(fa)生(sheng)變(bian)化(hua)。這(zhe)種(zhong)變(bian)化(hua)本(ben)身(shen)就(jiu)是(shi)一(yi)個(ge)小(xiao)的(de)程(cheng)度(du)上(shang)依(yi)賴(lai)額(e)定(ding)電(dian)壓(ya)和(he)電(dian)容(rong)的(de)大(da)小(xiao)。從(cong)下(xia)麵(mian)的(de)溫(wen)度(du)曲(qu)線(xian)圖(tu)上(shang)可(ke)以(yi)看(kan)出(chu)在(zai)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(du)範(fan)圍(wei)內(nei)，鉭(tan)電(dian)容(rong)和(he)铌(ni)電(dian)容(rong)的(de)容(rong)量(liang)會(hui)隨(sui)著(zhe)溫(wen)度(du)的(de)上(shang)升(sheng)而(er)上(shang)升(sheng)。

圖1：溫度曲線圖

損耗角正切（TAN）這zhe是shi一yi個ge在zai電dian容rong器qi的de能neng量liang損sun耗hao的de測ce量liang。它ta表biao示shi
，為wei棕zong褐he色se，是shi電dian容rong器qi的de功gong率lv損sun耗hao其qi無wu功gong功gong率lv分fen為wei一yi組zu指zhi定ding的de正zheng弦xian電dian壓ya頻pin率lv。也ye用yong的de術shu語yu是shi功gong率lv因yin數shu
，損sun耗hao因yin子zi和he介jie電dian損sun耗hao。COS（90 -）是真正的功率因數。“使用測量進行測量橋梁，提供一個0.5V RMS120Hz 的正弦信號。

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耗散與溫度的關係

圖2：耗散與溫度的關係

耗散係數隨溫度變化的典型曲線表演。這些地塊是鉭和OxiCap 相同電容器。耗散因數測量的切線損耗角（TAN）
，以百分比表示。測量DF是開展測量橋梁供應一個0.5V RMS120Hz 的正弦信號
，免費諧波與偏見2.2Vdc. DF值是溫度和頻率依賴性。注意：對於表麵貼裝產品所允許的最大DF值表示的收視率表是很重要請注意，這些限額會見了由組件後基板上焊接。

耗散因數的頻率依賴性

隨著頻率的增加損耗因數所示鉭和OxiCap廬電容器的典型曲線相同的AVX 鉭電容的阻抗（Z）。這是電流電壓的比值，在指定的頻率。三個因素促成了鉭電容器的阻抗；bandaoticengdedianzudianrongjiazhihedianjiheyinxiandiangan。zaigaopinlvdaozhidedianganchengweiyigexianzhiyinsu。wenduhepinlvdexingweiquedingzhesangeyinsudezukangxingweizukangZ阻抗是在25℃和100kHz。

AVX鉭電容的等效串聯電阻ESR

阻(zu)力(li)損(sun)失(shi)發(fa)生(sheng)在(zai)一(yi)切(qie)可(ke)行(xing)的(de)形(xing)式(shi)電(dian)容(rong)器(qi)。這(zhe)些(xie)都(dou)是(shi)由(you)幾(ji)種(zhong)不(bu)同(tong)的(de)機(ji)製(zhi)，包(bao)括(kuo)電(dian)阻(zu)元(yuan)件(jian)和(he)觸(chu)點(dian)，粘(zhan)性(xing)勢(shi)力(li)內(nei)介(jie)質(zhi)和(he)生(sheng)產(chan)旁(pang)路(lu)的(de)缺(que)陷(xian)電(dian)流(liu)路(lu)徑(jing)。為(wei)了(le)表(biao)達(da)對(dui)他(ta)們(men)的(de)這(zhe)些(xie)損(sun)失(shi)的(de)影(ying)響(xiang)視(shi)為(wei)電(dian)容(rong)的(de)ESR。ESR的頻率依賴性和可利用的關係

；ESR=2πfC其中F是赫茲的頻率
，C是電容法拉。ESR是在25 ℃和100kHz的測量。ESR是阻抗的因素之一，在高頻率（100kHz和以上）就變成了主導因素。從而ESR和阻抗幾乎成了相同

，阻抗僅小幅走高。

AVX 鉭電容的阻抗和ESR的頻率依賴性

ESR和阻抗都隨頻率的增加。在較低頻率值作為額外的貢獻分歧阻抗（由於電容器的電抗）變得更加重要。除了1MHz的（和超越電容的諧振點）阻抗再次增加由於電感
，電容的。典型ESR 和阻抗值是類似的鉭，铌氧化物材料，從而在相同的圖表都有效鉭電容和OxiCap電容器。

鉭電容的浪湧電壓

AVX 鉭(tan)電(dian)容(rong)能(neng)承(cheng)受(shou)的(de)電(dian)壓(ya)和(he)電(dian)流(liu)浪(lang)湧(yong)能(neng)力(li)是(shi)有(you)限(xian)的(de)，這(zhe)是(shi)基(ji)於(yu)所(suo)有(you)電(dian)解(jie)電(dian)容(rong)的(de)共(gong)同(tong)屬(shu)性(xing)，一(yi)個(ge)值(zhi)夠(gou)高(gao)的(de)電(dian)應(ying)力(li)會(hui)穿(chuan)過(guo)電(dian)介(jie)質(zhi)，從(cong)而(er)破(po)壞(huai)了(le)介(jie)質(zhi)。例(li)如(ru)一(yi)個(ge)6伏的鉭電容在額定電壓運行時，有一個167千伏/毫(hao)米(mi)電(dian)壓(ya)的(de)電(dian)場(chang)。因(yin)此(ci)一(yi)定(ding)要(yao)確(que)保(bao)整(zheng)個(ge)電(dian)容(rong)器(qi)終(zhong)端(duan)的(de)電(dian)壓(ya)的(de)決(jue)不(bu)會(hui)超(chao)過(guo)規(gui)定(ding)的(de)浪(lang)湧(yong)電(dian)壓(ya)評(ping)級(ji)。作(zuo)為(wei)鉭(tan)電(dian)容(rong)負(fu)極(ji)板(ban)層(ceng)使(shi)用(yong)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)二(er)氧(yang)化(hua)錳(meng)有(you)自(zi)愈(yu)能(neng)力(li)。然(ran)而(er)，這(zhe)種(zhong)低(di)阻(zu)是(shi)有(you)限(xian)的(de)。在(zai)低(di)阻(zu)抗(kang)電(dian)路(lu)的(de)情(qing)況(kuang)下(xia)
，電(dian)容(rong)器(qi)可(ke)能(neng)被(bei)浪(lang)湧(yong)電(dian)流(liu)擊(ji)穿(chuan)。降(jiang)壓(ya)的(de)電(dian)容(rong)，增(zeng)加(jia)了(le)元(yuan)件(jian)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。額(e)定(ding)電(dian)壓(ya)使(shi)用(yong)上(shang)常(chang)見(jian)的(de)電(dian)壓(ya)軌(gui)跡(ji)
，低(di)阻(zu)抗(kang)鉭(tan)電(dian)容(rong)在(zai)電(dian)路(lu)進(jin)行(xing)快(kuai)速(su)充(chong)電(dian)或(huo)放(fang)電(dian)時(shi)，保(bao)護(hu)電(dian)阻(zu)建(jian)議(yi)為(wei)1Ω/ V.如果達不到此要求應使用鉭電容器降壓係數高達70%.在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個單一的電容。A係組合應被用來增加工作電壓的等效電容器。

例如：兩個22μF25V係列部分相當於一個11μF50V的一部分。是指電容在很短的時間經過最小的串聯電阻的電路33Ohms（CECC國家1KΩ）能承受的最高電壓。浪湧電壓，常溫下一個小時時間內可達到高達10 倍額度電壓並高達30秒的時間。浪湧電壓隻作為參考參數
，不能用作電路設計的依據，在正常運行過程中，電容應定期充電和放電。

不同溫度下浪湧電壓的值是不一樣的
，在85度及以下溫度時，分類電壓VC等於額定電壓VR,浪湧電壓VS 等於額度電壓VR的1.3倍；在85到125度時，分類電壓VC等於額定電壓VR的0.66倍
，浪湧電壓VS等於分類電壓VC的1.3倍。

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鉭電容的反向電壓

AVX 鉭電容的反向電壓是有嚴格的限製的
，具體如下：

在1.0V 25℃條件下最大為10%的額定直流工作電壓
在0.5V 85℃條件下最大為3%的額定直流工作電壓
在0.1V 125℃條件下最大為1%的額定直流工作電壓

反(fan)向(xiang)電(dian)壓(ya)值(zhi)均(jun)以(yi)鉭(tan)電(dian)容(rong)在(zai)任(ren)何(he)時(shi)間(jian)上(shang)的(de)最(zui)高(gao)電(dian)壓(ya)值(zhi)為(wei)準(zhun)。這(zhe)些(xie)限(xian)製(zhi)是(shi)假(jia)設(she)鉭(tan)電(dian)容(rong)器(qi)偏(pian)振(zhen)光(guang)在(zai)其(qi)大(da)多(duo)數(shu)的(de)正(zheng)確(que)方(fang)向(xiang)工(gong)作(zuo)壽(shou)命(ming)。他(ta)們(men)的(de)目(mu)的(de)是(shi)涵(han)蓋(gai)短(duan)期(qi)逆(ni)轉(zhuan)如(ru)發(fa)生(sheng)在(zai)開(kai)關(guan)瞬(shun)態(tai)極(ji)性(xing)期(qi)間(jian)的(de)一(yi)個(ge)印(yin)象(xiang)深(shen)刻(ke)的(de)波(bo)形(xing)的(de)一(yi)小(xiao)部(bu)分(fen)。連(lian)續(xu)施(shi)加(jia)反(fan)向(xiang)電(dian)壓(ya)會(hui)導(dao)致(zhi)兩(liang)極(ji)分(fen)化(hua)
，將(jiang)導(dao)致(zhi)漏(lou)電(dian)流(liu)增(zeng)大(da)。在(zai)在(zai)何(he)種(zhong)情(qing)況(kuang)下(xia)連(lian)續(xu)反(fan)向(xiang)應(ying)用(yong)電(dian)壓(ya)可(ke)能(neng)會(hui)出(chu)現(xian)兩(liang)個(ge)類(lei)似(si)的(de)電(dian)容(rong)應(ying)采(cai)用(yong)與(yu)負(fu)端(duan)接(jie)背(bei)回(hui)配(pei)置(zhi)連(lian)接(jie)在(zai)一(yi)起(qi)。在(zai)大(da)多(duo)數(shu)情(qing)況(kuang)下(xia)這(zhe)種(zhong)組(zu)合(he)將(jiang)有(you)一(yi)個(ge)標(biao)稱(cheng)電(dian)容(rong)的(de)電(dian)容(rong)的(de)一(yi)半(ban)無(wu)論(lun)是(shi)電(dian)容(rong)。在(zai)孤(gu)立(li)的(de)脈(mai)衝(chong)條(tiao)件(jian)或(huo)在(zai)最(zui)初(chu)幾(ji)個(ge)周(zhou)期(qi)內(nei)，電(dian)容(rong)可(ke)能(neng)的(de)方(fang)法(fa)完(wan)整(zheng)的(de)標(biao)稱(cheng)值(zhi)。反(fan)向(xiang)電(dian)壓(ya)等(deng)級(ji)的(de)設(she)計(ji)蓋(gai)小(xiao)級(ji)別(bie)遊(you)覽(lan)得(de)天(tian)獨(du)厚(hou)的(de)條(tiao)件(jian)弄(nong)錯(cuo)極(ji)性(xing)。引(yin)用(yong)的(de)值(zhi)是(shi)不(bu)打(da)算(suan)覆(fu)蓋(gai)連(lian)續(xu)的(de)反(fan)向(xiang)操(cao)作(zuo)。

鉭電容的疊加交流電壓（Vr.m.s.）------又稱紋波電壓。這是最大的r.m.s.交流電壓，疊加一個特區電壓，可應用到一個電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超過該類別電壓。

鉭電容的成型電壓這是在陽極氧化形成的電壓。這個氧化層的厚度是形成電壓成正比一個電容器，並在設置額定電壓的一個因素。