【導讀】SPHBM4在沿用標準HBM4 DRAM核心層、保障容量擴展能力的基礎上，通過接口基礎裸片的創新性設計實現了關鍵突破——I/O數據引腳數量銳減至標準HBM4的四分之一。依托有機基板替代矽基板、更高工作頻率及4:1串行化技術的協同作用，這款新型內存不僅適配更低凸點間距密度的材料特性，更為提升單一封裝內存堆棧數量
、拓展係統總容量開辟了新路徑，將對高性能計算存儲領域產生深遠影響。

12 月 12 日消息
，JEDEC 固態技術協會美國加州當地時間 11 日宣布
，其已接近完成 SPHBM4 內存規範。這裏的 "SP" 是 "Standard Package"（標準封裝）的首字母簡寫。

JEDEC 接近完成 SPHBM4 規範：I/O 引腳數量僅有標準 HBM4 內存的 1/4

SPHBM4 使用與標準 HBM4 相同的 DRAM 核心層，兩者在容量擴展上沒有差異。區別在於，SPHBM4 在接口基礎裸片 (Interface Base Die) 部分采用了不同的設計
，可安裝在標準有機基板而不是矽基板上。

此外

，標準 HBM4 內存擁有 2048 個 I/O 數據引腳
，而在 SPHBM4 上這一數量將降低到 512 個。為實現相當的總數據傳輸速率
，SPHBM4 將具有更高的工作頻率並采用 4:1 串行化技術。這也是為了配合有機基板支持的凸點間距密度更低的材料特性。

SPHBM4 使用有機基板布線的一大好處是在 SoC 和 HBM 內存堆棧間允許更長的線徑，這有利於提升單一封裝中集成的堆棧數量，從而進一步提高係統內存總容量。

SPHBM4內存規範的臨近完成，無疑是HBM技術發展曆程中的一次重要革新。它並非對標準HBM4dedianfu
，ershitongguofengzhuangyujiekoucengmiandeyouhua，zaibaochihexinxingnengyurongliangqianlidetongshi，youxiaojiangdilejishuyingyongmenkanyuyingjianshipeinandu。youjijibandecaiyongyuyinjiaoshuliangdejingjian
，bujinjiejuelechuantongguijibandailaidexianzhi
，gengyilinghuodebuxiantexingweineicunrongliangdejinyibutupotigonglekeneng。