～650V耐壓
、TOLL封裝的GaN HEMT有助於進一步提高電源效率～

全球知名半導體製造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN™產品GaN HEMT，被先進的日本電子元器件、電池和電源製造商村田製作所Murata Power Solutions的AI（人工智能）服務器電源采用。羅姆的GaN HEMT具有低損耗工作和高速開關性能，助力Murata Power Solutions的AI服務器5.5kW輸出電源單元實現小型化和高效率工作。預計該電源單元將於2025年開始量產。

近年來

，隨著AI（人工智能）和AR（增強現實）等在IoT領域的發展
，數據通信量在全球範圍內呈現持續增加趨勢。其中，據說使用AI進行一次查詢所消耗的電量比普通的網頁搜索要高數倍，這就迫切需要為處理這些查詢的高速運算設備等供電的AI服務器電源進一步提高效率。另一方麵，具有低導通電阻和高速開關特性的GaN器件因其有助於電源的高效率工作和外圍元器件（如電源電路中使用的電感器等）的小型化而備受矚目。

Murata Power Solutions Technical Fellow Dr. Joe Liu表示：“很高興通過使用羅姆的GaN HEMT
，使我們能夠設計出具有更高效率和更高功率密度的AI服務器電源單元。利用GaN HEMT的高速開關工作、dijishengdianrongyijilingfanxianghuifutexing，kejiangduikaiguansunhaodeyingxiangkongzhidaozuixiao，haiketigaokaiguanzhuanhuanqidegongzuopinlvbingxuejiancixingyuanqijiandechicun。luomudeGaN HEMT在性能方麵非常具有競爭力，且可靠性也很高
，用在我們的AI服務器5.5kW輸(shu)出(chu)電(dian)源(yuan)單(dan)元(yuan)中(zhong)，取(qu)得(de)了(le)非(fei)常(chang)好(hao)的(de)效(xiao)果(guo)。未(wei)來(lai)，我(wo)們(men)將(jiang)通(tong)過(guo)繼(ji)續(xu)與(yu)在(zai)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)領(ling)域(yu)優(you)勢(shi)顯(xian)著(zhu)的(de)羅(luo)姆(mu)合(he)作(zuo)，努(nu)力(li)提(ti)高(gao)各(ge)種(zhong)電(dian)源(yuan)的(de)效(xiao)率(lv)，為(wei)解(jie)決(jue)電(dian)力(li)供(gong)需(xu)緊(jin)張(zhang)的(de)社(she)會(hui)課(ke)題(ti)貢(gong)獻(xian)力(li)量(liang)。”

羅姆 LSI事業本部 Power Stage產品開發部 部長 山口雄平表示：“羅姆的EcoGaN™能夠被電源領域的全球領導者Murata Power Solutions的AI服務器電源單元采用，深感榮幸。這次采用的GaN HEMT具有行業先進的開關性能
，而且使用的是散熱性優異的TOLL封裝
，有助於Murata Power Solutions的電源單元實現更高功率密度和更高效率。另外
，在“通過電子產品為社會做貢獻”方麵，Murata Power Solutions與(yu)羅(luo)姆(mu)的(de)經(jing)營(ying)願(yuan)景(jing)一(yi)致(zhi)，我(wo)們(men)希(xi)望(wang)未(wei)來(lai)也(ye)繼(ji)續(xu)與(yu)村(cun)田(tian)製(zhi)作(zuo)所(suo)合(he)作(zuo)
，雙(shuang)方(fang)共(gong)同(tong)促(cu)進(jin)電(dian)源(yuan)的(de)小(xiao)型(xing)化(hua)和(he)效(xiao)率(lv)提(ti)升(sheng)，並(bing)為(wei)人(ren)們(men)豐(feng)富(fu)多(duo)彩(cai)的(de)生(sheng)活(huo)貢(gong)獻(xian)力(li)量(liang)。

關於Murata Power Solutions的AI服務器電源單元

Murata Power Solutions的AC-DC電源“1U前端”係列包括高功率密度Short Version的M-CRPS封裝3.2kW電源“D1U T-W-3200-12-HB4C”（輸出12V版）和“D1U T-W-3200-54-HB4C”（輸出54V版） ，另外還新增了AI服務器用的5.5kW“D1U67T-W-5500-50-HB4C”等產品。Murata Power Solutions的前端電源的轉換效率很高，可以滿足80 Plus Titanium和開放計算產品的最嚴格要求；還支持N+M冗餘工作，可提高係統的可靠性
，因此也適合為最新的GPU服務器供電。不僅能夠為服務器、工作站、存儲係統和通信係統提供可靠性高且效率高的電力
，而且其低矮的1U尺寸還有助於削減係統麵積。

關於羅姆的EcoGaN™

EcoGaN™是通過更大程度地發揮GaN的性能，助力應用產品進一步節能和小型化的羅姆GaN器件
，該係列產品有助於應用產品進一步降低功耗、實現外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數量等。

・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

與本文有關的羅姆官網頁麵

・關於650V耐壓的TOLL封裝GaN HEMT（2025年2月發布時的新聞稿）

https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2025-02-13_news_gan&defaultGroupId=false

・關於羅姆的GaN功率器件（EcoGaN™產品介紹）

https://www.rohm.com.cn/products/gan-power-devices

關於村田製作所

村田製作所是一家全球綜合電子元器件製造商，主要從事以陶瓷為基礎的電子元器件的開發、生產和銷售。致力於通過自主開發並積累的材料開發、流程開發、產品設計

、生產技術、以及支持它們的軟件和分析、評估等技術基礎
，村田製作所創造出獨具創新的產品
，為電子社會的發展做出貢獻。

了解更多信息，請訪問村田製作所官網（https://corporate.murata.com/zh-cn/）。

關於羅姆

羅姆是成立於1958年的半導體電子元器件製造商。通過鋪設到全球的開發與銷售網絡，為汽車和工業設備市場以及消費電子、通信等眾多市場提供高品質和高可靠性的IC、分立半導體和電子元器件產品。

在羅姆自身擅長的功率電子領域和模擬領域

，羅姆的優勢是提供包括碳化矽功率元器件及充分地發揮其性能的驅動IC、以及晶體管
、二極管
、電阻器等外圍元器件在內的係統整體的優化解決方案。

了解更多信息
，請訪問羅姆官網（https://www.rohm.com.cn/）。