【導讀】總之
，來自離線開關電源開關節點的100fF電容會導致超出規範要求的EMIqianming。zhezhongdianrongliangzhixujishengyuanjianbiankeqingsongshixian，liruduiloujilianjiejinxingluyou，shiqikaojinshuruyinxian。tongchangketongguogaishanjianjuhuopingbilaijiejuegaiwenti。yaoxianghuodegengdashuaijian，xuyaozengjialvbohuojianhuandianluboxing。

在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白，隻有處理好它們才能獲得符合EMI標準的電源。

從開關節點到輸入引線的少量寄生電容（100毫微微法拉)會讓您無法滿足電磁幹擾(EMI)需求。那100fF電容器是什麼樣子的呢？在Digi-Key中，這種電容器不多。即使有，它們也會因寄生問題而提供寬泛的容差。

不過，在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。隻有處理好它們才能獲得符合EMI標準的電源。

圖1是這些非計劃中電容的一個實例。圖中的右側是一個垂直安裝的FET，所帶的開關節點與鉗位電路延伸至了圖片的頂部。輸入連接從左側進入，到達距漏極連接1cm以內的位置。這就是故障點，在這裏FET的開關電壓波形可以繞過EMI濾波器耦合至輸入。

圖1. 開關節點與輸入連接臨近，會降低EMI性能

zhuyi

，loujilianjieyushuruyinxianzhijianyouyixieyoushurudianrongqitigongdepingbi。gaidianrongqidewaikelianjiezhizhujiedi，keweigongmodianliutigongfanhuizhujiedidelujing。rutu2所示，這個微小的電容會導致電源EMI簽名超出規範要求。

圖2. 寄生漏極電容導致超出規範要求的EMI性能

這是一條令人關注的曲線，因為它反映出了幾個問題：明顯超出了規範要求的較低頻率輻射、共模問題通常很明顯的1MHz至2MHz組件，以及較高頻率組件的衰減正弦(x)/x分布。

需要采取措施讓輻射不超出規範。我們利用通用電容公式將其降低了：

C = ε ˙ A/d

我們無法改變電容率(ε)，而且麵積(A)也已經是最小的了。不過
，我們可以改變間距(d)。如圖3所示
，我們將組件與輸入的距離延長了3倍。最後

，我們采用較大接地層增加了屏蔽。

圖3. 這個修改後的布局不僅可增加間距，而且還可帶來屏蔽性能

圖4是修改後的效果圖。我們在故障點位置為EMI規範獲得了大約6dB的裕量。此外，我們還顯著減少了總體EMI簽qian名ming。所suo有you這zhe些xie改gai善shan都dou僅jin僅jin是shi因yin為wei布bu局ju的de調tiao整zheng

，並bing未wei改gai變bian電dian路lu。如ru果guo您nin的de電dian路lu具ju有you高gao電dian壓ya開kai關guan並bing使shi用yong了le屏ping蔽bi距ju離li
，您nin需xu要yao非fei常chang小xiao心xin地di對dui其qi進jin行xing控kong製zhi。

圖4. EMI性能通過屏蔽及增加的間距得到了改善

總之，來自離線開關電源開關節點的100fF電容會導致超出規範要求的EMIqianming。zhezhongdianrongliangzhixujishengyuanjianbiankeqingsongshixian，liruduiloujilianjiejinxingluyou，shiqikaojinshuruyinxian。tongchangketongguogaishanjianjuhuopingbilaijiejuegaiwenti。yaoxianghuodegengdashuaijian
，xuyaozengjialvbohuojianhuandianluboxing。

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