中心議題：

• 逆變H橋IGBT單管驅動+保護詳解

解決方案：

• 采用的IGBT為IXYS的，IXGH48N60B3D1
• 串聯一個電阻做0FF關閉時候的柵極電阻

這幾天沉下心來專門給逆變器的後級，也就是大家熟悉的H橋電路換上了IGBT管子
，用來深入了解相關的特性。

大家都知道，IGBT單管相當的脆弱，同樣電流容量的IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋裏頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT上去，可能開機帶載就炸了。這一點很多人估計都深有體會。當時我看到做魚機的哥們用FGH25N120AND這個，反映很容易就燒了，當時不以為然。

隻到我在工作中遇到，一定要使用IGBT的時候，我才發現我錯了，當初我非常天真的認為
，一個IRFP460,20A/500V的MOSFET，我用個SGH40N60UFD40A/600V的IGBT上去怎麼樣也不會炸的吧，實際情況卻是，帶載之後，突然加負載和撤銷負載，幾次下來就炸了

，我以為是電路沒有焊接好，然後同樣的換上去，照樣炸掉，這樣白白浪費了好多IGBT。

後來發現一些規律

，就是采用峰值電流保護的措施就能讓IGBT不會炸，下麵我就會將這些東西一起詳細的說一說，說的不好請大家見諒，這個帖子會慢慢更新
，也希望高手們多多提出意見。

我們將這個問題看出幾個部分來解決：

1
，驅動電路；

2，電流采集電流
；

3
，保護機製；

一、驅動電路

這次采用的IGBT為IXYS的

，IXGH48N60B3D1，詳細規格書如下：IXGH48N60B3D1

驅動電路如下： 這是一個非常典型的應用電路，完全可以用於IGBT或者MOSFET
，但是也有些不一樣的地方。

1

，有負壓產生電路

，

2，隔離驅動，

3，單獨電源供電。

首先我們來總體看看，這個電路沒有保護，用在逆變上100%炸
，但是我們可以將這個電路的實質摸清楚。

先講講重點：

1：驅動電阻R2
，這個在驅動裏頭非常重要
，圖上還有D1配合關閉的時候，讓IGBT的CGE快速的放電，實際上看需要，這個D1也可以不要，也可以在D1回路裏頭串聯一個電阻做0FF關閉時候的柵極電阻。
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下麵發幾個波形照片，不同的柵極電阻
，和高壓HV+400V共同產生作用的時候，上下2個IGBT柵極的實際情況。 上麵的圖
，是在取消負壓的時候，上下2管之間的柵極波形，柵極電阻都是在10R情況下。

上麵的圖是在不加DC400V情況下測量2管G極波形
，下圖是在DC400V情況下，2管的柵極波形。

為何第二個圖會有一個尖峰呢。這個要從IGBT的內部情況說起，簡單來說，IGBT的GE上有一個寄生的電容，它和另外的CGC一個寄生電容共同組成一個水池子
，那就是QG，其實這個和MOSFET也很像的。

那麼在來看看為何400V加上去
，就會在下管上的G級上產生尖峰。借花獻佛，抓個圖片來說明： 如上圖所示，當上官開通的時候，此時是截止的
，由於上官開通的時候
，這個時候要引入DV/DT的概念，這個比較抽象，先不管它，簡單通俗的說就是上管開通的時候，上管等效為直通了，+DC400V電壓立馬加入到下管的C級上，這麼高的電壓立刻從IGBT的寄生電容上通過產生一個感應電流
，這個感應電流上圖有公式計算，這個電流在RG電(dian)阻(zu)和(he)驅(qu)動(dong)內(nei)阻(zu)的(de)共(gong)同(tong)作(zuo)用(yong)下(xia)，在(zai)下(xia)管(guan)的(de)柵(zha)極(ji)上(shang)構(gou)成(cheng)一(yi)個(ge)尖(jian)峰(feng)電(dian)壓(ya)，如(ru)上(shang)麵(mian)那(na)個(ge)示(shi)波(bo)器(qi)的(de)截(jie)圖(tu)所(suo)示(shi)。到(dao)目(mu)前(qian)為(wei)止(zhi)，沒(mei)有(you)引(yin)入(ru)米(mi)勒(le)電(dian)容(rong)的(de)概(gai)念(nian)，理(li)解(jie)了(le)這(zhe)些(xie)，然(ran)後(hou)對(dui)著(zhe)規(gui)格(ge)書(shu)一(yi)看(kan)，米(mi)勒(le)電(dian)容(rong)是(shi)什(shen)麼(me)，對(dui)電(dian)路(lu)有(you)何(he)影(ying)響(xiang)，就(jiu)容(rong)易(yi)理(li)解(jie)多(duo)了(le)。