功率晶體管液浸冷卻的技術特征：

• 冷卻性能提高至2倍以上
• 緩和芯片的應力

功率晶體管液浸冷卻技術的應用範圍：

• 馬達驅動等多種應用領域

鬆下宣布，開發出了將功率晶體管直接浸入液體冷卻的技術（下稱直接液浸冷卻技術）。可在減壓的封裝內封入半導體芯片和液體，利用溫度稍有上升，液體就會沸騰氣化而吸熱的作用來直接冷卻半導體芯片表麵。

鬆下在發布時表示，GaN功率晶體管等新一代功率晶體管與此前的Si類lei晶jing體ti管guan相xiang比bi，雖sui具ju有you可ke小xiao型xing化hua的de特te點dian，但dan但dan也ye存cun在zai封feng裝zhuang內nei部bu容rong易yi封feng閉bi熱re量liang的de課ke題ti。而er此ci次ci的de技ji術shu通tong過guo在zai減jian壓ya封feng裝zhuang內nei將jiang半ban導dao體ti芯xin片pian浸jin入ru液ye體ti，可ke冷leng卻que發fa熱re部bu的de半ban導dao體ti芯xin片pian表biao麵mian。與yu以yi往wang不bu封feng入ru液ye體ti的de封feng裝zhuang相xiang比bi
，能neng夠gou將jiang功gong率lv晶jing體ti管guan的de溫wen度du上shang升sheng降jiang低di到dao一yi半ban以yi下xia。這zhe樣yang就jiu加jia大da了le向xiang消xiao費fei類lei產chan品pin的de馬ma達da驅qu動dong等deng多duo種zhong應ying用yong領ling域yu擴kuo展zhan的de可ke能neng性xing。

冷卻性能提高至2倍以上

此次開發的直接液浸冷卻技術主要有以下兩個特點。第一是通過對半導體芯片表麵的直接冷卻，使冷卻性能提高到了2倍以上。原來的封裝構造隻冷卻半導體芯片背麵。而此次的技術可冷卻芯片的兩麵。

並bing且qie，在zai直zhi接jie浸jin入ru冷leng卻que液ye體ti的de芯xin片pian表biao麵mian上shang，因yin封feng裝zhuang內nei已yi減jian壓ya，芯xin片pian的de溫wen度du隻zhi要yao稍shao有you上shang升sheng，靠kao近jin芯xin片pian的de液ye體ti就jiu會hui沸fei騰teng氣qi化hua而er吸xi收shou周zhou圍wei的de熱re量liang。這zhe樣yang即ji可ke強qiang力li冷leng卻que芯xin片pian表biao麵mian。另ling外wai，因yin封feng入ru液ye體ti采cai用yong乙yi醇chun，還hai可ke降jiang低di半ban導dao體ti芯xin片pian的de腐fu蝕shi。

緩和芯片的應力

diergetedianshiliyonggaorouruanxingzhanhejilaigudingbandaotixinpian，huanhelefareshixinpiandeyingli。zaifengzhuangneigudingxinpian，yuanlaicaiyongdaorelvgaodehanxi。danhanxijuyoujianying、不易變形的性質
，因此在芯片發熱而導致封裝膨脹時，會對芯片產生拉伸等應力。

而此次通過采用比焊錫要柔軟的Ag膏作為粘合劑，降低了芯片上發生的應力。直接液浸冷卻技術可使芯片表麵得到強力冷卻
，因此能夠選擇導熱率低的材料來固定芯片。