采用額外的肖特基二極管減少幹擾
發布時間:2020-11-10 來源:Frederik Dostal 責任編輯:wenwei
【導讀】在負載點(POL)降壓轉換器領域,同步變化的高邊和低邊有源開關已被廣泛使用。圖1顯xian示shi了le具ju有you理li想xiang開kai關guan的de此ci類lei電dian路lu。與yu使shi用yong無wu源yuan肖xiao特te基ji二er極ji管guan作zuo為wei低di邊bian開kai關guan的de架jia構gou相xiang比bi,此ci類lei開kai關guan穩wen壓ya器qi具ju有you多duo項xiang優you勢shi。主zhu要yao優you勢shi是shi電dian壓ya轉zhuan換huan效xiao率lv更geng高gao,因yin為wei與yu采cai用yong無wu源yuan二er極ji管guan的de情qing況kuang相xiang比bi,低di端duan開kai關guan承cheng載zai電dian流liu時shi的de壓ya降jiang更geng低di。
但是,與異步開關穩壓器相比,同步降壓轉換器會產生更大的幹擾。如果圖1zhongdelianggelixiangkaiguantongshidaotong,jishishijianhenduan,yehuifashengcongshurudianyadaodideduanlu。zhehuisunhuaikaiguan。bixuquebaolianggekaiguanyongyuanbuhuitongshidaotong。yinci,chuyuanquankaolv,xuyaozaiyidingshijianneibaochilianggekaiguandouduankai。zhegeshijianchengweikaiguanwenyaqidesiqushijian。danshi,congkaiguanjiediandaoshuchudianyalianjieleyigezailiudiangan(L1)。tongguodiangandedianliuyongyuanbuhuifashengshunjianbianhua。dianliuhuilianxuzengjiahejianshao,dantayongyuanbuhuitiaobian。yinci,zaisiqushijianneihuichanshengwenti。suoyoudianliulujingzaikaiguanjiediancezhongduan。caiyongtu1所(suo)示(shi)的(de)理(li)想(xiang)開(kai)關(guan),在(zai)死(si)區(qu)時(shi)間(jian)內(nei)會(hui)在(zai)開(kai)關(guan)節(jie)點(dian)處(chu)產(chan)生(sheng)負(fu)無(wu)窮(qiong)大(da)的(de)電(dian)壓(ya)。在(zai)實(shi)際(ji)開(kai)關(guan)中(zhong),電(dian)壓(ya)負(fu)值(zhi)將(jiang)變(bian)得(de)越(yue)來(lai)越(yue)大(da),直(zhi)到(dao)兩(liang)個(ge)開(kai)關(guan)中(zhong)的(de)一(yi)個(ge)被(bei)擊(ji)穿(chuan)並(bing)允(yun)許(xu)電(dian)流(liu)通(tong)過(guo)。

圖1.用於降壓轉換、采用理想開關的同步開關穩壓器。
大多數開關穩壓器使用N溝道MOSFET作為有源開關。這些開關針對上述情況具有非常有優勢的特性。除了具有本身的開關功能外,MOSFET還具有所謂的體二極管。半導體的源極和漏極之間存在一個P-N結。在圖2中,插入了具有相應P-N結的MOSFET。由此,即使在死區時間內,開關節點的電壓也不會下降到負無窮大,而是通過低端MOSFET中的P-N結(如紅色所示)承載電流,直到死區時間結束並且低端MOSFET導通為止。

圖2.用於降壓轉換的同步開關穩壓器,采用N溝道MOSFET和額外的肖特基二極管,可最大限度地減少幹擾。
相應MOSFET中的體二極管有一個主要缺點。由於反向恢複現象,其開關速度非常低。在反向恢複時間內,電感(L1)daozhikaiguanjiedianchudedianyaxiajiangdaobididianyadijifu。kaiguanjiedianchudezhexiedouqiaodefudianyafengzhihuidaozhiganrao,ciganraohuibeirongxingouhedaoqitadianluduan。tongguocharuewaidexiaotejierjiguankeyizuidaxiandudijianshaozhezhongganrao,rutu2所示。與低端MOSFET中zhong的de體ti二er極ji管guan不bu同tong,它ta不bu會hui產chan生sheng反fan向xiang恢hui複fu時shi間jian,並bing且qie在zai死si區qu時shi間jian開kai始shi時shi能neng非fei常chang快kuai速su地di吸xi收shou電dian流liu。這zhe可ke減jian緩huan開kai關guan節jie點dian處chu的de電dian壓ya陡dou降jiang。可ke減jian少shao由you於yu耦ou合he效xiao應ying而er產chan生sheng並bing分fen布bu到dao電dian路lu上shang的de幹gan擾rao。
肖特基二極管可以設計得非常緊湊,因為它僅在死區時間內短時間承載電流。因此,其溫升不會過高,可以放置在小尺寸、低成本的產品外殼中。
作者簡介
Frederik Dostal曾就讀於德國埃爾蘭根-紐倫堡大學微電子學專業。他於2001年開始工作,涉足電源管理業務,曾擔任多種應用工程師職位,並在亞利桑那州鳳凰城工作了四年,負責開關模式電源。Frederik於2009年加入ADI公司,擔任歐洲分公司的電源管理技術專家。聯係方式:frederik.dostal@analog.com。
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