富士通研究所利用使用氮化镓（GaN）的高電子遷移率晶體管（HEMT），開發出了支持毫米波頻段的

、輸出功率為10W的收發模塊技術。

以yi前qian
，要yao想xiang實shi現xian支zhi持chi毫hao米mi波bo頻pin段duan帶dai的de大da功gong率lv收shou發fa模mo塊kuai，為wei了le便bian於yu散san熱re要yao采cai用yong各ge部bu件jian單dan獨du封feng裝zhuang的de模mo塊kuai構gou成cheng，因yin此ci很hen難nan實shi現xian小xiao型xing化hua。另ling外wai
，伴ban隨sui高gao頻pin率lv化hua，模mo塊kuai內nei的de端duan子zi連lian接jie部bu分fen的de損sun失shi也ye增zeng大da
，所suo以yi要yao想xiang支zhi持chi毫hao米mi波bo頻pin段duan是shi非fei常chang困kun難nan。

為了解決這些問題
，富士通研在多層陶瓷基板的收發模塊內設置了可高效散熱的散熱片，使散熱性提高到了原來的5倍，從而實現了10W級別的輸出功率。另外，富士通研還研究出了可降低散熱片部分的高頻損失的大帶寬連接構造
，該構造能以最高40GHz的頻率在模塊內傳輸高頻信號
，以前的最高傳輸頻率隻有20GHz。

憑借上述技術，收發模塊的尺寸減小到了12mm×36mm×3.3mm，與原來多個封裝組合在一起的模塊相比，大小還不到原來的1/20。通過單一封裝即可實現大功率收發功能，有助於削減雷達設備及無線通信設備的尺寸。

該技術的詳細情況已在2013年6月2日於美國西雅圖開幕的微波國際學會“IEEE MTT 2013 International Microwave Symposium（IMS2013）”上發表。

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