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針對高壓應用優化寬帶隙半導體器件

自從寬帶隙材料被引入各種製造技術以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導體器件就可以實現高效率。為了優化可控製造技術，可以使用特定的導通電阻來控製係統中的大部分功率器件。對於功率 MOSFET，導通電阻仍然是優化和摻雜其單元設計的關鍵參數。電導率的主要行業標準是材料技術中的特定導通電阻與擊穿電壓（R sp與 V BD ）。

2023-04-13
知名半導體芯片製造企業——揚州晶新微電子參展CITE2023

揚州晶新微電子有限公司是一家專業從事半導體芯片設計與製造的企業，在功率器件和高頻小信號芯片生產製造方麵深耕多年，具有悠久的曆史，前身可追溯到60年代成立的國營“揚州晶體管廠”，在半導體行業具有廣泛的影響力。

2023-03-21
功率器件動態參數測試係統選型避坑指南

“ 動態特性是功率器件的重要特性，在器件研發、係統應用和學術研究等各個環節都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態參數進行測試是相關工作的必備一環，主要采用雙脈衝測試進行。”

2023-03-03
第三代半導體功率器件在汽車上的應用

目前碳化矽(SiC)在車載充電器(OBC)已經得到了普及應用，在電驅的話已經開始逐步有企業開始大規模應用，當然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差距，主要是因為SiC的襯底良率還有長晶的速度很慢導致成本偏高。隨著工藝的改進，這些都會得到解決。

2023-02-21
RS瑞森半導體LLC恒流方案的應用市場

首先介紹芯片具有的特性：RSC6105S係列芯片是適用於LLC諧振拓撲，帶有半橋驅動恒流控製電路的芯片，最高工作頻率在130KHZ。其中內部集成的模塊包括：邏輯輸入信號處理電路、欠壓檢測電路、過壓保護電路、過溫保護電路、CS反饋信號整流電路、誤差放大器電路、壓控振蕩電路、電流過零檢測電路（ZCD）、電平位移電路等模塊，可以自動設置死區時間，防止高端和低端輸出功率管的同時導通，使方案設計更簡單可靠，同時對功率器件的選擇精度放寬，便於備料。該係列芯片還具備開路保護、短路保護、過溫保護等保護功能。

2023-02-17
有源鉗位技術解析

在風電、光伏、新能源汽車、工業變頻等大功率應用場合，主電路中母線電容到功率器件間存在較大雜散電感 (幾十到幾百nH)。功率器件在關斷時，由於雜散電感Ls的存在，通過Ls*di/dt感應產生浪湧電壓，此感應高電壓與前端母線電容電壓方向一致，因此功率器件兩端疊加的電壓尖峰會超過母線電壓，在過流或短路發生時甚至可能會超過功率器件的耐受電壓而導致損壞。功率器件保護方式有RC吸收回路、軟開關以及飽和壓降檢測限流等，其中RC吸(xi)收(shou)回(hui)路(lu)具(ju)有(you)以(yi)犧(xi)牲(sheng)回(hui)路(lu)效(xiao)率(lv)為(wei)代(dai)價(jia)，同(tong)時(shi)可(ke)能(neng)帶(dai)來(lai)吸(xi)收(shou)回(hui)路(lu)溫(wen)度(du)過(guo)高(gao)的(de)風(feng)險(xian)。有(you)源(yuan)鉗(qian)位(wei)可(ke)以(yi)直(zhi)接(jie)加(jia)在(zai)驅(qu)動(dong)回(hui)路(lu)裏(li)麵(mian)，通(tong)過(guo)延(yan)緩(huan)驅(qu)動(dong)關(guan)斷(duan)來(lai)吸(xi)收(shou)浪(lang)湧(yong)能(neng)量(liang)，能(neng)夠(gou)有(you)效(xiao)減(jian)小(xiao)尖(jian)峰(feng)電(dian)壓(ya)起(qi)到(dao)保(bao)護(hu)作(zuo)用(yong)，因(yin)此(ci)有(you)源(yuan)鉗(qian)位(wei)方(fang)案(an)具(ju)有(you)占(zhan)用(yong)麵(mian)積(ji)小(xiao)、成本低、響應速度快、可靠性高等優點。

2023-01-13
碳化矽器件動態特性測試技術剖析

提到動態特性，大家的第一反應一定是開關特性，這確實是功率器件dechuantonghexindongtaitexing。youyuqishishoudaoqijianzishencanshuyingxiangde，guqijianyanfarenyuankeyigenjukaiguanboxingpingguqijiandetexing，bingyouzhenduixingdijinxingyouhua。lingwai，dianyuangongchengshihaikeyijiyuceshijieguoduiqudongdianluhegonglvdianlushejijinxingpingguheyouhua。

2023-01-10
車規碳化矽功率模塊 - 襯底和外延篇

中國汽車工業協會最新數據顯示，2022年1月至11月，新能源汽車產銷分別完成625.3萬輛和606.7萬輛，同比均增長1倍，市場占有率達到25%。由此可見新能源汽車的發展已經進入了快車道。在這裏我們注意到，由於裏程焦慮和快速充電的要求，800V 電池母線係統獲得了不少的OEM或者Tier1的青睞。談到800V母線係統，讓我們聚焦到其中的核心功率器件碳化矽功率模塊，由於碳化矽得天獨厚的優勢，使得它非常適合用來製造高耐壓、高結溫、高速的MOSFET，這三高恰好契合了800V母線係統對於核心的功率器件的要求。安森美(onsemi)非常看好800V母線係統的發展，有一些研究機構，預測截至到2026年，SiC在整個功率器件市場的占比將達到12%以上。

2023-01-10
電動車快速直流充電：常見的係統拓撲結構和功率器件

直流快速充電（以下簡稱“DCFC”）在消除電動車采用障礙方麵的作用是顯而易見的。對更短充電時間的需求推動近400千瓦的高功率電動車快充進入市場。本博客將講述典型的電源轉換器拓撲結構和用於DCFC的AC-DC和DC-DC的功率器件的概況。

2023-01-06
OBC DC/DC SiC MOSFET驅動選型及供電設計要點

新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V係統要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開關頻率。碳化矽（SiC）作為第三代半導體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優點，更適合車載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控製器等應用場景高頻驅動和高壓化的技術發展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點，介紹了車載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場景，並針對SiC MOSFET的特性推薦了驅動芯片方案。最後，本文根據SiC MOSFET驅動對供電的特殊要求，對不同供電設計方案的優劣勢進行了分析。

2023-01-05
RS瑞森半導體碳化矽二極管在光伏逆變器的應用

碳化矽 (SiC) 是一種由矽 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬於寬帶隙 (WBG) 材料係列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩定性。寬帶隙和高熱穩定性允許 SiC器件在高於矽的結溫下使用，甚至超過 200°C。碳化矽在功率應用中的主要優勢是其低漂移區電阻，這是高壓功率器件的關鍵因素。

2022-12-30
氮化镓柵極驅動專利：RC負偏壓關斷技術之鬆下篇

鬆下與英飛淩曾共同研發了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產品。對於其柵極驅動IC，如上期所介紹的，英飛淩對其GaN EiceDRIVER™ IC已布局有核心專利；而鬆下在這一技術方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負壓關斷方案。

2022-12-22

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