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華潤微總裁李虹：中國半導體市場下滑趨勢有到底跡象！
6月17日，在廣州南沙召開的第二屆中國•南沙國際集成電路產業論壇（2023 IC NANSHA）上，國內IDM大廠華潤微（SH688396）總裁李虹在演講中表示，中國半導體市場規模在過去的一年當中，增速弱於全球，呈現周期性衰退，但下滑趨勢有到底跡象。
2023-07-24
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工程師必須知道的大電流單通道柵極驅動器設計技巧
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅動器，內置電流隔離功能，用於在高功率應用中實現高係統效率和可靠性。其特性包括：互補輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（1686908889869977.png）和就緒 (RDY) 輸出，複位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護 (DESAT)，去飽和情況下軟關斷，拉電流 (OUTH) 和灌電流 (OUTL) 分離驅動輸出（僅限 NCD(V)57000），精確欠壓閉鎖 (UVLO)，低傳播延遲（最大值90 ns）和小脈衝失真（最大值25 ns），較高的共模瞬變抗擾度 (CMTI)——在 VCM = 1500 V條件下可承受 100kV/us（最小值），輸入信號範圍涵蓋 5 V 和 3.3 V，輸出差分偏置電壓（VDD2-VEE2）最高 25 V（最大值），VDD2 額定值為 25 V（最大值），VEE2 額定值為 -10 V（最大值）。NCD(V)5700x 提供 5 kVrms 電流隔離和 1.2 kV 工作電壓能力，輸入和輸出之間的爬電距離保證至少 8 mm。寬體 SOIC-16 封裝滿足增強型安全絕緣要求。
2023-07-21
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LM358的工作電壓範圍
手邊有一堆之前購買到的 LM358 低功耗雙運放 IC 芯片。下麵計劃對其基本功能進行測試。這是在麵包板上搭建的一個振蕩電路。電路輸出方波和三角波。應用 LM358 其中的一個運放，R1，R2 正反饋網絡使得LM358形成斯密特特性的比較器。R3, C1 構成負反饋，形成多諧振蕩器。這是測量電路工作波形。藍色信號是 LM358的輸出，青色波形是 C1 電容上的充放電波形。振蕩頻率為 1.826kHz。xiamianyingyongzhegedianlulaicelianglianggetexing。yigeshizhendangdianlusuizhegongzuodianyabianhua，duiyingdepinlvbianhua。lingwaiyigeshigaidianludezuidagongzuodianyashiduoshao。xiamianrangwomenkanyixiaceliangdejieguo。
2023-07-20
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安森美與博格華納擴大碳化矽戰略合作， 協議總價值超10億美元
智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創新可持續的車行方案的全球領先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化矽（SiC）方麵的戰略合作，協議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產品領域開展戰略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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安森美引領行業的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術優勢
本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術優勢，提供有關如何使用在線工具和可用功能的更多詳細信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模(mo)型(xing)有(you)關(guan)的(de)基(ji)礎(chu)知(zhi)識(shi)，接(jie)下(xia)來(lai)介(jie)紹(shao)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)提(ti)取(qu)技(ji)術(shu)和(he)寄(ji)生(sheng)效(xiao)應(ying)影(ying)響(xiang)的(de)詳(xiang)細(xi)信(xin)息(xi)，並(bing)介(jie)紹(shao)虛(xu)擬(ni)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)環(huan)境(jing)的(de)概(gai)念(nian)和(he)優(you)勢(shi)。該(gai)虛(xu)擬(ni)環(huan)境(jing)還(hai)可(ke)用(yong)來(lai)研(yan)究(jiu)係(xi)統(tong)性(xing)能(neng)對(dui)半(ban)導(dao)體(ti)工(gong)藝(yi)變(bian)化(hua)的(de)依(yi)賴(lai)性(xing)。最(zui)後(hou)，本(ben)文(wen)詳(xiang)細(xi)介(jie)紹(shao)對(dui)軟(ruan)硬(ying)開(kai)關(guan)皆(jie)適(shi)用(yong)的(de) PLECS 模型以及相關的影響。總結部分闡明了安森美工具比業內其他用於電力電子係統級仿真的工具更精確的原因。
2023-07-19
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具有更高效率與優勢的碳化矽技術
碳化矽（SiC）技術具有比傳統的矽（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等(deng)技(ji)術(shu)具(ju)有(you)更(geng)多(duo)優(you)勢(shi)，包(bao)括(kuo)更(geng)高(gao)的(de)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)，更(geng)低(di)的(de)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(du)，更(geng)高(gao)的(de)電(dian)流(liu)和(he)電(dian)壓(ya)容(rong)量(liang)，以(yi)及(ji)更(geng)低(di)的(de)損(sun)耗(hao)，進(jin)而(er)可(ke)以(yi)實(shi)現(xian)更(geng)高(gao)的(de)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發展趨勢與在儲能係統（ESS）上的應用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。
2023-07-19
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貿澤電子第六次斬獲Molex年度全球優質服務代理商獎
2023年7月19日 – 提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) ，宣布榮獲全球電子產品知名企業和連接創新者Molex頒發的2022年度全球優質服務（目錄）代理商獎。這也是貿澤第六次斬獲這一全球知名獎項，貿澤憑借2022年度全球客戶數大幅增長，以及增速迅猛的銷售業績而獲此殊榮。
2023-07-19
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貿澤電子為設計工程師提供豐富多樣的技術電子書
專注於推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 代理商™貿澤電子 (Mouser Electronics) 發布了三本與設計相關的新電子書，深入開展一係列技術探討，包括城市空中運輸電動交通工具的未來、車隊遠程信息處理設計，以及下一代係統架構的進展。
2023-07-18
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PFC電路：死區時間理想值的考量
由於該電路是進行同步整流工作的電路，所以我們通過仿真來探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區時間理想值，即不直通的最短時間。死區時間可以通過仿真工具的PWM控製器參數TD1（HS）和TD2（LS）來分別設置。
2023-07-18
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計算DC-DC補償網絡的分步過程
本文旨在幫助設計人員了解DC-DC補償的工作原理、補償網絡的必要性以及如何使用正確的工具輕鬆獲得有效的結果。該方法使用LTspice®中的一個簡單電路，此電路基於電流模式降壓轉換器的一階（線性）模型1。使用此電路，無需執行複雜的數學計算即可驗證補償網絡值。
2023-07-17
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導體器件感到興奮，但矽基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時候都更加重要。在我們10月份發布的電動汽車電力電子報告[2]中，TechInsights預測，xEV輕型汽車動力總成的產量將從2020年的910萬增長到2026年的4310萬，這使得其複合年增長率(CAGR)達到25%。SiC MOSFET目前預計占市場的約26%，到2029年預計將占市場份額的50%。
2023-07-16
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態特性分析
SiC MOSFET zaigonglvbandaotishichangzhongzhengxunsupuji，yinweitazuichudeyixiekekaoxingwentiyidedaojiejue，bingqiejiaweiyidadaofeichangyouxiyinlideshuiping。suizheshichangshangdeqijianyuelaiyueduo，bixulejie SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本係列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態係統的一部分，還將提供 NCP51705（用於 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第一部分，將重點介紹安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的靜態特性。
2023-07-13
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