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測試共源共柵氮化镓 FET

Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件gengzaojinrushichang，yinweitakeyitigongchangguancaozuobingjuyougengkuandezhajiqudongdianyafanwei。raner，dianlushejirenyuanfaxiangaiqijianzaishijidianluzhongshiyongqilaibingbunamerongyi，yinweitahenrongyifashengzhendang，bingqieqiqijiantexinghennanceliangbinghuodekezhongfudetiqu。xuduoshejirenyuanzaidianluzhongshiyongdazhajidianzushibixujianmanqijiandeyunxingsudu，zhejiangdileshiyongkuaisu GaN 功率器件的優勢。

2024-04-07
雙脈衝測試（DPT）的方法解析

雙脈衝測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBT在(zai)兩(liang)電(dian)平(ping)橋(qiao)式(shi)電(dian)路(lu)中(zhong)應(ying)用(yong)為(wei)例(li)，如(ru)下(xia)圖(tu)，通(tong)過(guo)調(tiao)節(jie)直(zhi)流(liu)母(mu)線(xian)電(dian)壓(ya)和(he)第(di)一(yi)個(ge)脈(mai)衝(chong)持(chi)續(xu)時(shi)間(jian)，可(ke)以(yi)在(zai)第(di)一(yi)個(ge)脈(mai)衝(chong)結(jie)束(shu)和(he)第(di)二(er)個(ge)脈(mai)衝(chong)開(kai)始(shi)時(shi)捕(bu)捉(zhuo)到(dao)被(bei)測(ce)器(qi)件(jian)在(zai)任(ren)何(he)所(suo)需(xu)的(de)電(dian)壓(ya)和(he)電(dian)流(liu)條(tiao)件(jian)下(xia)的(de)開(kai)關(guan)瞬(shun)態(tai)行(xing)為(wei)。

2024-03-19
談談SiC MOSFET的短路能力

在電力電子的很多應用，如電機驅動，有時會出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。目前市麵上大部分IGBT都會在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛淩IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而大部分的 SiC MOSFET 都沒有標出短路能力，即使有，也比較短，例如英飛淩的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3us，EASY封裝器件標稱短路時間是2us。

2024-02-01
I-NPC三電平電路的雙脈衝及短路測試方法

雙脈衝測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBT在(zai)兩(liang)電(dian)平(ping)橋(qiao)式(shi)電(dian)路(lu)中(zhong)應(ying)用(yong)為(wei)例(li)，如(ru)下(xia)圖(tu)，通(tong)過(guo)調(tiao)節(jie)直(zhi)流(liu)母(mu)線(xian)電(dian)壓(ya)和(he)第(di)一(yi)個(ge)脈(mai)衝(chong)持(chi)續(xu)時(shi)間(jian)，可(ke)以(yi)在(zai)第(di)一(yi)個(ge)脈(mai)衝(chong)結(jie)束(shu)和(he)第(di)二(er)個(ge)脈(mai)衝(chong)開(kai)始(shi)時(shi)捕(bu)捉(zhuo)到(dao)被(bei)測(ce)器(qi)件(jian)在(zai)任(ren)何(he)所(suo)需(xu)的(de)電(dian)壓(ya)和(he)電(dian)流(liu)條(tiao)件(jian)下(xia)的(de)開(kai)關(guan)瞬(shun)態(tai)行(xing)為(wei)。DPT結果量化了功率器件的開關性能，並為功率變換器的設計（如開關頻率和死區時間的確定、熱管理和效率評估）提供了參考依據，那麼對於三電平電路，雙脈衝測試需要怎麼做呢？

2024-01-24
碳化矽助力實現 PFC 技術的變革

碳化矽（SiC）功率器件已經被廣泛應用於服務器電源、儲能係統和光伏逆變器等領域。近些年來，汽車行業向電力驅動的轉變推動了碳化矽（SiC）應用的增長，也使設計工程師更加關注該技術的優勢，並拓寬其應用領域。

2024-01-03
泰克助力汽車測試及質量監控實現效率和創新最大化

對於功率器件工程師而言，最大限度降低開關損耗是一項嚴峻挑戰，尤其對於那些使用碳化矽 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進材料有望提高效率，但也有其自身的複雜性。測量矽 (Si)、碳化矽 (SiC) 和氮化镓金屬氧化物半導體場效應晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的開關參數，並評估其動態行為的標準方法是雙脈衝測試 (DPT)。

2023-12-05
從 L1~L5 自動駕駛芯片發生了哪些變化？

汽車芯片主要分為功能芯片、功率器件和傳感器三大類。在傳統燃油車中，平均芯片搭載量約為 500-600 顆/輛，而隨著前麵提到的汽車電動化、智能化的演進，平均芯片搭載量已提升至 1000 顆/輛，在新能源車中更是超過了 2000 顆/輛，未來隨著電車智能化的升級，還有望提升至 3000 顆/輛，甚至更多。

2023-12-04
OBC PFC車規功率器件結溫波動與功率循環壽命分析

隨著新能源汽車(xEV)在乘用車滲透率的逐步提升，車載充電機(OBC)作為電網與車載電池之間的單向充電或雙向補能的車載電源設備，也得到了非常廣泛的應用。相比車載主驅電控逆變器，電源類OBC產品複雜度高，如何實現其高功率密度、高可靠性、高效率、高性價比等核心指標的優化與平衡，一直是OBC不斷技術迭代與產品革新的方向。

2023-11-26
上海貝嶺車載逆變電源功率器件解決方案

作為一種電源轉換器，車載逆變電源能夠將儲能電池直流電轉換為220V的交流電，給筆記本電腦、數碼相機、wurenjidengshebeitigongdianneng。qishuchuboxingbaokuoxiuzhengxianbohechunzhengxianboliangzhongleixing，xiuzhengxianbochezainibiandianyuanjiagebianyi，danshuchuboxingzhiliangjiaocha，shiyongyuxiaogonglvyongdianshebei；純正弦波車載逆變電源可提供高質量交流電，適用於大部分用電設備，工作穩定，但價格較貴。

2023-11-23
商業、建築和農業車輛應用中TO-247PLUS分立封裝的回流焊接

今天，功率半導體為很多應用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發熱充分散出去是解決高功率密度設計的關鍵。通過使用IGBT焊接在雙麵覆銅陶瓷板(DCB)上可以幫助減少散熱係統的熱阻，前提是需要IGBT單管封裝支持SMD工藝。本文將展示一種可回流焊接的TO-247PLUS單管封裝，該封裝可將器件芯片到DCB基板的熱阻降至最低。

2023-11-21
氮化镓取代碳化矽，從PI開始？

在功率器件選擇過程中，以氮化镓、碳化矽為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方麵都相較於矽有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓經理Jason Yan日前結合公司新推出的1250V氮化镓(GaN)產品，詳細解釋了三類產品的優劣，以及PI對於三種產品未來的判斷，同時還介紹了PI氮化镓產品的特點及優勢。

2023-11-16
Transphorm氮化镓器件將DAH Solar SolarUnit的傳統優勢發揮到極致

DAH Solar的世界首個集成型光伏（PV）係統采用了Transphorm氮化镓平台，該集成型光伏係統已應用在大恒能源的最新SolarUnit 產品。使用了Transphorm的功率器件不僅能夠生產出更小、更輕、更(geng)可(ke)靠(kao)的(de)太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)板(ban)係(xi)統(tong)，同(tong)時(shi)還(hai)能(neng)以(yi)更(geng)低(di)的(de)能(neng)耗(hao)提(ti)供(gong)更(geng)高(gao)的(de)總(zong)發(fa)電(dian)量(liang)。與(yu)目(mu)前(qian)常(chang)用(yong)的(de)矽(gui)基(ji)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)相(xiang)比(bi)，氮(dan)化(hua)镓(jia)器(qi)件(jian)能(neng)做(zuo)到(dao)更(geng)高(gao)的(de)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)和(he)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)。更(geng)值(zhi)得(de)一(yi)提(ti)的(de)是(shi)，係(xi)統(tong)中(zhong)使(shi)用(yong)的(de)這(zhe)兩(liang)款(kuan)氮(dan)化(hua)镓(jia)功(gong)率(lv)管(guan)均(jun)采(cai)用(yong) PQFN88 高性能封裝，可與常用柵極驅動器配對，從而幫助 DAH Solar 縮短了設計時間。

2023-10-16

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