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遠山半導體發布新一代高壓氮化镓功率器件
氮化镓功率器件因其高速開關能力、gaogonglvmiduhechengbenxiaoyierchengweishichangderemenxuanze。raner,youyugongzuodianyahechangqikekaoxingdezhiyue,zhexieqijiandeqianlibingweidedaochongfenfahui,zhuyaozaixiaofeidianzilingyuneijingzhengjiage。jinqi,suizhegaoyadanhuajiaqijiandeluxutuichu,womenkandaoletamenzaigengguangfanshichangyingyongzhongdeqianli。
2024-11-01
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【泰克先進半導體實驗室】 遠山半導體發布新一代高壓氮化镓功率器件
氮化镓功率器件因其高速開關能力、gaogonglvmiduhechengbenxiaoyierchengweishichangderemenxuanze。raner,youyugongzuodianyahechangqikekaoxingdezhiyue,zhexieqijiandeqianlibingweidedaochongfenfahui,zhuyaozaixiaofeidianzilingyuneijingzhengjiage。jinqi,suizhegaoyadanhuajiaqijiandeluxutuichu,womenkandaoletamenzaigengguangfanshichangyingyongzhongdeqianli。
2024-10-20
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IGBT 還是 SiC ? 英飛淩新型混合功率器件助力新能源汽車實現高性價比電驅
近(jin)幾(ji)年(nian)新(xin)能(neng)源(yuan)車(che)發(fa)展(zhan)迅(xun)猛(meng),技(ji)術(shu)創(chuang)新(xin)突(tu)飛(fei)猛(meng)進(jin)。如(ru)何(he)設(she)計(ji)更(geng)高(gao)效(xiao)的(de)牽(qian)引(yin)逆(ni)變(bian)器(qi)使(shi)整(zheng)車(che)獲(huo)得(de)更(geng)長(chang)的(de)續(xu)航(hang)裏(li)程(cheng)一(yi)直(zhi)是(shi)研(yan)發(fa)技(ji)術(shu)人(ren)員(yuan)探(tan)討(tao)的(de)最(zui)重(zhong)要(yao)話(hua)題(ti)之(zhi)一(yi)。高(gao)效(xiao)的(de)牽(qian)引(yin)逆(ni)變(bian)器(qi)需(xu)要(yao)在(zai)功(gong)率(lv)、效率和材料利用率之間取得適當的平衡。
2024-09-25
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第4講:SiC的物理特性
SiC作為半導體功率器件材料,具有許多優異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比,4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度,可實現高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比,物理特性相似,但在p型器件導通控製和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方麵存在較大差異,4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的製備方麵具有優勢。此外,由於GaN是直接躍遷型半導體,少數載流子壽命較短,因此通過電導調製效應來實現低導通電阻器件的效果並不理想。
2024-09-11
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如何“榨幹”SiC器件潛能?這幾種封裝技術提供了參考範例
隨sui著zhe全quan球qiu對dui可ke再zai生sheng能neng源yuan和he清qing潔jie電dian力li係xi統tong的de需xu求qiu不bu斷duan增zeng長chang,光guang儲chu充chong一yi體ti化hua市shi場chang為wei實shi現xian能neng源yuan的de高gao效xiao利li用yong和he優you化hua配pei置zhi提ti供gong了le創chuang新xin解jie決jue方fang案an。在zai此ci趨qu勢shi引yin領ling下xia,碳tan化hua矽gui(SiC)產業生態正迅速發展,逐漸成為替代傳統矽基功率器件的有力市場競爭者。
2024-09-03
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OBC設計不斷升級,揭秘如何適應更高功率等級和電壓
消費者需求不斷攀升,電動汽車(EV)必須延長續航裏程,方可與傳統的內燃機(ICE)汽車相媲美。解決這個問題主要有兩種方法:在不顯著增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量,或提高主驅逆變器等關鍵高功率器件的運行能效。為應對電子元件導通損耗和開關損耗造成的巨大功率損耗,汽車製造商正在通過提高電池電壓來增加車輛的續航裏程。
2024-08-22
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不斷改進 OBC 設計,適應更高的功率等級和電壓
消費者需求不斷攀升,電動汽車 (EV) 必須延長續航裏程,方可與傳統的內燃機 (ICE) 汽車相媲美。解決這個問題主要有兩種方法:在不顯著增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量,或提高主驅逆變器等關鍵高功率器件的運行能效。
2024-08-08
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第1講:三菱電機功率器件發展史
三菱電機從事功率半導體開發和生產已有六十多年的曆史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機一直致力於功率半導體芯片技術和封裝技術的研究探索,本篇章帶你了解三菱電機功率器件發展史。
2024-08-01
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觀眾登記開啟|elexcon2024深圳國際電子展8月27-29日約您來見,20+重磅活動與數千新品引爆AI+技術生態
elexcon2024深圳國際電子展將於2024年8月27日至29日在深圳會展中心(福田)開幕。展會為電子產業複蘇以及AI時代到來準備好了全棧技術和產品展示,包括AI芯片、嵌入式處理器/MCU/MPU、存儲、智能傳感、RISC-V技術與生態、AIoT方案、無源器件/分立器件、PMIC與功率器件、Chiplet和SiP先進封裝等。
2024-07-18
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意法半導體在意大利打造世界首個一站式碳化矽產業園
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics, 簡稱ST; 紐約證券交易所代碼: STM),宣布將在意大利卡塔尼亞打造一座集8英寸碳化矽(SiC)功率器件和模塊製造、封裝、測(ce)試(shi)於(yu)一(yi)體(ti)的(de)綜(zong)合(he)性(xing)大(da)型(xing)製(zhi)造(zao)基(ji)地(di)。通(tong)過(guo)整(zheng)合(he)同(tong)一(yi)地(di)點(dian)現(xian)有(you)的(de)碳(tan)化(hua)矽(gui)襯(chen)底(di)製(zhi)造(zao)廠(chang),意(yi)法(fa)半(ban)導(dao)體(ti)將(jiang)打(da)造(zao)一(yi)個(ge)碳(tan)化(hua)矽(gui)產(chan)業(ye)園(yuan),實(shi)現(xian)公(gong)司(si)在(zai)同(tong)一(yi)個(ge)園(yuan)區(qu)內(nei)全(quan)麵(mian)垂(chui)直(zhi)整(zheng)合(he)製(zhi)造(zao)及(ji)量(liang)產(chan)碳(tan)化(hua)矽(gui)的(de)願(yuan)景(jing)。新(xin)碳(tan)化(hua)矽(gui)產(chan)業(ye)園(yuan)的(de)落(luo)地(di)是(shi)意(yi)法(fa)半(ban)導(dao)體(ti)的(de)一(yi)個(ge)重(zhong)要(yao)裏(li)程(cheng)碑(bei),將(jiang)幫(bang)助(zhu)客(ke)戶(hu)借(jie)助(zhu)碳(tan)化(hua)矽(gui)在(zai)汽(qi)車(che)、工業和雲基礎設施等領域加速電氣化,提高能效。
2024-06-08
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吉利汽車與意法半導體簽署碳化矽長期供應協議,深化新能源汽車轉型,推動雙方創新合作
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)與全球汽車及新能源汽車龍頭製造商吉利汽車集團(香港交易所代碼: HK0175)宣布,雙方簽署碳化矽(SiC)器(qi)件(jian)長(chang)期(qi)供(gong)應(ying)協(xie)議(yi),在(zai)原(yuan)有(you)合(he)作(zuo)基(ji)礎(chu)上(shang)進(jin)一(yi)步(bu)加(jia)速(su)碳(tan)化(hua)矽(gui)器(qi)件(jian)的(de)合(he)作(zuo)。按(an)照(zhao)協(xie)議(yi)規(gui)定(ding),意(yi)法(fa)半(ban)導(dao)體(ti)將(jiang)為(wei)吉(ji)利(li)汽(qi)車(che)旗(qi)下(xia)多(duo)個(ge)品(pin)牌(pai)的(de)中(zhong)高(gao)端(duan)純(chun)電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)提(ti)供(gong)SiC功率器件,幫助吉利提高電動車性能,加快充電速度,延長續航裏程,深化新能源汽車轉型。此外,吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上,建立創新聯合實驗室,交流與探索在汽車電子/電氣(E/E)架構(如車載信息娛樂、智能座艙係統)、高級駕駛輔助(ADAS)和新能源汽車等相關領域的創新解決方案。
2024-06-06
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使用 GaN IC 離線電源的大容量電容器優化
額定功率75W以下的適配器可細分為:輸入濾波器、二極管整流器、輸入輸出電容器、IC控製器、輔助電源、磁性元件、功率器件和散熱器。集成解決方案在縮小和簡化轉換器方麵已經取得了長足的進步,目前的剩餘組件是磁性元件、輸入“大容量”電容器、輸出電容器和 EMI 輸入級。大量的研究和工程工作集中在高頻交流/直流轉換器設計上,以減小磁性元件的尺寸。然而,輸入大容量電容器占據與適配器內的磁性元件相同或更大的體積。
2024-05-07
- 噪聲中提取真值!瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行!氮矽科技發布集成驅動GaN芯片,助力電源能效再攀新高
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