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讓穩壓電源更“穩”的獨門絕技
開關電源具有三大模塊，隔離變壓器、整流濾波、DC-DC變換網絡。DC-DC變換器無論在哪個電路設計中都是關鍵所在，DC-DC變換器包含脈衝變壓器、儲能器件、濾波電路、輸出整流器、開關器件等功率器件及控製模塊。DC-DC的核心設計是控製模塊。而控製模塊大多使用PWM調製芯片。
2014-10-25
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安捷倫率先推出適用於功率電路設計的功率器件分析儀
安捷倫率先推出首款適用於功率電路設計的功率器件分析儀Agilent B1506A。B1506A 能夠在不同工作條件和 -50 °C 至 +250 °C 溫度範圍內對功率器件參數——Ron、漏電流、Ciss、Coss、Crss 和柵極電荷，進行全麵自動表征，覆蓋高達 1500 A 和 3 kV 的電流和電壓範圍。
2014-05-13
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對於IGBT係統的電路保護新型與傳統型的較量
IGBT作為功率器件廣泛應用於工業控製、電力電子係統等領域。為使我們設計的係統能夠更安全、更可靠的工作，對IGBT的保護顯得尤為重要。那麼新型保護電路與傳統的保護電路又有那些根本上的不同呢？
2014-03-26
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可調直流穩壓電源的工作原理
可(ke)調(tiao)直(zhi)流(liu)穩(wen)壓(ya)電(dian)源(yuan)是(shi)采(cai)用(yong)當(dang)前(qian)國(guo)際(ji)先(xian)進(jin)的(de)高(gao)頻(pin)調(tiao)製(zhi)技(ji)術(shu)，其(qi)工(gong)作(zuo)原(yuan)理(li)是(shi)將(jiang)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)的(de)電(dian)壓(ya)和(he)電(dian)流(liu)展(zhan)寬(kuan)，實(shi)現(xian)了(le)電(dian)壓(ya)和(he)電(dian)流(liu)的(de)大(da)範(fan)圍(wei)調(tiao)節(jie)，同(tong)時(shi)擴(kuo)大(da)了(le)目(mu)前(qian)直(zhi)流(liu)電(dian)源(yuan)供(gong)應(ying)器(qi)的(de)應(ying)用(yong)。直(zhi)流(liu)穩(wen)壓(ya)電(dian)源(yuan)[1]的控製芯片是采用目前比較成熟的進口元件，功率部件采用現國際上最新研製的大功率器件，可調直流穩壓電源設計方案省去了傳統直流電源因工頻變壓器而體積笨重。與傳統電源相比高頻直流電源就較具有體積小、重量輕、xiaolvgaodengyoudian，tongshiyeweidagonglvzhiliudianyuanjianxiaotijichuangzaoletiaojian，cidianyuanyouchenggaopinketiaoshikaiguandianyuan。ketiaozhiliuwenyadianyuanbaohugongnengqiquan，guoya、guoliudiankelianxushezhibingkeyushi，shuchudianyaketongguochukongkaiguankongzhi。jintianwojiuduiqishuoyixiaketiaozhiliuwenyadianyuandegongzuoyuanli，xiwangdajiadounenghaohaodeliulanyixiadeneirong。
2013-12-19
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線性LED驅動IC對比：盤點幾款大功率LED線性驅動
如果你認為線性功率IC功耗太大，不好用，技術落後，那麼你就錯了！本文將幾款IC與高速轉換型DC-DC類型IC進行對比分析，講解線性功率器件IC設計的一些注意要點，並盤點了幾款線性恒流IC以方便大家選型。
2013-11-20
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隔離驅動IGBT功率器件設計技巧八大問
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保護以避免欠壓、米勒效應、缺失飽和、過載、短路造成的損害。本文通過Avago參與的八大問答討論隔離驅動IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
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富士通推出耐壓150V的GaN功率器件產品，品質因數降半
富士通半導體日前宣布，推出可耐壓150 V的基於矽襯底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A。該產品初始狀態是斷開(Normally-off)，相比於同等耐壓規格的矽功率器件，品質因數(FOM)可降低近一半。基於富士通新型GaN功率器件，用戶可以設計出體積更小，效率更高的電源組件。
2013-07-23
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SiC和GaN，新興功率器件如何選？
新興的SiC和GaN功率器件市場未來10年預計增長18倍，主要需求市場是電源、光伏逆變器和工業電機驅動。SiC肖特基二極管已經有10年以上曆史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出現，GaN功率器件更是剛剛才在市場上出現。他們誰會成為未來新興功率器件市場的主角？我們現在應該選用他們嗎？
2013-06-19
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孰優孰劣:氮化镓場效應晶體管VS矽功率器件?
工程師常常認為當應用需要更高電壓時，使用氮化镓場效應晶體管(eGaN FET)在性能方麵才更具優勢。但是，如果隻是考慮開關品質因數，相比先進的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優勢好像減弱了。GaN場效應晶體管與矽功率器件中低壓降壓轉換器應用中的性能到底怎樣？且聽本文細細分解。
2013-05-16
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電源轉換新時代的來臨：IR開始商業裝運GaN器件
IR在業內率先商業付運可大幅提高現有電源轉換係統效率的GaN功率器件，預示著電源效率革命性改善新時代的到來。相比當今最先進的矽功率器件技術，氮化镓技術平台能夠將客戶的電源應用的性能指數(FOM)提升10倍。
2013-05-15
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矽功率MOSFET前景堪憂？
30年前矽功率MOSFET的出現使市場快速接受開關電源，矽功率MOSFET成為很多應用的必選功率器件。近些年來，MOSFET不可避免地進入到性能瓶頸期；然而與此同時，增強型GaN HEMT器件在開關性能和整個器件帶寬有突破性改善，迅速占領市場。矽功率MOSFET在電源轉換領域的發展已經走到盡頭了嗎？
2013-05-15
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第三講：基於MOSFET的高能效電源設計
通過結合改進的電源電路拓撲和概念與改進的低損耗功率器件，開關電源行業在提高功率密度、效率和可靠性方麵，正在經曆革新性發展。MOSFET是中低電壓電源應用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，並無需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能效。
2013-05-14
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