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“芯”榮譽｜喜獲省級認證！镓未來獲評2025年度“廣東省工程技術研究中心”
近日，廣東省科學技術廳正式發布《廣東省科學技術廳關於認定2025年度廣東省工程技術研究中心的通知》。珠海镓未來科技有限公司憑借在氮化镓功率半導體領域的技術創新實力與產業化成果，成功獲批“廣東省氮化镓功率器件可靠性及應用工程技術研究中心”認定。
2026-02-05
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從分立器件到集成模塊，安森美全鏈路提升UPS功率密度與效率
UPS 技術已從初代單一應急供電演進為兼具電能優化、故障防護等多元功能的核心電力設備，低能耗、高可靠性成為新時代發展方向。本文聚焦安森美在線式 UPS 方案，係統解析其“AC-DC-AC”核心架構，並深入闡述碳化矽（SiC）器件、IGBT 器件及功率集成模塊（PIM）等關鍵產品的特性與價值，展現功率器件技術升級對 UPS 係統效率與功率密度提升的核心驅動作用。
2025-12-19
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規避常見“坑”：科學匹配EliteSiC柵極驅動，讓SiC器件發揮極致效能
隨著碳化矽（SiC）功率器件在新能源、工(gong)業(ye)控(kong)製(zhi)等(deng)高(gao)壓(ya)高(gao)頻(pin)場(chang)景(jing)中(zhong)加(jia)速(su)普(pu)及(ji)，其(qi)性(xing)能(neng)潛(qian)力(li)能(neng)否(fou)充(chong)分(fen)發(fa)揮(hui)，高(gao)度(du)依(yi)賴(lai)於(yu)柵(zha)極(ji)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)的(de)精(jing)準(zhun)設(she)計(ji)與(yu)匹(pi)配(pei)。為(wei)此(ci)，本(ben)文(wen)提(ti)供(gong)一(yi)份(fen)針(zhen)對(dui)SiC MOSFET的(de)柵(zha)極(ji)驅(qu)動(dong)器(qi)匹(pi)配(pei)核(he)心(xin)指(zhi)南(nan)，係(xi)統(tong)解(jie)析(xi)如(ru)何(he)在(zai)各(ge)類(lei)高(gao)功(gong)率(lv)主(zhu)流(liu)應(ying)用(yong)中(zhong)，科(ke)學(xue)選(xuan)型(xing)與(yu)設(she)計(ji)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)，有(you)效(xiao)管(guan)控(kong)開(kai)關(guan)過(guo)程(cheng)，從(cong)而(er)顯(xian)著(zhu)降(jiang)低(di)導(dao)通(tong)與(yu)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)，最(zui)大(da)化(hua)提(ti)升(sheng)係(xi)統(tong)的(de)電(dian)壓(ya)、電流效率與整體可靠性。
2025-12-04
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瞄準200mm GaN晶圓：安森美與英諾賽科簽署戰略協議，GaN市場競爭格局生變
為加速氮化镓功率半導體在全球主要市場的普及，安森美與英諾賽科正式確立戰略合作關係。雙方簽署諒解備忘錄，計劃聚焦40V至200V中低壓GaN功率器件，tongguoshendurongheansenmeizaixitongjichengyuxianjinfengzhuangfangmiandezhuanchang，yijiyingnuosaikechengshudezhizaogongyiyuliangchannengli，gongtongkaifagengjuchengbenxiaoyiyunengxiaoyoushidejiejuefangan。cijuzhizaikuaisuxiangyinggongyezidonghua、電動汽車、AI數據中心及5G通信等領域對高效功率器件日益增長的需求，推動GaN技術的大規模商用進程。
2025-12-04
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風電變流器邁入碳化矽時代：禾望電氣集成Wolfspeed模塊實現技術跨越
在風電行業追求更高效率與可靠性的進程中，碳化矽功率器件正成為打破技術天花板的關鍵支點。全球碳化矽技術領航者Wolfspeed（紐約證券交易所代碼：WOLF）與國內可再生能源解決方案提供商禾望電氣（Hopewind）達成深度合作，將先進的2.3 kV LM Pack模塊成功整合至950 Vac風電變流器平台。這一技術融合標誌著風電變流器正式邁入碳化矽時代，為核心部件的高功率密度與低損耗運行提供了全新解決方案。
2025-11-11
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175℃耐溫 + 全係列覆蓋，上海貝嶺高壓電機驅動芯片賦能工業與儲能場景
自 2018 年啟動工控與儲能市場戰略布局以來，上海貝嶺始終聚焦光伏儲能、伺服變頻、工業電源、BMS、電動工具、電動車等核心領域，專注於為客戶打造高性價比的半導體產品及係統解決方案。公司產品矩陣覆蓋電源管理、信號鏈產品、功率器件三大核心領域，依托功率器件、電源管理、接口芯片、隔離器、存儲器、馬達驅動、數據轉換、標準信號八大產品線，成功構建起全麵的模擬與數模混合產品解決方案平台。其中，在高壓電機驅動領域，公司產品覆蓋率已突破 80%。
2025-10-17
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強強聯合：羅姆與英飛淩共推SiC器件封裝兼容方案
全球兩大半導體巨頭——日本的羅姆與德國的英飛淩，正式宣布達成戰略合作。雙方將聚焦於碳化矽功率器件的封裝技術，致力於實現產品封裝的標準化與兼容。此舉旨在為車載電源、可再生能源、儲能及AI數據中心等關鍵領域的客戶，構建一個更具彈性與韌性的供應鏈。未來，客戶可以自由選用兩家公司引腳兼容的SiC產品，顯著簡化設計流程，降低采購風險，並實現快速、無縫的供應商切換。
2025-09-28
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安森美破解具身智能落地難題，全鏈路方案助推機器人產業化
人ren工gong智zhi能neng技ji術shu正zheng經jing曆li革ge命ming性xing突tu破po，特te別bie是shi多duo模mo態tai大da模mo型xing的de快kuai速su發fa展zhan，為wei機ji器qi人ren產chan業ye帶dai來lai了le前qian所suo未wei有you的de機ji遇yu。這zhe些xie技ji術shu進jin步bu不bu僅jin顯xian著zhu提ti升sheng了le機ji器qi人ren的de環huan境jing感gan知zhi和he智zhi能neng決jue策ce能neng力li，更geng重zhong要yao的de是shi正zheng在zai破po解jie人ren形xing機ji器qi人ren規gui模mo化hua量liang產chan的de技ji術shu與yu成cheng本ben瓶ping頸jing。作zuo為wei半ban導dao體ti解jie決jue方fang案an的de領ling先xian提ti供gong商shang，安an森sen美mei憑ping借jie其qi在zai感gan知zhi、控製和功率器件等關鍵環節的全麵布局，為具身智能機器人和自主移動機器人(AMR)提供了完整的硬件解決方案，助力機器人實現從單一功能到多功能協同的智能化飛躍。
2025-09-18
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羅姆半導體亮相上海：SiC與GaN功率器件應用全麵解析
日本京都全球知名半導體製造商羅姆（ROHM Semiconductor）正式確認參展2025年上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia 2025）。本次展會將於9月24日至26日在上海舉行，羅姆將重點展示其在碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件領(ling)域(yu)的(de)最(zui)新(xin)技(ji)術(shu)突(tu)破(po)與(yu)產(chan)品(pin)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)，這(zhe)些(xie)技(ji)術(shu)主(zhu)要(yao)麵(mian)向(xiang)工(gong)業(ye)設(she)備(bei)和(he)汽(qi)車(che)電(dian)子(zi)應(ying)用(yong)領(ling)域(yu)。展(zhan)會(hui)期(qi)間(jian)，羅(luo)姆(mu)還(hai)將(jiang)舉(ju)辦(ban)多(duo)場(chang)專(zhuan)業(ye)技(ji)術(shu)研(yan)討(tao)會(hui)，與(yu)業(ye)界(jie)專(zhuan)家(jia)共(gong)同(tong)探(tan)討(tao)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)技(ji)術(shu)的(de)最(zui)新(xin)發(fa)展(zhan)趨(qu)勢(shi)和(he)創(chuang)新(xin)應(ying)用(yong)。
2025-09-11
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鵬城芯光耀未來：30萬㎡“半導體+光電子”超級盛會，洞見產業融合新紀元
SEMI-e 2025深圳國際半導體展百字速覽 時間地點：2025年9月10-12日，深圳國際會展中心（寶安）。 核心亮點： 雙展融合：聯動CIOE中國光博會，共築30萬㎡“半導體+光電子”生態，超5000家展商、16萬專業觀眾共聚。 國產突破：1000+龍頭企業（紫光展銳、中芯國際、北方華創等）展示先進封裝、SiC/GaN功率器件、工業軟件等核心技術。 精準展區：6大主題聚焦2.5D/3D封裝、CPO光互聯、車載芯片應用，覆蓋設計至製造全鏈。 行業前瞻：20+場峰會深度探討第三代半導體材料、TGV封裝等議題，破解產業瓶頸。 行動指南：一證通行雙展，掃碼免費領取參觀證件，高效對接產業資源。
2025-09-03
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SiC賦能工業充電器：拓撲結構優化與元器件選型實戰指南
隨著工業新能源體係（如電動叉車、分布式儲能、重型工程機械）的快速擴張，電池充電器的高功率密度、高轉換效率、高可靠性已成為剛性需求。傳統IGBT器件因開關速度慢、反向恢複損耗大，難以滿足“小體積、大輸出”的設計目標——而碳化矽（SiC）功率器件的出現，徹底改變了這一局麵。 SiC器件的核心優勢在於極致的開關性能：其開關速度可達IGBT的5-10倍，反向恢複損耗幾乎為零，同時能在175℃以上的高溫環境下穩定工作。這些特性不僅能將充電器的功率密度提升40%以上（相同功率下體積縮小1/3），更關鍵的是，它突破了IGBT對功率因數校正（PFC）拓撲的限製——比如圖騰柱PFC、交錯並聯PFC等新型架構，原本因IGBT的損耗問題無法落地，如今借助SiC得以實現，使充電器的整體效率從92%提升至96%以上。 本文將聚焦工業充電器的拓撲結構優化，結合SiC器件的特性，拆解“如何通過拓撲選型匹配SiC優勢”“元器件（如電容、電感）如何與拓撲協同”等核心問題，為工程師提供可落地的設計指南。
2025-08-29
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安森美iGaN解密：打造300W遊戲電源能效巔峰
當電子設備的性能追求愈發嚴苛，尤其是遊戲等高負載場景下的極致體驗，對電源轉換技術提出了前所未有的挑戰：既要磅礴動力（300W級），又需超高效率與緊湊形態。矽基功率器件日漸觸及物理天花板，這驅使產業目光轉向潛力巨大的氮化镓（GaN）。安森美iGaN技術作為高效能電源的先鋒代表，如何賦能300W遊戲適配器的設計？本文將剖析其核心優勢，並深入探討關鍵設計要素如電源管理、旁路電容等實現高效的關鍵點。
2025-08-22
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
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