晶體的串聯和並聯諧振
發布時間:2018-03-19 來源:John Dunn 責任編輯:wenwei
【導讀】石英晶體的de外wai殼ke上shang標biao有you器qi件jian的de額e定ding工gong作zuo頻pin率lv,但dan那na隻zhi是shi一yi個ge近jin似si值zhi,實shi際ji上shang晶jing體ti有you多duo個ge諧xie振zhen頻pin率lv,即ji使shi在zai理li想xiang情qing況kuang下xia也ye是shi如ru此ci。本ben文wen以yi理li想xiang晶jing體ti的de等deng效xiao電dian路lu為wei例li,表biao明ming並bing聯lian諧xie振zhen頻pin率lv絕jue不bu會hui低di於yu串chuan聯lian諧xie振zhen頻pin率lv。至zhi於yu哪na個ge諧xie振zhen更geng重zhong要yao,則ze取qu決jue於yu應ying用yong。
石英晶體的外殼上標有器件的額定工作頻率,但那隻是一個近似值,實際上晶體有多個諧振頻率,即使在理想情況下也是如此。
圖1顯示了理想晶體的等效電路,其中隻有三個電路元件,串聯的電容C1和電感L1、與該L1 C1串聯對並聯的另一個電容C2。

圖1:理想石英晶體的等效電路。
在特定的串聯諧振頻率,輸入阻抗Z為零,L1和C1處於串聯諧振。電容C2與此無關。
然而,在特定的並聯諧振頻率,輸入阻抗Z達到無窮大。這是C2與L1 C1的串聯組合發生並聯諧振的頻率,呈現電感性阻抗。要使L1 C1對在並聯諧振時呈現感性,並聯諧振必須發生在比串聯諧振更高的頻率。
因(yin)此(ci),並(bing)聯(lian)諧(xie)振(zhen)頻(pin)率(lv)隻(zhi)能(neng)比(bi)串(chuan)聯(lian)諧(xie)振(zhen)頻(pin)率(lv)高(gao),即(ji)使(shi)隻(zhi)高(gao)一(yi)點(dian)點(dian)。並(bing)聯(lian)諧(xie)振(zhen)頻(pin)率(lv)絕(jue)不(bu)會(hui)低(di)於(yu)串(chuan)聯(lian)諧(xie)振(zhen)頻(pin)率(lv)。至(zhi)於(yu)哪(na)個(ge)諧(xie)振(zhen)對(dui)你(ni)更(geng)重(zhong)要(yao),則(ze)取(qu)決(jue)於(yu)應(ying)用(yong)。
借助不複雜的數學運算,阻抗Z可以表示如下:

圖2:阻抗公式。
串聯諧振頻率:Fseries = 1/(2 * pi * sqrt(L1 C1))
並聯諧振頻率:Fparallel = 1/(2 * pi * sqrt(L1 C1 C2 /(C1 + C2)))

圖3:串聯和並聯諧振的相對位置。
本文轉載自電子技術設計。
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