村田製作所試製出支持LTE的RF模塊，新型模塊的投產時間未定，村田製作所表示，“此次製作試製品的目的是為了表明技術上完全可行”。 此次開發的RF模塊中，RF收發器IC采用了富士通半導體生產的支持LTE的產品“MB86L10E”。為了支持LTE和W-CDMA使用的頻帶Band1/5/21和GSM使用的850MHz/900MHz/1800MHz/1900MHz
，嵌入了支持各頻帶的功率放大器模塊。雖然嵌入了上述各部件，但模塊的外形尺寸僅有14.5mm×10.3mm×3.0mm，比不采用元件內置技術時的封裝麵積減小了40％左右。雖然厚度還高達3mm，不過村田製作所表示“通過結合使用其他封裝技術，還有可能進一步減薄”。

村田製作所在展區內演示了該模塊的實際工作情況，並公布了波形等。在LTE模式下，發送功率為23dBm時，ACLR（相鄰頻道泄露比）平均為－37dB。

圖1：試製的RF“全模塊”
 

圖2：展板介紹


圖3：會場展位上展示了用測量儀器觀測到的波形