產品特性：

• 漏極效率大於50%
• 增益：17dB
• 達500W的耐用度
• 無毒封裝、符合ROHS標準

應用範圍：

• L波段雷達應用

恩智浦半導體（NXP Semiconductors）擴張其業界領先的RF Power 晶體管產品線
，近日推出最新的針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱LDMOS)晶體管

，該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來達500W的突破性的RF輸出功率。

針對大範圍的L波段雷達應用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶體管設置了新的效率標準（漏極效率大於50%）、增益（17dB）和達500W的耐用度。

恩智浦半導體RF功率產品線全球產品市場經理Mark Murphy表示：“作為首個推出L波段和S波段應用的LDMOS的公司

，恩智浦高效LDMOS RF功率晶體管產品線建立了一個嶄新的業界標準，為我們的客戶提供市場上表現最優異和最耐用的晶體管。RF輸出功率達到500W這個突破，是恩智浦通力合作
、貼近客戶需求的結果，使我們推出了可縮短上市時間的易於進行設計導入的晶體管。

恩智浦L波段RF晶體管(BLL6H1214-500)的主要表現參數包括：
 

• 500W峰值輸出功率（在1.4GHz,100µs脈衝寬度
  ，25%占空比時）
• 17dB增益
• 50%漏極效率
• 更佳耐用度
• 能夠承受高達5dB的過驅動能力
• 更佳脈衝頂降 （低於0.2dB）
• 供電電壓50V
• 無毒封裝
  、符合ROHS標準

恩智浦的這款器件結合了雙極管的功率密度和適用於L波段雷達設計的LDMOS技術優勢，其環保的陶瓷封裝

，可與BeO封裝互相替代。