【導讀】dianwangtongguoshudianhepeidianwangluocongfadianjixiangyonghutigongdianneng。zaimeiguo，youyuchunengchengbengaoangbingqieshejiheyunyingjingyanyouxian，liyongdianlichucunlaizhichiheyouhuashupeidianyizhishoudaoxianzhi。raner，zuijinchunenghedianlijishudegaijin，jiashangshichanghuanjingdebianhua

，yushizhedianlichucunlingyudejiyujiangbuduankuodadeshidaijijiangdaolai。

采用全碳化矽的逆變器將徹底改變電力傳輸、可再生能源和儲能的集成方式

dianwangtongguoshudianhepeidianwangluocongfadianjixiangyonghutigongdianneng。zaimeiguo，youyuchunengchengbengaoangbingqieshejiheyunyingjingyanyouxian，liyongdianlichucunlaizhichiheyouhuashupeidianyizhishoudaoxianzhi。raner，zuijinchunenghedianlijishudegaijin
，jiashangshichanghuanjingdebianhua，yushizhedianlichucunlingyudejiyujiangbuduankuodadeshidaijijiangdaolai。

圖1展示了電力生產和輸配電基礎設施的未來願景，將與電網相連的儲能視為更可靠、更經濟有效的模型的關鍵要素。儲能通過補償電氣異常和幹擾，例如電壓的變化（如短期尖峰或波動、長期湧升或下降）、電力輸送的主頻變化、低功率因數（電壓和電流過度不合相位）、諧波（主頻以外的電流或電壓存在）以及服務中斷，提高了輸配電性能。

圖1：未來的電力輸配網中
，與電網相連接的能量儲存元件至關重要

將jiang儲chu能neng與yu公gong共gong事shi業ye相xiang結jie合he
，可ke以yi讓rang用yong戶hu在zai低di需xu求qiu期qi購gou買mai廉lian價jia電dian能neng，並bing在zai價jia格ge本ben應ying較jiao高gao時shi供gong應ying該gai能neng源yuan
，從cong而er降jiang低di成cheng本ben。儲chu能neng也ye可ke以yi用yong來lai替ti代dai新xin增zeng發fa電dian能neng力li。在zai許xu多duo地di區qu，輸shu電dian容rong量liang未wei能neng跟gen上shang峰feng值zhi需xu求qiu的de增zeng長chang，導dao致zhi輸shu電dian係xi統tong擁yong擠ji，從cong而er增zeng加jia了le輸shu電dian接jie入ru費fei用yong，並bing采cai取qu擁yong擠ji費fei用yong或huo“位置邊際定價”的方式。

儲能越來越多地用於平衡風能和太陽能等可再生能源的間歇性電力供應。

碳化矽驅動儲能變革

采用全碳化矽（all-SiC）的逆變器將徹底改變電力傳輸、可(ke)再(zai)生(sheng)能(neng)源(yuan)整(zheng)合(he)和(he)能(neng)源(yuan)儲(chu)存(cun)。人(ren)們(men)已(yi)經(jing)意(yi)識(shi)到(dao)，基(ji)於(yu)傳(chuan)統(tong)矽(gui)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)具(ju)有(you)固(gu)有(you)的(de)局(ju)限(xian)性(xing)
，使(shi)其(qi)不(bu)適(shi)用(yong)於(yu)大(da)規(gui)模(mo)公(gong)用(yong)事(shi)業(ye)應(ying)用(yong)。然(ran)而(er)，通(tong)過(guo)采(cai)用(yong)碳(tan)化(hua)矽(gui)，電(dian)力(li)電(dian)子(zi)應(ying)用(yong)包(bao)括(kuo)靜(jing)態(tai)轉(zhuan)換(huan)開(kai)關(guan)

、動態電壓恢複器、靜態無功補償器、高壓直流輸電和靈活交流傳輸係統都變得經濟可行。采用碳化矽，中壓（MV）逆變器製造商可以在100千瓦到1兆瓦範圍內實現> 97.8％的效率
，從而使更緊湊的逆變器能夠在住宅和工業領域的大規模應用中部署。

將儲能係統（BESS）與中壓電網集成

一個電池儲能係統（BESS）通過使用隔離拓撲（如雙有源電橋 (DAB) 和有源前端轉換器）集成到中壓電網（2.3 kV
、4.16 kV 或 13.8 kV）。

與兩電平拓撲相比，三電平（中性點鉗位）拓撲既降低了濾波器要求
，也降低了碳化矽 MOSFET 上的電壓應力。根據電網電壓的不同
，可以采用碳化矽 3.3 kV MOSFET二極管器件的串聯連接，如圖2所示。還可以考慮其他拓撲進行分析。低壓（LV）端采用1,200 V的碳化矽器件。在DAB中，中壓變壓器（LV到MV轉換）的運行頻率可以在10 kHz到20 kHz之間。根據功率需求，可以使用單相或三相係統。

圖2：將電池儲能係統與中壓電網相連的係統拓撲

中壓的碳化矽 MOSFET的快速開關切換瞬態可能導致dV/dt高達100 kV/µs，這要求門極驅動電路具有非常低的絕緣電容。電力傳輸階段的設計目標是高絕緣要求

、低di耦ou合he電dian容rong和he優you化hua的de門men極ji驅qu動dong器qi占zhan用yong空kong間jian。一yi般ban而er言yan，中zhong壓ya應ying用yong需xu要yao對dui器qi件jian進jin行xing串chuan聯lian以yi實shi現xian冗rong餘yu和he高gao工gong作zuo電dian壓ya。中zhong壓ya碳tan化hua矽gui器qi件jian的de串chuan聯lian連lian接jie需xu要yao門men極ji驅qu動dong器qi能neng夠gou同tong時shi切qie換huan所suo有you器qi件jian。串chuan聯lian連lian接jie的de器qi件jian在zai開kai啟qi時shi的de延yan遲chi可ke能neng導dao致zhi電dian壓ya不bu匹pi配pei，從cong而er引yin發fa過guo電dian壓ya或huo不bu正zheng確que的de電dian壓ya分fen配pei問wen題ti。

使用3.3 kV中壓碳化矽MOSFET代替串聯低壓（1,200 V或1,700 V）MOSFET或IGBT具有巨大的優勢
，包括更簡單的門極驅動

、用單個中壓器件替代多個低壓晶體管和整流管可以減少相關的寄生電感
、有著較低的導通損耗和更高的效率。因此，功率轉換器的整體尺寸、重量和冷卻要求可以顯著減少。

在一個4.16 kV的模塊化多電平變流器中

，對3.3 kV/400A 納微半導體的碳化矽MOSFET、3.3 kV/400A 矽IGBT和由第三方提供的兩個1.7 kV/325A 碳化矽MOSFET串聯連接進行的電路效率和最大結溫測試中，顯示了3.3 kV碳化矽MOSFET在中壓應用中的顯著優點。總的來說，3.3 kV碳化矽 MOSFET減小了半導體損耗
，並且有更小的安裝半導體芯片麵積，提高了係統的功率密度（包括散熱器和風扇的體積）。

單片集成了MPS二極管的3.3 kV碳化矽MOSFET

通過將混合式的PiN Schottky（MPS）二極管單片集成到MOSFET中zhong，可ke以yi進jin一yi步bu提ti高gao效xiao率lv和he可ke靠kao性xing。無wu需xu外wai部bu連lian接jie二er極ji管guan即ji可ke實shi現xian低di導dao通tong和he開kai關guan損sun耗hao的de續xu流liu二er極ji管guan操cao作zuo，同tong時shi減jian少shao與yu外wai部bu二er極ji管guan連lian接jie相xiang關guan的de寄ji生sheng電dian感gan。此ci外wai，這zhe也ye繞rao過guo了leD-MOSFET結構內置的P-well/N-漂移層形成的體二極管，其操作可能導致D-MOSFET的N-漂移層中不可避免存在的基麵位錯出現故障。

圖3：三相I-V特性曲線，左側是測量得到的3.3 kV、40 mΩ的獨立碳化矽MOSFET
，右側是集成了單片MPS二極管的SiC MOSFET

其優點包括更高效的雙向性能、溫度無關的開關特性
、低開關和導通損耗、降低散熱要求、卓越的長期可靠性、易於並聯和更低的成本。

圖4：具有單片集成肖特基整流器的3.3 kV碳化矽 MOSFET的剖麵器件示意圖

納微半導體的3.3 kV 分立碳化矽MOSFET和單片集成 MPS 二極管的碳化矽MOSFET通常具有3,600-3,900V的擊穿電壓範圍

，遠高於數據表中的數值。在集成單片二極管時，由於在高電場下肖特基勢壘降低，觀察到稍高的漏極漏電流。圖 5 表明，在測試中，納微半導體的單片集成二極管的碳化矽MOSFET 其擊穿電壓在3.5-3.7 kV 範圍內，額定3.3 kV 擊穿電壓時漏電流約為50 µA（或0.3 mA/cm2），其 RDS(on) 約為80 mΩ（測量值）。

圖5：在單片集成MPS二極管的3.3kV碳化矽MOSFET上測量的第三象限擊穿特性

使用非鉗位感性開關（UIS）測量來研究具有集成 MPS 二極管的3,300-V 碳化矽MOSFET 的雪崩魯棒性。在峰值漏極電流為30 A 的條件下，漏極電流/電壓波形如圖 6 所示。在測試期間，漏極電壓上升到最高達4,200 V，並從 UIS 測量中提取出最大雪崩承受時間（tAV）為35 µs，單脈衝雪崩能量（EAS）為2.6 J（或7.6 J/cm2）。相比之下，對具有相同負載電感的3,300-V 分立碳化矽MOSFET 進行的測試得到的 EAS 為4.8 J。

圖6：在單片集成MPS二極管的3.3kV碳化矽MOSFET上執行的UIS測量所得的漏極電流和漏極電壓波形

短路魯棒性

納微半導體碳化矽MOSFETs的短路魯棒性是將具有和不具有單片集成MPS二極管的3.3 kV分立碳化矽MOSFETs在1,200 V的直流電源上進行評估。采用20 V / -5 V的門極驅動方案
，並將器件安裝在25°C的散熱底板上。在短路脈衝期間
，漏極電流增加到最高值525 A，測得短路耐受時間為4.5 µs（圖7）。

圖7：在1,200V直流電源下對具有單片集成MPS二極管的3,300V碳化矽MOSFET進行短路測試得到的漏極電流波形

總結

在逆變器中應用碳化矽將加速能量存儲技術的采用，並使其成為未來電網的關鍵元素。通過采用隔離拓撲將BESS集成到中壓電網中，使用3.3 kV的單個碳化矽MOSFET相比相同耐壓的矽IGBT或串聯的兩個1,700 V 碳化矽MOSFET，能夠實現更高的係統效率、更低的工作溫度和更小的芯片尺寸。

納微半導體的3.3 kV單體集成MPS二極管的碳化矽MOSFETs實現了遠超3.3 kV的擊穿電壓，並展現了平穩的開關性能，同時完全激活了單體MPS二極管性能。這顯著降低了第三象限工作中的功率損耗，並通過減輕雙極退化來提升器件的可靠性。UIS測試顯示了強大的雪崩能力和4.5微秒的短路耐受時間。

來源：Power Electronics News

作者：Ranbir Singh 和 Siddarth Sundaresan

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