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多芯片集成終於在隔離型DC-DC轉換器中實現

發布時間：2017-06-27 來源：安森美半導體責任編輯：susan

【導讀】隔離型DC-DC轉換器曆來通過分立元件實施-分立驅動IC和分立功率MOSFET。這些器件被用於各種拓撲結構。最主要的是“半橋”和“全橋”。

隔離型DC-DC轉換器曆來通過分立元件實施-分立驅動IC和分立功率MOSFET。這些器件被用於各種拓撲結構。最主要的是“半橋”和“全橋”。

許多雲基礎設施的應用采用半橋和全橋拓撲結構，如無線基站（遠程無線電單元）、電源模塊和任何板載隔離型DC-DC轉換器。其他應用包括工業領域，如電機驅動器、風扇和暖通空調(HVAC)。這些應用的設計工程師力求降低整體方案的大小或增加輸出功率。

安森美半導體的FDMF8811是業界首款100 V橋式功率級模塊，優化用於全橋和半橋拓撲。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。

與分立方案相比，FDMF8811可減少一個典型的全橋方案約三分之一的PCB麵積。這令製造商設計更緊湊、高能效的產品。物料單(BOM)器件的數量也顯著減少，實現供應鏈和裝配的高效。

如果PCB麵積不是問題，那FDMF8811可有助於在現有的PCB麵積內提高設計的輸出功率。例如，這可通過從現有的、本來低功率拓撲結構，如有源鉗位正激、反激式或推拉式，轉為采用FDMF8811的半橋或全橋拓撲來實現。另一個例子是現有的采用分立MOSFET的半橋方案可以轉換為在相同的占板麵積內的一個全橋拓撲。這種轉換使係統的輸出功率加倍。

FDMF8811集成了一對100V的功率MOSFET、120 V驅動器IC和一個自舉二極管到6.0 mm x 7.5 mm 的PQFN封裝。

通過集成所有的關鍵動力傳動元件，安森美半導體已經能優化該模塊的驅動器和MOSFET的動態性能、係統寄生電感和功率MOSFET的導通電阻RDS（ON），從而保持盡可能最高的能效。該集成顯著降低了供電回路的寄生效應。這大大降低電壓應力和電磁幹擾(EMI)，提高係統的可靠性。

采用FDMF8811的隔離型DC-DC轉換器被充分優化，以在最佳能效水平達到最高的功率密度。有了高度集成的、高性能的FDMF8811，實在沒有理由再使用分立器件！

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