我們經常會遇到設計的時候一些不經意的問題
，或者在先期設計的時候考慮不到的事情。我們來看這個例子：

在(zai)設(she)計(ji)係(xi)統(tong)的(de)時(shi)候(hou)，為(wei)了(le)增(zeng)加(jia)係(xi)統(tong)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)和(he)防(fang)止(zhi)意(yi)外(wai)情(qing)況(kuang)發(fa)生(sheng)，我(wo)們(men)總(zong)是(shi)會(hui)在(zai)重(zhong)要(yao)的(de)控(kong)製(zhi)中(zhong)加(jia)入(ru)手(shou)動(dong)開(kai)關(guan)控(kong)製(zhi)這(zhe)一(yi)終(zhong)極(ji)策(ce)略(lve)，但(dan)是(shi)在(zai)這(zhe)個(ge)案(an)例(li)中(zhong)正(zheng)是(shi)這(zhe)個(ge)手(shou)動(dong)開(kai)關(guan)導(dao)致(zhi)了(le)電(dian)子(zi)開(kai)關(guan)的(de)失(shi)效(xiao)。這(zhe)是(shi)一(yi)個(ge)Mosfet管和手動開關一起驅動繼電器的例子，如果你這麼設計了，那麼相信不久你就會發現，Mosfet管不能工作了。

 

經過測試和分析，以上連接的拓撲能生成能破壞MOSFET的電壓浪湧噪聲。其機理是由於開關的機械抖動引起的噪聲
，帶動繼電器的線圈產生大的電壓浪湧噪音注入模塊內的Mos管上。盡管Mos管內存在保護（ESD和鉗位電壓限製器），損壞的區域還是在DS。

Mos管能夠承受的dv/dt的能力是有限的
，此外mos管也存在著最大擊穿電壓的限製。因此當Dv/dt過大的時候
，它會打開寄生三極 管，或者電壓超過擊穿電壓
，電流不能限製住的時候
，Mos管都會損壞。經過試驗和分析，mos管的損壞是由於寄生三極管被擊穿而損壞了。 
 

試驗圖形如上，可以發現開關關閉時候浪湧電壓噪聲很大。

 

 

我們盡量避免機械開關和電子開關並聯控製繼電器線圈這樣的拓撲結構。如果無法避免，我們可以用三極管取代MOSFET器件來驅動mos管
，或者加上保護器件如壓敏電阻器，TVS之類。