ruguodianliuweizhiliu，zexianshiweibutongyansededianliumiduquanbuxiangtong。danshi
，suizhepinlvdezengjia，dianliuchaodaotiwaibuyidong，ruhongsehechengsesuoshi。zhezhongyongjiqingkuangbeichengweiqufuxiaoying。tourushendubeidingyiweiwaibiaomiandaodianliumidujiangzhiwaibiaomiandianliumidu1/e的那個點的距離。就銅而言，深度為：



其中f單位為兆赫，而深度單位為cm。


圖2xianshileziyoukongjianzhongbianpingdaotidedianliufenbu。taquxiangzaizhaibianzhongliudong，erfeidaotibiaomiandouxiangdeng。danshi，tarengranjuyouxiangtongdeshentoushendu。zhedadadizengjialedianzu

，yinweidaotidedabufendoujuyoufeichangdidedianliumidu。


為了繞過扁平導體的電流分布問題，通常將其直接放置在第二導體或接地層上麵，它們的電流大小相等而方向相反。圖3顯示了一個示例，例子中反向電流相互吸拉至兩個導體的鄰近表麵。滲透深度保持相同。電流主要都包含在一個以滲透深度和導體寬度（而非圖2所示的滲透深度和導體厚度）為邊界的區域中。因此
，這些導體的 交流電阻遠低於自由空間的情況。


圖4顯示了一個層纏繞結構的橫截麵。其中
，最上麵兩個導體（3和4）攜帶相同方向的相同電流，而最下麵兩個（1和2）攜帶與上麵各層方向相反的相等電流。這可以代表2-2匝數比變壓器的層。如前麵例子所述
，繞組的電流被吸取至相對麵。然而，出現了一種有趣的現象。在繞組1和4中，電流被吸取至內表麵，它在方向相反的繞組2和3上引起電流。繞組2和3dezongdianliuzhengyifanxiangliudong，yincineibiaomianshangdedianliumidugengda。zhezhongxianxiangbeichengweilinjinxiaoying，qihuishigaopingongzuodecengjiegouchuxianwenti。jiejuezheyiwentideyizhongfangfashizhongxinanpaidaotidiefang，duiraozujiaocuoyirangdianliuzailiangduanyizhengquefangxiangliudong
，erfeishiyongjuyoutongxiangdianliudelianggelinjincengraozu。


Dowell1建立了一種分析模型
，用於計算不同厚度和層結構導體的交流電阻增加情況。圖5顯示了其結果。曲線圖的X軸將層厚度標準化為滲透深度，而Y軸表明標準化為直流電阻的交流電阻。根據繞組中層的數目，繪製出這些曲線。一旦導體厚度接近趨膚深度，合理AC/DC比的層數便變少。另外
，需要注意的是1/2層的低曲線。在這種情況下，繞組被交錯
，並且電阻增加遠遠小於單層情況。


總之
，隨著頻率增加
，導體的電流分布會急劇變化。在自由空間中
，相比扁平導體， 圓形導體在高頻下電阻更低。但是，同接地層一起使用時，或者其位於攜帶返回電流的導體附近時，扁平導體則更佳。