ST發布可承受950V峰值電壓的MOSFET
發布時間:2012-10-22 責任編輯:easonxu
【導讀】ST推出最新係列高可靠性、高能效的功率晶體管,助力技術型企業滿足日益嚴格的生態設計標準對功率和能效的要求,瞄準太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應用。
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)最新產品包括業內首個可承受950V峰值電壓的超結晶體管(MOSFET)、同類產品中能效最高的900V晶體管和全球上唯一采用節省空間的PowerFLAT 8x8 HV超薄封裝的850V器件。超結技術可提高MOSFET管的工作電壓,降低導通電阻-芯片尺寸比,使電源產品在縮減封裝總體尺寸的同時提高係統可靠性和能效。

圖題:ST發布可承受950V峰值電壓的MOSFET
意法半導體是超結MOSFET(super-junction MOSFETs)的主要供應商,現在開始提供目前市場上額定電壓最高的解決方案,同時還是目前僅有的兩家900V超結晶體管供應商之一。此外,該係列產品不久後將增加800V。
超結技術讓世界更環保
在展示SuperMESH 5器件的高能效的同時,意法半導體還公布了首個成功應用超高壓MOSFET的客戶設計的細節。意大利固態照明創新企業TCI在其最新的LED驅動器設計中選用LEDIPAK封裝的950V STU6N95K5做主電源,為設計先進且功能豐富的LED照明燈供電,使其成為高成本效益的小型LED照明市場的能效標杆。意法半導體功率晶體管產品部市場總監Maurizio Giudice表示:“ 意法半導體最新的SuperMESH 5技術讓TCI創立了市場上最高的能效和安全係數,為客戶提供極具吸引力的價值主張。”
意法半導體新的超結MOSFET的其它主要應用包括平板電視、PC電源、LED照明驅動器和高壓氣體放電燈(HID)電子鎮流器。MOSFET將讓設計人員能夠達到美國能源之星(Energy Star)和歐盟能源相關產品(Energy-related Products,ErP)指令等生態設計標準中日益嚴格的功率上限和能源下限要求。
例如,最新的能源之星電視機能效規範(5.3版)提出了更嚴格的生態設計規定,要求50英寸以及以上的平板電視的最大絕對功率為108.0瓦。另一個生態設計標準日益嚴格的例子是,ErP的照明指令提高了2012年至2017年期間製造的各類HID燈的能效下限標準。
意法半導體的新超結MOSFET耐高壓特性可提高係統安全性和可靠性。對於HID燈deng鎮zhen流liu器qi和he其qi它ta的de以yi電dian網wang或huo更geng高gao電dian壓ya為wei電dian源yuan的de電dian力li應ying用yong係xi統tong,例li如ru太tai陽yang能neng微wei逆ni變bian器qi和he電dian動dong汽qi車che充chong電dian樁zhuang,耐nai高gao壓ya是shi一yi個ge重zhong要yao優you點dian。為wei最zui大da限xian度du減jian少shao電dian動dong汽qi車che的de充chong電dian時shi間jian和he運yun行xing成cheng本ben,充chong電dian樁zhuang需xu要yao極ji高gao的de功gong率lv轉zhuan換huan效xiao率lv。在zai微wei型xing發fa電dian機ji逆ni變bian器qi內nei,高gao能neng效xiao的deMOSFET讓設計人員能夠使用更高的開關頻率,輸出高質量的交流電能,同時降低能耗和解決方案尺寸。
SuperMESH 5 MOSFET的主要特性:
新推出的MOSFET晶體管是首批采用意法半導體的 SuperMESH 5第五代超結技術的產品。新產品包括采用各種封裝的900V STx21N90K5、950V STx20N95K5和950V STx6N95K5。STL23N85K5 850V采用PowerFLAT 8x8 HV高壓表麵貼裝封裝,占位麵積為64mm2, 比工業標準的D2PAK封裝小56%。此外,這款產品的安裝高度為1mm,比工業標準的D2PAK封裝低77%,適用於超薄型應用設計。
900V STP21N90K5的靈敏值(Figure of Merit,FOM)反映了該產品接通電源以及導通和關斷時的總體能效,比市場上唯一可比產品低62.5%。如果不使用其它品牌而選用STP21N90K5,設計人員即可大幅提高能效。
新的SuperMESH 5產品已開始提供樣片並接受生產訂單。
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