新聞事件：

• 飛兆、英飛淩擴展功率MOSFET封裝兼容協議

事件影響：

• PowerTrench技術得到進一步鞏固
• 客戶可采用多來源的行業標準封裝來提供性能領先的產品

全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛淩科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作夥伴關係
，擴展協議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。

飛兆半導體PowerTrench非對稱結構功率級雙MOSFET模塊是飛兆半導體全麵廣泛的先進MOSFET產品係列的組成部分
，為電源設計人員提供了適用於關鍵任務的高效信息處理設計的全麵解決方案。

這一兼容協議是兩家公司在2010年達成的協議的擴展，旨在為客戶保證供貨穩定性，同時滿足對同級最佳的DC/DC轉換效率和熱性能的需求。這項協議利用了兩家企業的非對稱結構功率級雙MOSFET專業技術，以處理30A以上應用並增加功率密度。

飛兆半導體消費
、通信和工業低壓產品副總裁兼總經理Joe Montalbo表示：“我們非常高興與英飛淩科技公司合作

，進一步鞏固PowerTrench技術。這一合作配合使用標準化的封裝引腳
，將幫助提升該產品線的價值並提高其對客戶的吸引力。”

英飛淩科技低壓功率轉換產品高級主管Richard Kuncic稱：“飛兆半導體和英飛淩實現了封裝引腳的標準化，為計算、dianxinjifuwuqishichangdekehutigonglemanzugaoxiaoshejixuqiudewendinggongyinglian。tongguofengzhuangtongyi，kehukeyicaiyongduolaiyuandexingyebiaozhunfengzhuanglaitigongxingnenglingxiandechanpin。”