中心議題：

• 探究采用電子束檢測技術輔助晶體管開發
• 介紹了一種電子束檢測平台 ——eS32

解決方案：

• 在高阻材料中設計了束電流和掃描靈活性選項
• 使用小型25nm像素改進了俘獲能力
• 采用binning算法輔助係統缺陷機理的識別能力

涉足尖端技術研究工作的芯片製造商正在把無數新材料和奇特的器件結構結合起來
，用於65nm及ji更geng低di節jie點dian的de量liang產chan。同tong時shi他ta們men發fa現xian，在zai這zhe些xie研yan究jiu上shang的de努nu力li生sheng產chan的de結jie果guo還hai包bao括kuo目mu前qian必bi須xu著zhe手shou解jie決jue各ge器qi件jian各ge個ge層ceng上shang出chu現xian的de越yue來lai越yue多duo的de細xi微wei的de電dian缺que陷xian和he微wei小xiao物wu理li缺que陷xian。在zai存cun儲chu器qi中zhong
，可ke能neng會hui出chu現xian多duo晶jing矽gui阻zu塞sai管guan道dao問wen題tipoly-plug piping problems，從而引起BPSG（硼磷矽酸鹽玻璃）孔隙問題。在邏輯領域，使用應變矽引起的應變矽位錯可能產生缺陷
，有時這類缺陷直到後道工藝才顯露出來。

這些缺陷的重要性是始料未及的，它們既可能使當前的檢測方法失效，也可能延長檢測時間。雖然有些人嚐試在應變矽上使用NiSi
，希望俘獲位錯缺陷，但仍不能對這些位錯進行精確定位；也不能對缺陷所在的特定結構或方向精確定位。他們隻知道這些缺陷大量存在於早期的工藝中。

KLA-Tencor介紹了一種電子束檢測平台 ——eS32

，用於俘獲65和45nmjiediangeqijiancengzhongyingxiangchengpinlvdeshencengdianquexianhexiaowuliquexian。dianzishujiancexitongdejibenyoushishifaxianwentixiangduijiaozao。shiyongzhezhongfangfakeyifaxianweicuoquexian，congercaiyongyingbiangongchengjishushixiangaosuqijian，erbubiyixishengchengpinlvweidaijia，tongshizaiFEOL和BEOL應用中加速係統的檢測和分辨速度，快速檢測到影響成品率的缺陷。即使NiSi和應變Si的難題得以解決
，這些問題在後道工藝中還會再次出現
，因此要求對整條生產線進行監控。新的檢測平台具有這種能力，無論在監控銅BEOL孔隙問題、斷開問題還是細微的短路問題中都是如此。

DRAM廠chang商shang麵mian臨lin著zhe產chan品pin壽shou命ming周zhou期qi縮suo短duan的de問wen題ti，他ta們men必bi須xu在zai不bu斷duan縮suo短duan的de時shi間jian範fan圍wei內nei，促cu使shi其qi新xin型xing芯xin片pian快kuai速su投tou入ru量liang產chan。當dang他ta們men等deng比bi縮suo小xiao到dao更geng小xiao單dan元yuan時shi，將jiang麵mian臨lin關guan鍵jian的deFEOL和互連挑戰 ——從檢測高深寬比的通孔和電容
，到處理小物理缺陷對成品率產生的越來越大的影響。DRAM所麵臨的關鍵新型缺陷是在其生產過程中多晶矽阻塞上細微的蝕刻不足問題。需要通過高阻材料 ——非退火多晶矽 ——對這一問題進行檢測。低沉積能、高獲取場以及低束電流增大了對這類缺陷的檢測能力。

對邏輯廠商來說，關鍵的考慮是漏問題 ——NiSi管道和應變矽位錯。不像檢測銅孔隙問題時是對比非橋接金屬尋找斷開和橋接缺陷(一種相對容易發現的問題)
，這類缺陷是細微的短路問題，要求對結進行控製。平台可以偏置結
，並使短路接地，具有觀察位錯和管道缺陷的能力。

這類缺陷 ——位錯和應變矽，以及管道問題 ——易產生於專用結構中。以位錯為例，注入的局部應力和曲線數量都可能引起某種應力分布，從而對專用電路產生影響。

為(wei)提(ti)供(gong)新(xin)型(xing)缺(que)陷(xian)的(de)檢(jian)測(ce)能(neng)力(li)，平(ping)台(tai)具(ju)有(you)物(wu)理(li)和(he)電(dian)壓(ya)對(dui)比(bi)成(cheng)像(xiang)靈(ling)敏(min)度(du)能(neng)力(li)，從(cong)而(er)可(ke)以(yi)更(geng)快(kuai)地(di)找(zhao)到(dao)問(wen)題(ti)產(chan)生(sheng)的(de)根(gen)源(yuan)。擴(kuo)展(zhan)沉(chen)積(ji)能(neng)的(de)範(fan)圍(wei)，可(ke)增(zeng)強(qiang)細(xi)微(wei)蝕(shi)刻(ke)不(bu)足(zu)接(jie)觸(chu)缺(que)陷(xian)的(de)俘(fu)獲(huo)能(neng)力(li)。另(ling)外(wai)
，在(zai)高(gao)阻(zu)材(cai)料(liao)中(zhong)設(she)計(ji)了(le)束(shu)電(dian)流(liu)和(he)掃(sao)描(miao)靈(ling)活(huo)性(xing)選(xuan)項(xiang)
，可(ke)俘(fu)獲(huo)不(bu)斷(duan)增(zeng)多(duo)的(de)深(shen)層(ceng)細(xi)微(wei)短(duan)路(lu)缺(que)陷(xian)。使(shi)用(yong)小(xiao)型(xing)25nm像素改進了致密、高深寬比結構中小物理缺陷的俘獲能力，並采用binning算法輔助係統缺陷機理的識別能力。
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