產品特性：

• 超低最大導通電阻
  ，超低柵極電荷
• 22A～47A的額定電流範圍
• 可承受雪崩和整流模式中的高能脈衝

應用範圍：

• 通信電源係統、電池充電器、高強度放電照明、太陽能逆變器等

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新係列600V和650V n溝道功率MOSFET---E係列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻
，以及22A～47A的額定電流範圍。E係列MOSFET基於Vishay的下一代Super Junction技術，具有超低柵極電荷
，以及較低柵極電荷與導通電阻乘積
，該乘積是衡量用在功率轉換應用中的MOSFET的重要優值係數。

與前一代S係列器件相比，新的E係列技術使導通電阻降低了30%。根gen據ju應ying用yong的de不bu同tong，這zhe些xie產chan品pin可ke以yi提ti供gong更geng高gao的de功gong率lv密mi度du，使shi轉zhuan換huan效xiao率lv更geng上shang一yi層ceng樓lou。由you於yu這zhe個ge新xin平ping台tai具ju有you更geng低di的de輸shu入ru電dian容rong


，柵zha極ji驅qu動dong損sun耗hao也ye減jian少shao了le。

近日發布的12 E係列器件包括4款22A的MOSFET和4款30A的MOSFET，在10V下的導通電阻分別為190mΩ和125mΩ。22A和30A MOSFET均提供TO-220
、TO-220 FullPAK
、TO-247和TO-263 (D2PAK)封裝。此外
，在10V下導通電阻為64mΩ的47A器件采用TO-247封裝，導通電阻為150mΩ的24A、650V MOSFET提供TO-220
、TO-263 (D2PAK)和TO-247封裝。

E係列的超低導通電阻意味著極低的導通和開關損耗
，在功率因數校正
、服務器和通信電源係統
、焊接
、等離子切割、電池充電器、高強度放電(HID)照明、熒光燈鎮流器照明、半導體固定設備，太陽能逆變器和感應加熱等高功率


、高性能的開關模式應用中能夠節約能源。

器件經過精心設計
，可承受雪崩和整流模式中的高能脈衝，並且保證達到通過100% UIS測試所要求的各種極值。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。

新款功率MOSFET現可提供樣品，量產訂貨的供貨周期為十六周到十七周。