000A/30V電鍍用脈衝電源的研製
發布時間:2011-03-21 來源:晨生電子
中心議題:
- 電源的基本方案
- 開關電源部分的設計要點
- 電壓斬波控製
1 引言
在(zai)我(wo)國(guo),電(dian)鍍(du)行(xing)業(ye)發(fa)展(zhan)較(jiao)快(kuai),隨(sui)著(zhe)市(shi)場(chang)對(dui)電(dian)鍍(du)產(chan)品(pin)質(zhi)量(liang)要(yao)求(qiu)的(de)提(ti)高(gao),電(dian)鍍(du)工(gong)藝(yi)對(dui)電(dian)鍍(du)電(dian)源(yuan)的(de)要(yao)求(qiu)也(ye)越(yue)來(lai)越(yue)高(gao)。開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)產(chan)品(pin)由(you)於(yu)其(qi)具(ju)有(you)體(ti)積(ji)小(xiao),重(zhong)量(liang)輕(qing),節(jie)能(neng)節(jie)材(cai),調(tiao)節(jie)精(jing)度(du)高(gao),易(yi)於(yu)控(kong)製(zhi)等(deng)諸(zhu)多(duo)優(you)點(dian),正(zheng)逐(zhu)漸(jian)被(bei)廣(guang)大(da)用(yong)戶(hu)所(suo)采(cai)用(yong)。脈(mai)衝(chong)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)作(zuo)為(wei)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)衍(yan)生(sheng)產(chan)品(pin),其(qi)應(ying)用(yong)於(yu)電(dian)鍍(du)與(yu)直(zhi)流(liu)電(dian)鍍(du)相(xiang)比(bi)有(you)如(ru)下(xia)特(te)點(dian):
脈衝電源可通過控製輸出電壓的波形、頻(pin)率(lv)和(he)占(zhan)空(kong)比(bi)及(ji)平(ping)均(jun)電(dian)流(liu)密(mi)度(du)等(deng)參(can)數(shu),改(gai)變(bian)金(jin)屬(shu)離(li)子(zi)的(de)電(dian)沉(chen)積(ji)過(guo)程(cheng),使(shi)電(dian)沉(chen)積(ji)過(guo)程(cheng)在(zai)很(hen)寬(kuan)的(de)範(fan)圍(wei)內(nei)變(bian)化(hua),從(cong)而(er)在(zai)某(mou)種(zhong)鍍(du)液(ye)中(zhong)獲(huo)得(de)具(ju)有(you)一(yi)定(ding)特(te)性(xing)的(de)鍍(du)層(ceng)。脈(mai)衝(chong)鍍(du)鎳(nie)代(dai)替(ti)直(zhi)流(liu)鍍(du)鎳(nie)可(ke)獲(huo)得(de)結(jie)晶(jing)細(xi)致(zhi)的(de)鍍(du)層(ceng),能(neng)使(shi)鎳(nie)層(ceng)的(de)孔(kong)隙(xi)率(lv)與(yu)內(nei)應(ying)力(li)降(jiang)低(di),硬(ying)度(du)增(zeng)高(gao),雜(za)質(zhi)含(han)量(liang)降(jiang)低(di),並(bing)可(ke)采(cai)用(yong)更(geng)高(gao)的(de)電(dian)流(liu)密(mi)度(du),提(ti)高(gao)鍍(du)覆(fu)速(su)度(du)〖1〗。
根據脈衝鍍鎳的工藝,我們研製了最大峰值電流1000A,最大峰值電壓30V的脈衝鍍鎳開關電源。其工藝如下:
* 硫酸鎳(NiSO4·7H2O):180~240g/L
* 硫酸鎂(MgSO4·7H2O):20~30g/L
* 氯化鈉(NaCl):10~20g/L
* 硼酸:30~40
* PH值:5.4
* 溫度:室溫
* 波形:矩形波
* 頻率:500~1500Hz
* 占空比:5%~12%
* 平均電流密度(A/dm2):0.7
2 電源的基本方案
三相380V/50Hz交流電經過EMI電磁兼容裝置,進行橋式整流,再經過逆變和變壓,然後再整流、濾波、儲能,最後進行電壓斬波,輸出單向脈衝電壓。本電源設計分兩部分:前級的開關電源和後級的斬波。脈衝電源電路工作原理框圖如圖1所示。
脈衝電源電路工作原理框圖

圖1脈衝電源電路工作原理框圖
3 開關電源部分的設計要點
3.1開關電源部分原理
主電路由EMI電磁兼容裝置、整流電路、逆變電路、高頻變壓器、高頻整流及高頻濾波電路組成;控製電路由電流、電壓雙閉環組成,電流環為內環,電壓環為外環;保護電路設置有初級最大電流限製,輸出過流、短路保護,最高輸出電壓限製。
3.2基本要求
maichongkaiguandianyuanchuyingjuyouyibandianyuandeyaoqiuwai,haiyaoqiuduanshishuchugonglvda,dongtaitexinghao,xiaolvgao,bingzaidagonglvmaichongshuchuqingkuangxianengwendingkekaodigongzuo。
3.3開關電源的設計
(1)高頻化該電源輸出最大平均容量為峰值電流1000A,電壓30V,占空比10%,即3kW。基ji於yu對dui脈mai衝chong開kai關guan電dian源yuan的de實shi際ji要yao求qiu,宜yi采cai用yong高gao頻pin技ji術shu方fang案an,同tong時shi選xuan取qu全quan橋qiao逆ni變bian的de拓tuo撲pu形xing式shi,提ti高gao頻pin率lv是shi實shi現xian小xiao型xing化hua的de重zhong要yao途tu徑jing,它ta能neng減jian少shao功gong率lv變bian壓ya器qi的de體ti積ji和he濾lv波bo電dian感gan量liang,而er輸shu出chu電dian感gan是shi影ying響xiang動dong態tai響xiang應ying的de重zhong要yao因yin素su。高gao頻pin化hua還hai是shi改gai善shan動dong態tai響xiang應ying的de重zhong要yao措cuo施shi,電dian源yuan調tiao整zheng的de速su度du隨sui頻pin率lv提ti高gao而er加jia快kuai。從cong而er達da到dao迅xun速su穩wen壓ya的de目mu的de。
[page]
(2)容量小型化由於占空比D較小,例如:D=0.1,
zefengzhidianliujiangweipingjundianliudeshibei。ruoanfengzhidianliushejizebunanshixian,dandianyuantijipangda,bujingji。ruoanpingjundianliusheji,zeduidianyuanyaoqiushifenkeke,jiyaoqiudianyuanxiaoxingkekao,youyaoqiudianyuanzaifuzaitubiandeguochengzhongbunengchanshengguodadeyajiang。duiyugongdiandianyawei2~30Vd.c.,峰值電流IP=1000A,D=0.05~0.1,需平均電流ICP=50A~100A的開關電源,若按照平均電流來設計,則有以下難題:
①電源在毫秒級時間內突然加上十倍平均電流時將會發生過流保護;
②電源在毫秒級時間內提供不了峰值電流時將會發生輸出跳變,即突降過程〖2〗。
本裝置采用1.5倍平均電流設計,保證開關電源有足夠的裕量,同時,適當增加電源的能量供給能力。
(3)高的電壓反饋增益電源應有足夠高的電壓反饋,提高電源的動態特性,保證脈衝輸出電壓的平穩。
(4)增大開關電源輸出電壓保持能力問題
由(you)於(yu)電(dian)源(yuan)工(gong)作(zuo)在(zai)大(da)脈(mai)衝(chong)電(dian)流(liu)條(tiao)件(jian)下(xia),電(dian)源(yuan)至(zhi)少(shao)要(yao)經(jing)過(guo)若(ruo)幹(gan)個(ge)周(zhou)期(qi)的(de)調(tiao)整(zheng)才(cai)能(neng)穩(wen)定(ding)過(guo)來(lai),並(bing)要(yao)耐(nai)受(shou)衝(chong)擊(ji)電(dian)流(liu)而(er)不(bu)至(zhi)於(yu)保(bao)護(hu)動(dong)作(zuo),為(wei)了(le)減(jian)小(xiao)衝(chong)擊(ji)帶(dai)來(lai)的(de)異(yi)常(chang)(尖峰,下降等),宜在負載端設置儲能電容。
設計方法如下:
電容中儲存的能量為:
EC=0.5C0U2
在輸出峰值功率P0P作用下,開關電源輸出功率為PO1時,維持輸出方波寬度TON,輸出電壓變化ΔU=U1-U2,電容儲存的能量如下式所示:
0.5C0(U12-U22)=(P0P-PO1)×TON
由上式求得儲能電容C0:
C0={2(P0P-PO1)×TON}/(U12-U22)
同時,儲能電容必須選用ESR小,高頻性能好的電解電容。
(5)加(jia)入(ru)逆(ni)變(bian)橋(qiao)的(de)過(guo)流(liu)限(xian)製(zhi)鑒(jian)於(yu)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)輸(shu)出(chu)電(dian)容(rong)量(liang)特(te)別(bie)大(da),開(kai)機(ji)瞬(shun)間(jian)和(he)脈(mai)衝(chong)輸(shu)出(chu)時(shi),逆(ni)變(bian)橋(qiao)需(xu)要(yao)承(cheng)受(shou)特(te)別(bie)大(da)的(de)衝(chong)擊(ji)電(dian)流(liu),當(dang)逆(ni)變(bian)橋(qiao)加(jia)入(ru)單(dan)周(zhou)期(qi)過(guo)流(liu)限(xian)製(zhi)後(hou),能(neng)夠(gou)有(you)效(xiao)地(di)保(bao)證(zheng)逆(ni)變(bian)橋(qiao)的(de)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)不(bu)會(hui)超(chao)過(guo)設(she)計(ji)電(dian)流(liu)值(zhi),而(er)大(da)大(da)提(ti)高(gao)了(le)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。
4 電壓斬波控製
4.1設計思路
以SG3525PWM 芯片為核心進行控製係統的設計。通過用CD4017B芯片進行8分頻,對輸出最大占空比進行限製。主電路采用場效應管並聯。電壓斬波控製原理圖如圖2所示。
電壓斬波控製原理圖

圖2電壓斬波控製原理圖
- 噪聲中提取真值!瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行!氮矽科技發布集成驅動GaN芯片,助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%!力芯微推出超低內阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電!聖邦微電子發布雙輸出電源芯片,簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端:金升陽推出1200W可編程電源,賦能高端裝備製造
- 大聯大世平集團首度亮相北京國際汽車展 攜手全球芯片夥伴打造智能車整合應用新典範
- 2026北京車展即將啟幕,高通攜手汽車生態“朋友圈”推動智能化體驗再升級
- 邊緣重構智慧城市:FPGA SoM 如何破解視頻係統 “重而慢”
- 如何使用工業級串行數字輸入來設計具有並行接口的數字輸入模塊
- 意法半導體將舉辦投資者會議探討低地球軌道(LEO)發展機遇
- 車規與基於V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall


