現代電子設備在很大程度上依靠DC-DC變換器為其提供電源。在很多計算機
，網絡和電信應用中，對電流的要求已經超過了100A。要達到這樣的輸出能力
，需要多隻MOSFET並聯的多相式變換器才能實現，這樣就帶來了嚴重的布板擁擠以及功耗等問題。

使情況變糟的就是持續減小尺寸的趨勢。設計者發現越來越難以應付同時來自兩個方麵的要求：減小電路板麵積和改善散熱。在改進目前器件的熱特性的過程中


，標準的SO8封裝成為一個很大的障礙------它們很難加裝散熱器，隻能單麵散熱
，所以大部分熱不得不通過PCB板散掉。

然而

，國際整流器公司的一項新的技術，即DirectFET，證明在載流能力和運行效率方麵比標準的SO8封裝顯著提高。DirectFET是shi一yi項xiang主zhu要yao為wei板ban級ji功gong率lv應ying用yong而er設she計ji的de表biao貼tie封feng裝zhuang技ji術shu。它ta消xiao除chu了le器qi件jian封feng裝zhuang中zhong我wo們men不bu期qi望wang的de
，高gao電dian感gan和he阻zu抗kang，引yin起qi器qi件jian熱re特te性xing和he電dian特te性xing方fang麵mian問wen題ti的de一yi些xie因yin素su。由you於yu可ke以yi雙shuang麵mian散san熱re
，使shi用yongDirectFET器件可以使大電流DC-DC變換器的電流密度增加一倍而係統成本顯著降低。

圖1顯示DirectFET封裝用於MOSFET芯片。矽片被裝入銅外殼

，封裝的底部是經特殊設計的芯片
，源極和漏極是可以直接焊到PCB板的表貼焊盤。矽片上適當的鈍化使源極和漏極絕緣
，在器件被焊到PCB板(ban)上(shang)時(shi)它(ta)也(ye)起(qi)到(dao)阻(zu)焊(han)膜(mo)的(de)作(zuo)用(yong)，防(fang)止(zhi)短(duan)路(lu)。此(ci)鈍(dun)化(hua)層(ceng)也(ye)保(bao)護(hu)了(le)管(guan)腳(jiao)防(fang)止(zhi)門(men)極(ji)區(qu)域(yu)汙(wu)染(ran)及(ji)潮(chao)氣(qi)。銅(tong)殼(ke)從(cong)芯(xin)片(pian)的(de)另(ling)一(yi)側(ce)引(yin)出(chu)漏(lou)極(ji)到(dao)線(xian)路(lu)板(ban)側(ce)。此(ci)封(feng)裝(zhuang)省(sheng)掉(diao)了(le)傳(chuan)統(tong)的(de)管(guan)腳(jiao)框(kuang)架(jia)和(he)引(yin)線(xian)鍵(jian)合(he)，而(er)這(zhe)正(zheng)是(shi)封(feng)裝(zhuang)阻(zu)抗(kang)的(de)主(zhu)要(yao)根(gen)源(yuan)。同(tong)時(shi)它(ta)還(hai)省(sheng)掉(diao)了(le)使(shi)大(da)多(duo)數(shu)SMT封裝的熱性能受到製約的塑料封裝。 
 
圖1. DirectFET MOSFET 焊接到PCB板上的刨麵圖

傳統的MOSFET使用引線鍵合來實現矽片和管腳框架之間的電連接，而DirectFET，將接觸麵的數目和傳導路徑的長度減到最小從而減小了傳導損耗。

圖3顯示在目前使用的SMT器件中DirectFET封裝提供了最優良的封裝阻抗(DFPR)。

 
 
圖2. SO-8, Cu-strap SO-8 和 DirectFET電流通路比較

 
圖3. 幾種SO-8尺寸表貼封裝DFPR值的比較

與典型的含鉛的小型封裝相比，DirectFET的熱阻顯著降低。在DirectFET封裝裏，結到電路板之間的熱阻材料隻有上麵的金屬和安裝用的焊錫。SO-8的結到PCB的熱阻(Rthj-pcb)大約是20°C/Wmax
，而同樣尺寸的DirectFET封裝隻有不到1°C/W 。

DirectFET封裝的頂部金屬漏極連接為芯片的結和頂部封裝之間提供了一條較低的熱阻抗路徑使結到殼的熱阻隻有3°C/W 。這就使得器件的散熱方法與以往有很大不同，可以用強迫風冷或導熱的填充介質將熱傳到一個適當接地的散熱器上。圖4舉例說明了這些概念。

 
圖４ DirectFET頂部散熱的例子

如果用散熱器加冷卻氣流
，DirectFET從封裝頂部散掉的熱量是SO8的兩倍半
，有效的頂部散熱意味器件散發出的熱量可以被帶離線路板
，增加器件安全工作的電流值。

最先使用DirectFET封裝的器件是20 V和30V的同步降壓變換器芯片組，用做調整管和同步管（表1）。 
 
表1. DirectFET產品參數

同步管IRF6603的R 的典型值是2mOhm，對於SO8來說這是最好的了。比較IRF7822和IRF6603，我們可以看到R降低了40%
，這是由於此封裝裏較低的DFPR值和較大的芯片尺寸。

在一個12V輸入，1.3V輸出，工作頻率300kHZ的同步降壓變換器中
，我們將IRF6603/IRF6604和IRF7822/IRF7811W這兩對管子做以比較
，它們使用的矽片技術是相同的。負載電流增加時
，此變換器電路板的溫度不得超過105°C。當電流達到18A時，這是SO8封裝在無冷卻氣流的條件下能夠承受的大電流，IRF6603的結溫要低50°C。比較DirectFET和SO-8在靜止空氣無散熱器條件下的效率曲線，在18A時前者的效率要高出3%。 

 

 

圖5. 采用DirectFET和SO-8封裝的30V器件在一個12V輸入， 1.3V輸出，工作頻率300kHZ的降壓變換器中，在多種負載條件下的比較。

如果加裝散熱器和200LFM的冷卻氣流可以達到每相35A電流。雙麵散熱的好處顯而易見。

以一個每相30A的多相變換器為例

，要滿足這個電流，用最好的單麵散熱的SO8封裝MOSFET，比如標準的SO-8
，無底的SO-8和無鉛的SO-8，每相要用五隻
，而雙麵散熱的DirectFET 隻需兩隻。比較結果元件數減少了60%。

由於DirectFET的結殼熱阻低
，所以用導熱墊將熱量從器件傳遞到係統底盤的做法很有效。這種結構，大量的熱從器件的頂部被帶走
，DirectFET器件就可以布置在線路板上一個較小的區域內。

確實，我們最期望將DirectFET器件安裝更緊湊以使它們傳到PCB板上的熱量最少。隻要DirectFET器件上麵的導熱墊的熱阻不大於9°C/W，那麼器件頂部的結到環境的熱阻將始終比器件底部的結到環境的熱阻值的一半還要低，器件的頂部自然就成了主要的導熱途徑。

為了計算方便，假設單麵冷卻的器件被限製在0.5 in2 的PCB板內，我們知道設計者往往用到1in2 以盡可能增加SO8的輸出電流。DirectFET器件布置在最小的管腳尺寸內。下表給出了論證結果
，表明在大電流DC-DC變換器中，雙麵散熱的DirectFET的電流密度能比單麵散熱的SO8的增加一倍。

 
表2. 在30A/相的變換器中用單麵散熱的SO-8封裝MOSFET，比如標準的 SO-8，無底的SO-8和無鉛的SO-8和用雙麵散熱的DirectFET的電流密度比較封裝節省係統總成本

采用單麵冷卻的SO-8方案
，設計者考慮散熱問題時有一些可選的方法：當每相的電流值達到上限時
，他們可以增加相數，而依目前的技術，超過4相(xiang)是(shi)不(bu)現(xian)實(shi)的(de)。而(er)且(qie)增(zeng)加(jia)了(le)成(cheng)本(ben)和(he)所(suo)占(zhan)空(kong)間(jian)。也(ye)可(ke)考(kao)慮(lv)熱(re)管(guan)
，加(jia)風(feng)扇(shan)增(zeng)大(da)冷(leng)卻(que)氣(qi)流(liu)，更(geng)大(da)尺(chi)寸(cun)的(de)線(xian)路(lu)板(ban)或(huo)更(geng)多(duo)的(de)覆(fu)銅(tong)。這(zhe)些(xie)方(fang)案(an)都(dou)將(jiang)增(zeng)加(jia)係(xi)統(tong)成(cheng)本(ben)。DirectFET給設計者一個新的選擇，既能夠滿足電路性能
，外形尺寸和預算要求，同時省掉50%或更多上麵討論的用於標準的或其它派生的SO-8封裝可選散熱方案中的花費。DirectFET MOSFET容易布版和並聯，可以簡化布局減小PCB板寄生損耗（見圖六） 
 
圖6.DirectFET的布板和並聯

DirectFET封裝還可以減小有害的電感，這對於大電流，多項式應用中的高頻DC-DC電源變換電路很重要。

DirectFET高僅0.7mm,而SO-8是1.75mm，這對於象筆記本電腦和服務器這樣對空間有限製的這方麵應用很有優勢。DirectFET器件已通過大量的可靠性實驗，包括功率循環實驗，可以信賴它同標準SO-8一樣可靠。這種器件適合
現有的大規模生產設備和裝配工藝。它是大電流DC-DC變換器完美的解決方案。