無源選址驅動模式把陣列中每一列的LED像素的陽極（P-electrode）連接到列掃描線（Data Current Source）
，同時把每一行的LED像素的陰極（N-electrode）連接到行掃描線（Scan Line）。當某一特定的第Y列掃描線和第X行掃描線被選通的時候，其交叉點（X，Y）的LED像素即會被點亮。整個屏幕以這種方式進行高速逐點掃描即可實現顯示畫麵
，如圖1所示。

 

　　

這種掃描方式結構簡單
，較為容易實現。

　　

但不足之處是連線複雜（需要X+Y根連線）
，寄生電阻電容大導致效率低，像素發光時間短（1場/XY）從而導致有效亮度低，像素之間容易串擾
，並且對掃描信號的頻率需求較高。

　　

另外一種優化的無源選址驅動方式是在列掃描部分加入鎖存器，其作用是把某一時刻第X行所有像素的列掃描信號（Y1， Y2… … Yn）提前存儲在鎖存器中。當第X行被選通後，上述的Y1-Yn信號同時加載到像素上[3]。這種驅動方式可以降低列驅動信號頻率
，增加顯示畫麵的亮度和質量。但仍然無法克服無源選址驅動方式的天生缺陷：連線龐雜
，易串擾，像素選通信號無法保存等。而有源選址驅動方式為上述困難提供了良好的解決方案。

　　

　　

在有源選址驅動電路中，每個Micro-LED像素有其對應的獨立驅動電路，驅動電流由驅動晶體管提供。基本的有源矩陣驅動電路為雙晶體管單電容（2T1C：2 Transistor 1 Capacitor）電路，如圖2所示。

 

 

每個像素電路中使用至少兩個晶體管來控製輸出電流，T1為選通晶體管，用來控製像素電路的開或關。T2是驅動個晶體管，與電壓源聯通並在一場（Frame）的時間內為Micro-LED提供穩定的電流。該電路中還有一個存儲電容C1來儲存數據信號（Vdata）。當該像素單元的掃描信號脈衝結束後，存儲電容仍能保持驅動晶體管T2柵極的電壓，從而為Micro-LED像素源源不斷的驅動電流，直到這個Frame結束。

　　

2T1C驅動電路隻是有源選址Micro-LED的一種基本像素電路結構，它結構較為簡單並易於實現。但由於其本質是電壓控製電流源（VCCS）
，而Micro-LED像素是電流型器件，所以在顯示灰度的控製方麵會帶來一定的難度。

　　

　　

另外需要提及的是一種 “半有源”選址驅動方式[6]。這種驅動方式采用單晶體管作為Micro-LED像素的驅動電路（如圖3所示）
，從而可以較好地避免像素之間的串擾現象。

 

 

　　

與無源選址相比，有源選址方式有著明顯的優勢，更加適用於Micro-LED這種電流驅動型發光器件。現詳細分析如下：

　　

①有(you)源(yuan)選(xuan)址(zhi)的(de)驅(qu)動(dong)能(neng)力(li)更(geng)強(qiang)，可(ke)實(shi)現(xian)更(geng)大(da)麵(mian)積(ji)的(de)驅(qu)動(dong)。而(er)無(wu)源(yuan)選(xuan)址(zhi)的(de)驅(qu)動(dong)能(neng)力(li)受(shou)外(wai)部(bu)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)驅(qu)動(dong)性(xing)能(neng)的(de)影(ying)響(xiang)，驅(qu)動(dong)麵(mian)積(ji)於(yu)分(fen)辨(bian)率(lv)受(shou)限(xian)製(zhi)。

　　

② 有(you)源(yuan)選(xuan)址(zhi)有(you)更(geng)好(hao)的(de)亮(liang)度(du)均(jun)勻(yun)性(xing)和(he)對(dui)比(bi)度(du)。在(zai)無(wu)源(yuan)選(xuan)址(zhi)方(fang)式(shi)中(zhong)，由(you)於(yu)外(wai)部(bu)驅(qu)動(dong)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)驅(qu)動(dong)能(neng)力(li)的(de)有(you)限(xian)，每(mei)個(ge)像(xiang)素(su)的(de)亮(liang)度(du)受(shou)這(zhe)一(yi)列(lie)亮(liang)起(qi)像(xiang)素(su)的(de)個(ge)數(shu)影(ying)響(xiang)。一(yi)般(ban)來(lai)說(shuo)，同(tong)一(yi)列(lie)的(de)Micro-LED像素共享外部驅動集成電路的一個或多個輸出引腳的驅動電流。所以，當兩列中亮起的像素個數不一樣的時
，施加到每個LED像素上的驅動電流將會不一樣，不同列的亮度就會差別很大。這個問題將會更加嚴重地體現在大麵積顯示應用中，如LED電視與LED大屏幕等。同時隨著行數和列數的增加
，這個問題也會變得更嚴峻。

　　

③ youyuanxuanzhikeshixiandigonghaogaoxiaolv。damianjixianshiyingyongxuyaobijiaodadexiangsumidu，yincijiubixujinkenengjianxiaodianjichicun，erqudongxianshipingsuoxudedianyayehuijidadeshangsheng，daliangdegonglvjiangsunhaozaixingheliedesaomiaoxianshang，congerdaozhixiaolvdixia。

　　

④ 高獨立可控性。無源選址中，較高的驅動電壓也會帶來第二個麻煩
，即串擾
，也就是說，在無源選址LED陣列中
，驅動電流理論上隻從選定的LEDxiangsutongguo，danzhouweideqitaxiangsujianghuibeidianliumaichongyingxiang，zuizhongyehuijiangdixianshizhiliang。youyuanxuanzhifangshizetongguoyouxuantongjingtiguanhequdongjingtiguangouchengdexiangsudianluhenhaodebimianlezhezhongxianxiang。

　　

⑤更高的分辨率。有源選址驅動的更適用於高PPI高分辨率的Micro-LED顯示。

　　

而第三種“半有源”驅qu動dong雖sui然ran可ke以yi較jiao好hao地di避bi免mian像xiang素su之zhi間jian的de串chuan擾rao現xian象xiang，但dan是shi由you於yu其qi像xiang素su電dian路lu中zhong沒mei有you存cun儲chu電dian容rong
，並bing且qie每mei一yi列lie的de驅qu動dong電dian流liu信xin號hao需xu要yao單dan獨du調tiao製zhi，並bing不bu能neng完wan全quan達da到dao上shang麵mian列lie出chu的de有you源yuan選xuan址zhi驅qu動dong方fang式shi的de全quan部bu優you勢shi。

　　

以藍寶石襯底上外延生長的藍光Micro-LED為例，像素和驅動晶體管T2的連接方式有圖4所示的4種。但由於LED外延生長結構是p型氮化镓（GaN）在最表麵而n型氮化镓在底層，如圖5所示。從製備工藝角度出發驅動晶體管的輸出端與Micro-LED像素的p電極連接較為合理，即圖4中的（a）和（c）。

　　

圖4（a）中Micro-LED像素連接在N型驅動晶體管的源極（Source）。由外延生長（Epitaxial Growth）、製備工藝、及器件老化所產生的不均勻性所導致的Micro-LED電學特性的不均勻性將會直接影響驅動晶體管的VGS，從而造成顯示圖像的不均勻。而圖4（c）中的Micro-LED像素連接在P型驅動晶體管的漏極（Drain），可以避免上述影響，其電流-電壓關係圖6所示。因此，有P管像素電路驅動Micro-LED較為適宜。