圖1

 

我們首先在上麵的圖1中顯示輸出電流-dianyatexing。gaimoxingzhunquediyucelezhenggepianzhifanwei，baokuogaomenjichudepiaoyiquheloujipiancha。youbiantuzhongjingquedechuandaofangzhentuchulemoxingdelianxuxing，zheduiyuqianggudeshoulianxingnengfeichangzhongyao。chulexianxingdifaxianyinzangdebuzhunquehebulianxuzhiwai
，womenhaichangyiduishubiaoduguancha。

 

圖2

 

在圖2中，我們顯示了在寬溫度範圍內電流電壓、RDSon和閾值電壓的結果。SiC MOSFET器件由於其穩定的溫度性能而非常有吸引力。寬溫度範圍的高精度建模使設計師能夠充分利用這一品質。

 

圖3

 

在本係列博客的第一部分中
，我們介紹了複雜器件電容的物理模型。結果如圖3所示。在左邊，CRSS(或CGD)仿真跟蹤超過兩個以上數量級數據的多重變化，隻在一個對數標度上可見。

 

圖4

 

通過精確建模的固有電容和器件布板寄生值，就可以得出開關結果，如圖4所示
，不需要額外的模型精調。這保真度水平使應用設計人員有信心精確仿真器件電路相互影響，如dV/dt
、dI/dt、開關損耗和電磁幹擾(EMI)。還可研究和優化門極驅動器和電源回路的相互作用。

 

滿足客戶多樣化的仿真平台需求對我們很重要。因此，SPICE不可知論的方法至關重要。不可知論法意思是在行業標準仿真軟件中隻使用最小公分母結構
，避免依賴仿真器的專有方案。

 

安森美半導體提供一係列先進的寬禁帶器件和仿真環境。這完整的陣容構成一個生態係統，使我們的客戶能夠充分實現新的、令人興奮的寬禁帶應用和係統的潛力。

 

 

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