非接觸式溫度感應可檢測在紅外 (IR) 波長範圍內發射的能量。每個物體都以這種方式發射能量，因此我們可以通過測量能量來計算物體的溫度。但是，隨著傳感器件尺寸越來越小
，它們更容易受到熱衝擊的影響

，這可能會引起測量誤差和熱噪聲。

 

在本篇技術文章中，Melexis 將探討

● 非接觸式溫度感應背後的原理

● 盡可能減輕熱衝擊影響的方法　

● 消除微型傳感器 IC 中外部熱擾動影響的全新智能方案。

 

01 集成 MEMS 熱電堆技術

 

熱電堆是一個可以將熱能轉換為電信號的電子傳感器，其工作原理是一切物體都會發射熱遠紅外 (FIR) 輻(fu)射(she)。從(cong)電(dian)子(zi)角(jiao)度(du)來(lai)說(shuo)，一(yi)個(ge)熱(re)電(dian)堆(dui)由(you)多(duo)個(ge)串(chuan)聯(lian)的(de)熱(re)電(dian)偶(ou)組(zu)成(cheng)。這(zhe)些(xie)熱(re)電(dian)偶(ou)所(suo)產(chan)生(sheng)的(de)電(dian)壓(ya)與(yu)兩(liang)點(dian)之(zhi)間(jian)的(de)溫(wen)差(cha)成(cheng)比(bi)例(li)
，通(tong)過(guo)溫(wen)差(cha)則(ze)可(ke)以(yi)用(yong)來(lai)測(ce)量(liang)相(xiang)對(dui)溫(wen)度(du)。

 

MEMS 熱電堆傳感器 IC 采用熱隔離薄膜。  由於該熱薄膜具有低熱容
，因此可以通過快速加熱進入的熱流
，進而產生熱電堆可報告的溫差。將參考熱敏電阻整合到 MEMS 係統後
，即可生成絕對溫度測量值。

 

圖 1：MEMS 熱電堆傳感器 IC 的基本構造

 

這種測量技術的核心是斯特藩-玻爾茲曼定律
，即一個黑體表麵單位麵積輻射出的能量與黑體本身溫度的四次方成正比。通常用斯特藩-玻爾茲曼方程表示為：

 

 

其中：

 

J = 黑體的輻射度 [W/m2]

η = 輻射係數（表麵性質）

σ = 5.67e-8 [W/m2/K4]，斯特藩-玻爾茲曼常數

T = 絕對表麵溫度 [K]

 

合理假設非金屬材料的輻射係數 (η) 約為 1，則表麵溫度與輻射能量直接相關。

 

02 穩定性挑戰

 

溫度感應在各種應用中的作用越來越大
，因此很多設備都增加了此功能，包括健康監控器和可穿戴設備
，如智能眼鏡

、智能手環和耳內設備，即“聽戴式裝置”。然而，接觸式溫度計解決方案經常出現與目標區域熱接觸不良的問題。

 

芯片小型化對穩定性影響

 

遵循FIR原理的非接觸式溫度感應非常適合這類新應用

，但是在尺寸上需要縮減溫度傳感器的尺寸。為了將 FIR wenduchuanganqijichengdaokechuandaishebei，jishushangbixushixianxiaoxinghua。suiranxiaoxinghuayouxuduohaochu
，dantongshiyemianlinzishendetiaozhan。duiyuzhezhongchuanganqi，xiaoxinghuahuiduiwenduceliangdezhunqueduchanshengfumianyingxiang。

 

如上所述：

 

傳感器芯片會接收來自多個熱源的輻射
，從而造成熱梯度或熱衝擊，進而影響 FIR 溫度傳感器 IC。

 

但實際上，這種輻射中隻有有限的一部分真正來自被測物體。傳感器 IC 自身的封裝也是熱能來源。

 

 

這意味著：生sheng成cheng的de信xin號hao中zhong僅jin有you一yi部bu分fen是shi有you用yong的de，而er另ling一yi些xie則ze是shi寄ji生sheng信xin號hao。在zai等deng溫wen條tiao件jian下xia，膜mo溫wen度du與yu包bao裝zhuang溫wen度du一yi致zhi
，因yin此ci不bu會hui產chan生sheng寄ji生sheng信xin號hao，並bing且qie熱re電dian堆dui技ji術shu的de差cha分fen特te性xing可ke抵di銷xiao封feng裝zhuang輻fu射she的de影ying響xiang。然ran而er，在zai許xu多duo應ying用yong中zhong


，讓rang傳chuan感gan器qi IC 處於等溫條件幾乎是不可能的。

 

TO 罐封裝對穩定性影響

 

如果將小型 FIR 傳感器 IC 安裝在 PCB 上，則可能將其暴露於來自附近發熱組件（如微處理器或功率晶體管）的熱能中。FIR 傳感器 IC 製造商試圖通過將傳感元件置於大型金屬罐（例如 TO 罐封裝）中來克服這一問題。金屬的顯著蓄熱性和高導熱性確實能在一定程度上應對快速熱梯度和衝擊的影響，

 

但在熱特性動態變化的環境中
，這種方法並不能發揮多大作用。當然，另一挑戰在於 TO 罐尺寸相對較大，並不適合可穿戴設備和聽戴式裝置等小型設備。

 

 

顯然，TO 罐解決方案不適合下一代健康監控設備

，僅出於這一原因
，我們就不得不放棄 TO 罐解決方案，尋找一種可以更好地應對使用小型 FIR 傳感器 IC 挑戰的解決方案。 

 

03 Melexis 解決方案——熱梯度主動補償

 

通過對多種場景進行建模和表征，並將此數據運用於複雜的補償算法中，我們終於可以對現代小型 FIR 傳感器 IC 的輸出做出修改
，大幅減弱熱衝擊對其造成的影響。

 

MLX90632 FIR 傳感器 IC

 

Melexis 的小型 MLX90632 FIR 傳感器 IC 是其中一款最新上市的芯片。這是一款采用小型 SMD QFN 封裝的非接觸式紅外溫度傳感器 IC
，針對 -20 °C 至 85 °C 的環境溫度進行出廠校準。

 

該產品提供商用和醫用級版本：

 

● 醫用級版本針對人體溫度進行優化，可達到±0.2 °C 的精度。

● 商用級版本精度略低（通常為 ±1.0 °C）
，但經過優化後已可用於更大的物體溫度範圍（-20 °C 至 200 °C）。

 

測量的溫度值是：

 

● 傳感器 50 度視野 (FOV) 範圍內所有物體表麵的平均溫度。

● 利用該測量值以及校準常數和複雜的板載補償算法，可以計算出環境溫度和物體溫度。

 

為證明主動補償的效果，Melexis 進行了一項實驗，使用 MLX90632 傳感器 IC 和先進的（TO 罐封裝）傳感器 IC 分別測量溫度在 40 °C 左右的穩定參考源。在測量過程中，這兩個傳感器 IC 附近均放有強熱源。

 

參考源溫度變化

 

MLX90632 傳感器 IC /（TO 罐封裝）傳感器 IC 溫度變化

 

圖中顯示
，在實驗之初，參考源溫度實際為 40.05°C，傳感器 IC 溫度在 2°C 左右。施加熱量後，傳感器 IC 受到熱衝擊（約為 60°C/分）的影響，我們監測了輸出：

 

● 在整個測試過程中，MLX90632 的溫度讀數偏差未超過 0.25°C，表明性能非常穩定。這要歸功於先進的補償算法。

● TO 罐傳感器 IC 顯示明顯誤差，表明這類裝置在此種富有挑戰性的條件下表現不佳。

 

04 傳感器 IC 內部結構

 

超小型傳感器 IC 包含可捕獲物體輻射能量的熱電堆，以及可測量傳感器 IC 本身溫度的元件。在熱電堆傳感元件電壓信號存儲在板載 RAM 之前，其已經過放大、數字化和數字過濾。板載參考溫度傳感器 IC 的讀數也以相同的方式處理和存儲。

 

MLX90632 紅外溫度傳感器 IC 的框圖

 

狀態機器可控製傳感器 IC 的時序和功能
，每次測量和轉換的結果可通過 I2C 通信接口提供給更廣泛的係統（如微控製器）。

 

溫度（物體和內部傳感器 IC）可以使用簡單的微控製器基於原始數據計算。

 

總結

 

wenduceliangdeyingyongriyiguangfan，tebieshitongguozhinengshoujihekechuandaishebeidengbianxieshebeiceliangtiwenyichengweijiatinghulideyibufen。danshi，wenduceliangrengranmianlinliangdatiaozhan。

 

第一：傳感器 IC 元件必須尺寸足夠小才可應用於各種應用中。

 

第二：傳感器 IC 元件必須安裝在大型金屬外殼中以提供足夠的熱容量
，從而減輕快速熱衝擊的影響。

 

Melexis 的 MLX90632 基於熱電堆傳感技術，足以應對看似不可能完成的挑戰。MLX90632 采用超小型 SMD 封裝
，可通過采用板載主動補償和複雜的算法
，在最嚴苛的條件下提供準確的溫度測量。

 

 

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