產品特性：

• 業內頂級的低導通電阻
• 采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝
• 利用了Si深蝕刻技術的超結結構
• 導通電阻降低47％

適用範圍：

• 麵向太陽能發電的功率調節器市場

日本知名半導體製造商羅姆株式會社（總部：日本京都市）麵向太陽能發電的功率調節器市場，開發出實現了業內頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。

本產品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝，於2011年9月中旬開始提供樣品，並已於2011年12月份開始投入量產。

隨sui著zhe節jie能neng趨qu勢shi漸jian行xing漸jian強qiang，作zuo為wei可ke再zai生sheng能neng源yuan的de代dai表biao，太tai陽yang能neng發fa電dian市shi場chang規gui模mo不bu斷duan擴kuo大da。其qi功gong率lv調tiao節jie器qi領ling域yu，正zheng在zai努nu力li通tong過guo電dian源yuan轉zhuan換huan效xiao率lv的de改gai善shan實shi現xian節jie電dian
，因yin此ci對dui實shi現xian更geng低di損sun耗hao的de功gong率lvMOSFET的需求不斷高漲。羅姆此前也一直利用多層外延生長方式

，為客戶提供多層縱向pn結的超結結構的功率MOSFET，持續為高效化作出了貢獻。但是
，由於這種方式的製造工序複雜，因此具有難於微細化和提高生產性能的課題。

此次，羅姆采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術，通過微細化及雜質濃度的優化，與傳統產品相比，將導通電阻成功降低了約47％。此產品不僅非常適合低導通電阻容易體現出來的轉換器部分，而且與羅姆製造的快速恢複二極管或SiC肖(xiao)特(te)基(ji)勢(shi)壘(lei)二(er)極(ji)管(guan)等(deng)相(xiang)組(zu)合(he)
，還(hai)可(ke)應(ying)用(yong)於(yu)逆(ni)變(bian)器(qi)。由(you)於(yu)可(ke)以(yi)大(da)幅(fu)降(jiang)低(di)電(dian)源(yuan)轉(zhuan)換(huan)時(shi)的(de)損(sun)耗(hao)，因(yin)此(ci)將(jiang)會(hui)大(da)大(da)有(you)助(zhu)於(yu)提(ti)高(gao)太(tai)陽(yang)能(neng)發(fa)電(dian)的(de)效(xiao)率(lv)。另(ling)外(wai)
，為(wei)了(le)適(shi)用(yong)於(yu)更(geng)多(duo)種(zhong)類(lei)的(de)電(dian)路(lu)方(fang)式(shi)，羅(luo)姆(mu)在(zai)采(cai)用(yong)本(ben)技(ji)術(shu)進(jin)一(yi)步(bu)完(wan)善(shan)高(gao)耐(nai)壓(ya)產(chan)品(pin)線(xian)的(de)同(tong)時(shi)
，還(hai)將(jiang)不(bu)斷(duan)擴(kuo)充(chong)“PrestoMOS™”係列。

羅姆今後也會繼續利用獨創的先進工藝加工技術，不斷推進滿足顧客需求的前瞻性晶體管產品的開發。

<高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”的主要特點>

１） 業內頂級的低導通電阻
２） 具有卓越散熱性能的TO247PLUS封裝

<利用了Si深蝕刻技術的超結結構>

采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術。
不僅可簡化工序，而且適合微細化。
 
<導通電阻降低47％>　

※以傳統產品為“1”為例