產品特性：

• 無引線封裝
• 超過93％的效率
• 係統效率改善3.5%到7%
• 係統尺寸縮小40％

應用範圍：

• 括服務器
  、路由器、交換機
  ，以及通用POL DC-DC轉換器

GaNpowIR是IR基於氮化镓 (GaN)的革命性功率器件技術平台。與最先進的矽技術平台相比
，能夠改善客戶主要特定應用的性能指數 (FOM) 高達10倍
，可以顯著提高性能並節省能源消耗，包括計算和通信、汽車和家電等的終端應用。

GaN技術平台開創行業先河，是IR研發部門基於IR專利的GaN-on-Si矽上氮化镓異質外延技術
，經過5年精心研究的成果。高生產量的150mm矽上氮化镓外延以及相關的器件製造工藝，完全符合IR具備成本效益的矽製造設施，可為客戶提供世界級的商業可行的氮化镓功率器件製造平台。

2010年3月5日
，國際整流器公司（IR）在深圳會展中心舉行新品發布媒體見麵會。會上，IR公司環球市場及企業傳信副總裁Graham Robertson先生為我們詳細介紹了行業首批商用氮化镓集成功率級器件iP2010和iP2011的功能
、特性及目標應用。電子元件技術網記者應邀出席了此次會議。

iP2010和iP2011係列器件為多相和負載點 (POL) 應用而設計
，應用目標領域包括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉換器。 它是將PowerRtune驅動IC和氮化鉀功率器件集成在一起
，采用了無引線封裝，可以滿足最高效率和功率密度需求。

國際整流器公司環球市場及企業傳傳信副總裁Graham Robertson在新品發布會上指出

，“與業內最好的功率器件相比，iP2010和iP2011係列器件在600KHz工作頻率時有超過93％的效率！在1.2MHz工作頻率時也有91％的效率！”


這個采用氮化鉀材料的新器件可以將係統的效率改善3.5%到7%，采用簡單的熱控製即可達到節能效果，在目前綠色節能的大趨勢下可以發揮重要作用。在改善功率器件的優值係數方麵，這個氮化镓 (GaN) 功率器件也表現突出，如下圖所示。


據介紹，GaN器件可以將應用的優值係數提高10倍！而且可以將開關電源的頻率從KHz提升到MHz級別

，所以可以將電源係統的效率提升很多。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“iP2010和iP2011大幅度改善了功率密度，與分立方案相比，其係統尺寸縮小40％！
，與業界最好的DrMOS器件相比，其係統方案電路板空間尺寸縮小35％以上，而且其所需的外圍器件也相比這兩個方案少很多
，iP201x係列高達5MHzdekaiguannengliyouzhuyushejishixianzhujianshaoshuchudianronghedianganzhijichicun，youzhushixiankongjianjinzhangdesheji。youcikeyijiejiangdiyingyongchengben。zhexieqijianhainenggoushiyaoqiuzuigaoxiaolvdeyingyongshedingzaijiaodidekaiguanpinlvxiayunxing。”


iP2010的輸入電壓範圍為7V至13.2V，輸出電壓範圍則為0.6V至5.5V，輸出電流高達30A。這個器件最高運行頻率為3MHz。在5MHz運行時


，與iP2010引腳兼容的iP2011備有相同的輸入和輸出電壓範圍，但後者經過優化，從而使最高輸出電流高達20A。通過以通用占位麵積提供多種電流額定值器件，IR提供的靈活性能夠滿足不同客戶對電流水平、性能和成本的要求。

這兩種器件采用細小占位麵積的LGA（無引線封裝），為極低的功率損耗作出了優化，並提供高效率的雙麵冷卻功能，並符合電子產品有害物質管製規定 (RoHS) 。

iP2010產品規格


iP2011產品規格