中心議題：

• 厚膜和薄膜技術
• 各種技術的發展

當前的小型化趨勢將電阻器技術推到了極限。例如，0201尺寸的片狀電阻器僅封裝就大約占到了元件總成本的60%。對dui某mou些xie在zai電dian路lu板ban上shang同tong一yi相xiang鄰lin位wei置zhi使shi用yong相xiang同tong電dian阻zu值zhi的de設she計ji來lai說shuo，片pian狀zhuang元yuan件jian陣zhen列lie可ke以yi幫bang助zhu緩huan解jie布bu局ju和he封feng裝zhuang問wen題ti。不bu過guo
，這zhe並bing不bu適shi用yong於yu所suo有you廠chang商shang。

houmohebomojishudezuijinfazhankeyizaigeidingdexinpianchicunshangshixiangenggaodeedinggonglv。zhongsuozhouzhi

，yuhoumodianzuyuanjianxiangbi，bomodianzuyuanjianjuyouzhongduoxingnengyoushi
，erhoumodianzuqiweiyidemingxianyoushijiushichengben。

jiezhuzuixindecailiaohegongyijinbu
，zhezhongmingxiandechengbenchabiekebeixianzhujiangdi
，zhehenkenenghuiduipianzhuangdianzuqishichangchanshengzhongdayingxiang。muqian
，yizhonghelideyuqishi
，rongcha1%
、電阻溫度係數（TCR）為±100×10-6/℃的商品薄膜片狀電阻器的價位將與同等精度的厚膜電阻器的價位大致相同。

在硫含量較高的環境，例如汽車裝備、工gong業ye設she備bei和he重zhong型xing農nong用yong和he建jian築zhu設she備bei中zhong

，由you於yu硫liu化hua銀yin的de形xing成cheng，常chang見jian的de厚hou膜mo片pian狀zhuang電dian阻zu器qi會hui出chu現xian阻zu值zhi偏pian移yi問wen題ti。硫liu滲shen過guo電dian鍍du層ceng和he屏ping蔽bi層ceng
，與yu銀yin接jie觸chu形xing成cheng硫liu化hua銀yin（如圖1所示）。

圖1硫滲過電鍍層和屏蔽層，與銀接觸形成硫化銀

liuhuayinshibudaodiande，erchixubaoluzailiuhuanjingzhongjiangyiweizhegengduoliuhuayindexingcheng，zhidaosuoyoudeyindouwanquanzhuanhuachengliuhuayin。daodiancengjiangyincibeizhongduan，ergaiyuanjianjiangbianchengkailu。duirenheqichehuogongyeshebeizhizaoshangeryan
，zheshiyizhongtebielingrenjusangdexianxiang，yinweitashiyizhongzaizhizaoshiwanquanwufajiancedeqianzaiguzhang。youxieqichehegongyeshebeizhizaoshangyijingtongguomifengdianzishebei，chenggongdizuzhileliuhuayindexingcheng，danyaojianggaifangfayingyongyusuoyouqingkuangbingbukexing，erqiezhebingbushiyizhongnengquebaofangzhiliuwurandekekaofangfa。

厚膜和薄膜

厚膜電阻器的內部端接通常都不同程度地采用了鍍銀/鈀工藝。這些相對廉價的端接材料具有更高的銀含量，但通常正是內部端接中的銀容易受到硫的汙染。

盡(jin)管(guan)有(you)可(ke)能(neng)找(zhao)到(dao)銀(yin)含(han)量(liang)更(geng)低(di)的(de)厚(hou)膜(mo)材(cai)料(liao)
，但(dan)至(zhi)今(jin)為(wei)止(zhi)，這(zhe)些(xie)備(bei)選(xuan)材(cai)料(liao)都(dou)需(xu)要(yao)更(geng)高(gao)的(de)成(cheng)本(ben)，因(yin)此(ci)批(pi)量(liang)生(sheng)產(chan)似(si)乎(hu)不(bu)太(tai)可(ke)能(neng)。另(ling)一(yi)方(fang)麵(mian)
，薄(bo)膜(mo)片(pian)狀(zhuang)電(dian)阻(zu)器(qi)使(shi)用(yong)濺(jian)射(she)的(de)、以鎳鉻鐵合金為主要材質的內部端接，不含銀且通常也不包含任何其他貴金屬。這意味著鎳鉻鐵合金薄膜材料的價位比那些金、鈀或鉑含量更高的厚膜材料更為穩定。
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隻zhi有you內nei部bu端duan接jie不bu包bao含han銀yin或huo銅tong質zhi材cai料liao的de片pian狀zhuang電dian阻zu器qi
，或huo者zhe那na些xie內nei部bu端duan接jie由you硫liu無wu法fa滲shen透tou的de中zhong間jian層ceng加jia以yi保bao護hu的de片pian狀zhuang電dian阻zu器qi，才cai能neng夠gou完wan全quan不bu受shou硫liu汙wu染ran的de影ying響xiang。市shi場chang上shang存cun在zai具ju有you競jing爭zheng力li的de基ji於yu厚hou膜mo的de解jie決jue方fang案an，它ta們men有you一yi定ding防fang硫liu效xiao果guo
，但dan仍reng不bu能neng完wan全quan避bi免mian硫liu汙wu染ran——時間一長，它們最終也會失效
，變成開路。

tongyang，womenzhidao，jindudebaohuxingdunhuacengdebuzhongheyekenenghuishideliuwurandeyingxianggengweiyanzhong。zaizhezhongqingkuangxia
，jiangdijindugongyidesudukeyijiangzhezhongxiaoyingjiangzhizuidi，danzheyangzuoyehuizengjiazhizaochengbenbingjiangdizhizaochanneng。yinweibomoneibuduanjiebushouliuwurandeyingxiang，suoyizheyigongyidejingdubingbuzhongyao。

很明顯，就其內部端接而言
，薄膜電阻器技術可以更好地抵抗硫汙染。除此之外，采用薄膜技術的電阻器也具有整體穩定性、更低的噪聲以及更低的寄生電容和電感（取決於電阻值）。圖2展示了常見的薄膜電阻器
，它比厚膜片狀電阻器有顯著的改善，特別是它的電阻值較大。


圖2根據額定電阻值而變化的典型電流噪聲等級

在(zai)過(guo)去(qu)，這(zhe)種(zhong)電(dian)噪(zao)聲(sheng)更(geng)低(di)的(de)改(gai)進(jin)措(cuo)施(shi)隻(zhi)有(you)在(zai)高(gao)端(duan)音(yin)頻(pin)應(ying)用(yong)中(zhong)才(cai)能(neng)體(ti)現(xian)其(qi)重(zhong)要(yao)性(xing)。但(dan)是(shi)，厚(hou)膜(mo)電(dian)阻(zu)器(qi)難(nan)以(yi)滿(man)足(zu)目(mu)前(qian)最(zui)新(xin)的(de)高(gao)速(su)通(tong)信(xin)設(she)備(bei)，例(li)如(ru)路(lu)由(you)器(qi)
、網橋和DSL調(tiao)製(zhi)解(jie)調(tiao)器(qi)等(deng)對(dui)噪(zao)聲(sheng)的(de)要(yao)求(qiu)。許(xu)多(duo)因(yin)素(su)導(dao)致(zhi)厚(hou)膜(mo)電(dian)阻(zu)器(qi)的(de)噪(zao)聲(sheng)更(geng)大(da)
，薄(bo)膜(mo)和(he)厚(hou)膜(mo)技(ji)術(shu)最(zui)顯(xian)著(zhu)的(de)一(yi)個(ge)差(cha)異(yi)體(ti)現(xian)在(zai)激(ji)光(guang)修(xiu)整(zheng)特(te)性(xing)上(shang)。一(yi)旦(dan)燒(shao)製(zhi)成(cheng)功(gong)，厚(hou)膜(mo)材(cai)料(liao)的(de)性(xing)狀(zhuang)實(shi)際(ji)上(shang)與(yu)玻(bo)璃(li)類(lei)似(si)。因(yin)此(ci)，隨(sui)著(zhe)材(cai)料(liao)的(de)冷(leng)卻(que)
，激(ji)光(guang)修(xiu)整(zheng)會(hui)在(zai)修(xiu)整(zheng)區(qu)域(yu)周(zhou)圍(wei)形(xing)成(cheng)許(xu)多(duo)細(xi)小(xiao)的(de)微(wei)裂(lie)痕(hen)。這(zhe)些(xie)微(wei)裂(lie)痕(hen)是(shi)寄(ji)生(sheng)電(dian)容(rong)和(he)錯(cuo)誤(wu)電(dian)流(liu)路(lu)徑(jing)的(de)一(yi)種(zhong)來(lai)源(yuan)，所(suo)有(you)這(zhe)些(xie)都(dou)會(hui)固(gu)有(you)地(di)導(dao)致(zhi)對(dui)高(gao)速(su)通(tong)信(xin)信(xin)號(hao)的(de)處(chu)理(li)性(xing)能(neng)的(de)下(xia)降(jiang)。

weilejiangdijiguangxiuzhengduihoumoyuanjiandeyingxiang，zhizaoshangtongchanghuizengjiayicengjueyuanbolilaiwendingjiguangxiuzheng。zheyicengbaohanweiliangdeqian
，erqierenmenshenzhitaduiyubaochihoumodianzuqichangqikekaoxingdezhongyaoxing；鑒於其重要性，這種絕緣玻璃層目前屬於RoHS標準的豁免項目。

但(dan)是(shi)
，這(zhe)種(zhong)豁(huo)免(mian)今(jin)後(hou)是(shi)會(hui)繼(ji)續(xu)存(cun)在(zai)，抑(yi)或(huo)業(ye)界(jie)會(hui)要(yao)求(qiu)使(shi)用(yong)一(yi)種(zhong)不(bu)含(han)鉛(qian)的(de)激(ji)光(guang)修(xiu)整(zheng)穩(wen)定(ding)的(de)備(bei)選(xuan)方(fang)法(fa)，前(qian)景(jing)尚(shang)不(bu)明(ming)朗(lang)。薄(bo)膜(mo)技(ji)術(shu)可(ke)以(yi)提(ti)供(gong)一(yi)種(zhong)“更為綠色”或更為環保的電阻器，因為它不需要使用幾乎所有厚膜芯片都會用到的含鉛玻璃。

發展

薄膜技術以及厚膜技術的一項最新發展是在給定的EIA標準片狀電阻器尺寸上獲得了更高的額定功率（如表1所示）。這一重要進步使得工程師能夠使設計小型化
，而無須犧牲功率處理能力。對於增強電流設計、減小未來設計的尺寸、產出更小的最終產品或在同尺寸產品中提供更多功能而言，這項突破都是至關重要的。


影響薄膜技術批量應用於片狀電阻器製造的最重要因素是它的成本。具有最差容差和TCR的薄膜片狀電阻器的常見價位要比最接近它的厚膜同類產品高10〜100倍bei。為wei了le減jian少shao這zhe種zhong差cha異yi，供gong應ying商shang需xu要yao對dui薄bo膜mo材cai料liao進jin行xing完wan全quan重zhong新xin設she計ji
，以yi滿man足zu高gao速su低di成cheng本ben生sheng產chan的de需xu要yao。它ta還hai需xu要yao開kai發fa一yi種zhong高gao速su的de內nei聯lian式shi薄bo膜mo製zhi造zao工gong藝yi。降jiang低di成cheng本ben的de最zui後hou一yi步bu是shi將jiang對dui薄bo膜mo材cai料liao的de要yao求qiu從cong高gao精jing度du級ji別bie（0.1%的容差和25×10-6/℃的TCR）放寬到商用、通用和商品級別（1%容差和100×10-6/℃的TCR）。這3項進步可以同時應用於價格僅為常見商品厚膜片狀電阻器的10%〜20%的片狀電阻器。那可能是所有發展中最引人注目的一項。