【導讀】如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電湧電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），並超出一定的能量後就發生破壞的現象。

第一種：雪崩破壞

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電湧電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），並超出一定的能量後就發生破壞的現象。

在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓
，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓並進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。

典型電路：

第二種：器件發熱損壞

由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因分為直流功率和瞬態功率兩種。

直流功率原因：外加直流功率而導致的損耗引起的發熱

●導通電阻RDS(on)損耗（高溫時RDS(on)增大，導致一定電流下
，功耗增加）
●由漏電流IDSS引起的損耗（和其他損耗相比極小）

瞬態功率原因：外加單觸發脈衝

●負載短路
●開關損耗（接通、斷開） *（與溫度和工作頻率是相關的）
●內置二極管的trr損耗（上下橋臂短路損耗）（與溫度和工作頻率是相關的）

器(qi)件(jian)正(zheng)常(chang)運(yun)行(xing)時(shi)不(bu)發(fa)生(sheng)的(de)負(fu)載(zai)短(duan)路(lu)等(deng)引(yin)起(qi)的(de)過(guo)電(dian)流(liu)

，造(zao)成(cheng)瞬(shun)時(shi)局(ju)部(bu)發(fa)熱(re)而(er)導(dao)致(zhi)破(po)壞(huai)。另(ling)外(wai)
，由(you)於(yu)熱(re)量(liang)不(bu)相(xiang)配(pei)或(huo)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)太(tai)高(gao)使(shi)芯(xin)片(pian)不(bu)能(neng)正(zheng)常(chang)散(san)熱(re)時(shi)，持(chi)續(xu)的(de)發(fa)熱(re)使(shi)溫(wen)度(du)超(chao)出(chu)溝(gou)道(dao)溫(wen)度(du)導(dao)致(zhi)熱(re)擊(ji)穿(chuan)的(de)破(po)壞(huai)。

第三種：內置二極管破壞

在DS端間構成的寄生二極管運行時
，由於在Flyback時功率MOSFET的寄生雙極晶體管運行，導致此二極管破壞的模式。

第四種：由寄生振蕩導致的破壞

此破壞方式在並聯時尤其容易發生

在並聯功率MOS FET時未插入柵極電阻而直接連接時發生的柵極寄生振蕩。高速反複接通、斷開漏極-源極電壓時，在由柵極-漏極電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg形成的諧振電路上發生此寄生振蕩。當諧振條件(ωL=1/ωC)成立時，在柵極-源極間外加遠遠大於驅動電壓Vgs(in)的振動電壓
，由於超出柵極-源極間額定電壓導致柵極破壞

，或者接通、斷開漏極-源極間電壓時的振動電壓通過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導致正向反饋，因此可能會由於誤動作引起振蕩破壞。

第五種：柵極電湧、靜電破壞

主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪湧和靜電而引起的破壞
，即柵極過電壓破壞和由上電狀態中靜電在GS兩端（包括安裝和和測定設備的帶電）而導致的柵極破壞。

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