恩智浦半導體高端視點：

• 恩智浦展示了其全麵的ESD保護方案
• 針對便攜產品的高速應用，推出針對性很強的產品和方案。
• 手機應用上的產品追求更低功耗和開關速度

恩智浦半導體發展趨勢：

• NXP的ESD保護產品趨勢一是普通的單路/多路的保護
• NXP的ESD保護產品趨勢二是高集成度的解決方案
• 基於矽半導體的ESD方案在簡化設計和降低成本上占優

在近日舉辦的集成電路展會上，恩智浦半導體重磅出擊，不僅展示了其基於高性能混合訊號信號(High Performance Mixed Signal;HPMS)
、應用領域十分廣泛的創新綠色半導體解決方案。同時，恩智浦半導體還帶來了其傳統優勢的產品線
，分立器件與ESD保護產品和解決方案，電子元件技術網/我愛方案網記者有幸在展會現場采訪了恩智浦半導體技術市場經理高德勇先生，了解了恩智浦最新ESD解決方案的優勢和未來的發展規劃。

 
NXP技術市場經理 高德勇

隨著IC製造技術的提升，芯片的集成度越來越高，芯片尺寸越來越小，因此芯片變得越來越脆弱
，設計工程師在研發產品時，必須要解決ESD或其它放電問題

，外部ESD保護的重要性日益突出。

ESD保護產品是恩智浦多重市場半導體裏很重要的一塊，ESD保護主要分為三種
，第一種是通用的保護器件，如機頂盒、電池裏麵對一些通用的音視頻保護
，可以分為單路的多路的
，他們的節電容相對高一點，但不會影響到信號的正常傳輸；
第二種是軌對軌的ESD保護，一般以PRTR開頭，應用於數字接口的場合USB
，HDMI，LVDS的應用場合 ；第三種是以IP開頭的
，把ESD保護的整體方案集成在一個模塊裏麵，省略了很多周邊器件

，因此降低了成本同時也簡化了設計。

高先生首先介紹了恩智浦半導體用於HDMI1.4接口的ESD保護和信號整形IP4786
，具有IEC61000-4-2ESD保護
，超低潛位電壓
，集成信號整形功能，如線纜延長，電平轉換；采用了HVQFN32小型化封裝(5mm*5mm)；集成新的濾波技術，對高速信號保持低的差分阻抗。
 
HDM11.4接口允許同時傳送兩路1080p全高清視頻信號，為以後的3D全高清顯示奠定了基礎。IP4786是第一個支持HDMI1.4的ESD保護的小型化封裝IC，其最大的亮點是采用了最新的濾波技術，一般情況下，HDMI在100歐時阻抗在±15

，采用新的濾波技術後，在100歐時阻抗在±5～8之間，將為設計工程師在設計3D動畫這類高速信號傳輸時提供了很大的空間。據高先生透露，目前國內已經有客戶在用這款產品做Design。

隨著便攜產品功能增加，傳輸速率加快，會對ESD器件提出新的挑戰。針對便攜式產品接口靜電保護
，恩智浦也展示了其很強的實力，如在手機和機頂盒上提供標準化的ESD保護方案，性價比較高，同時方案還具有以下特點：

• 潛位電壓低
• ESD保護速度快，1ns內吸收抑製靜電
• 分布電容低，更適用於高速信號線
• 方案全麵
  ，更高可靠性及性價比。

在高速傳輸方麵
，要求ESD器件要有低分布電容，恩智浦半導體此次展示的0201封裝的靜電保護器件就能提供低至0.25PF的分布電容

，滿足IEC6100-4-2的要求，抗靜電能力可達10KV，並能提供雙向靜電保護，非常適合高速數據接口的ESD保護。

高經理介紹，業界有幾個主流的ESD方案，如陶瓷材料和基於矽半導體。從性能上比較，基於矽半導體的ESD方案會越來越受歡迎。第一它可以承受多次ESD衝擊，而陶瓷材料製作的壓敏電阻多次衝擊後會衰減。另外一個原因就是基於矽半導體的ESD成本也在下降
，性價比很高。

在談到未來ESD保bao護hu方fang案an的de發fa展zhan趨qu勢shi時shi
，高gao經jing理li總zong結jie到dao恩en智zhi浦pu半ban導dao體ti會hui向xiang兩liang個ge方fang麵mian發fa展zhan，第di一yi是shi小xiao型xing化hua封feng裝zhuang，單dan顆ke保bao護hu單dan路lu信xin號hao
，總zong體ti來lai說shuo設she計ji比bi較jiao方fang便bian
，Total Solution的成本會比集成化的偏高
；另一個發展方向就是集成化的趨勢，小體積，使用方便，不需要做太多PCB Layout的設計，簡化設計和減低成本。

針對手機應用，恩智浦半導體這次還推出了手機充電開關PBSM5240PF。采用小型化6pin無引腳封裝（2*2*0.5mm），集成40V，2A低飽和壓降開關三極管，還集成了30V N－Mosfet，做負載開關的優勢在於采用了低飽和壓降的雙極性三極管
，1安倍負載時，壓降僅為60mV
，對於不斷追求電池使用時間的便攜產品而已

，低功耗的開關非常重要
，對延長使用時間意義很重大。

高先生進一步解釋到，以前是用兩個MOSFET做這個開關，存在兩個問題，第一是ESD防(fang)護(hu)能(neng)力(li)比(bi)較(jiao)差(cha)，第(di)二(er)是(shi)會(hui)產(chan)生(sheng)寄(ji)生(sheng)二(er)極(ji)管(guan)，它(ta)會(hui)產(chan)生(sheng)很(hen)大(da)的(de)反(fan)向(xiang)漏(lou)電(dian)流(liu)
，為(wei)了(le)防(fang)止(zhi)漏(lou)電(dian)流(liu)倒(dao)灌(guan)
，工(gong)程(cheng)師(shi)在(zai)設(she)計(ji)時(shi)需(xu)要(yao)在(zai)外(wai)部(bu)電(dian)路(lu)加(jia)一(yi)個(ge)肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)來(lai)抵(di)消(xiao)漏(lou)電(dian)流(liu)。這(zhe)樣(yang)成(cheng)本(ben)就(jiu)會(hui)很(hen)高(gao)。而(er)使(shi)用(yong)了(le)低(di)飽(bao)和(he)壓(ya)降(jiang)的(de)雙(shuang)極(ji)性(xing)三(san)極(ji)管(guan)，上(shang)麵(mian)兩(liang)個(ge)問(wen)題(ti)就(jiu)迎(ying)刃(ren)而(er)解(jie)。同(tong)時(shi)在(zai)成(cheng)本(ben)上(shang)也(ye)占(zhan)優(you)，可(ke)靠(kao)性(xing)也(ye)更(geng)好(hao)
，設(she)計(ji)更(geng)簡(jian)便(bian)。

而此次展示的低飽和壓降雙極性三極管的直流開關已經是第四代產品
，同一代產品相比，功率損耗已經降低了90%，切換直流負載更省電，同時開關速度也大大改善。

而專門針對手機等便攜產品開發的LDO同樣引人矚目
，這是一款業界很少采用CSP封裝的LDO，麵積更小
，空間更省，其最大的優勢是輸出噪聲很低，典型值為30uVrms。