中心議題：

• 過壓保護器件需要修改電路
• 討論兩種類似應用

解決方案：

• 增大電路的最大輸入電壓
• 增加一個電阻和齊納二極管
  ，用來對IN的電壓進行箝位
• 利用輸出端電容儲能

引言
MAX6495–MAX6499/MAX6397/MAX6398過壓保護(OVP)器件用於保護後續電路免受甩負載或瞬間高壓的破壞。器件通過控製外部串聯在電源線上的n溝道MOSFET實現。當電壓超過用戶設置的過壓門限時
，拉低MOSFET的柵極，MOSFET關斷，將負載與輸入電源斷開。

過壓保護(OVP)器件數據資料中提供的典型電路可以滿足大多數應用的需求(圖1)。然而
，有些應用需要對基本電路進行適當修改。本文討論了兩種類似應用：增大電路的最大輸入電壓

，在過壓情況發生時利用輸出電容存儲能量。

圖1. 過壓保護的基本電路

增加電路的最大輸入電壓
雖然圖1電路能夠工作在72V瞬態電壓，但有些應用需要更高的保護。因此
，如何提高OVP器件的最大輸入電壓是一件有意義的事情。圖2所示電路增加了一個電阻和齊納二極管

，用來對IN的電壓進行箝位。如果增加一個三極管緩衝器(圖3)

，就可以降低對並聯穩壓器電流的需求，但也提高了設計成本。

圖2. 增大最大輸入電壓的過壓保護電路

圖3. 通過三極管緩衝器增大輸入電壓的過壓保護電路

齊(qi)納(na)二(er)極(ji)管(guan)的(de)選(xuan)擇(ze)，要(yao)求(qiu)避(bi)免(mian)在(zai)正(zheng)常(chang)工(gong)作(zuo)時(shi)消(xiao)耗(hao)過(guo)多(duo)的(de)功(gong)率(lv)，並(bing)可(ke)承(cheng)受(shou)高(gao)於(yu)輸(shu)入(ru)電(dian)壓(ya)最(zui)大(da)值(zhi)的(de)電(dian)壓(ya)。此(ci)外(wai)，齊(qi)納(na)二(er)極(ji)管(guan)的(de)擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓(ya)必(bi)須(xu)小(xiao)於(yu)OVP的最大工作電壓(72V)，擊穿時齊納二極管電流最大。

串聯電阻(R3)既要足夠大，以限製過壓時齊納二極管的功耗，又要足夠小，在最小輸入電壓時能夠維持OVP器件正常工作。

圖2中電阻R3的阻值根據以下數據計算：齊納二極管D1的擊穿電壓為54V；過壓時峰值為150V，齊納二極管的功率小於3W。根據這些數據要求
，齊納二極管流過的最大電流為：

3W/54V = 56mA

根據這個電流，R3的下限為：

(150V - 54V)/56mA = 1.7kΩ

R3的峰值功耗為：

(56mA)² × 1.7kΩ = 5.3W

如果選擇比5.3W對應電阻更小的阻值，則會在電阻和齊納二極管上引起相當大的功率消耗。

為了計算電阻R3的上限，必須了解供電電壓的最小值。保證MAX6495正常工作的最小輸入電壓為5.5V。例如，假設供電電壓的最小值為6V，正常工作時R3的最大壓降為500mV。由於MAX6495的工作電流為150µA (最大)，相應電阻的最大值為：

500mV/150µA = 3.3kΩ

圖2中的R3設置為2kΩ，可以保證供電電壓略小於6V時OVP器件仍可以正常工作。

注意，發生過壓故障時，R3和D1 (圖2)需要耗散相當大的功率。如果過壓條件持續時間較長(如：幾十毫秒以上)，圖3所示電路或許更能勝任應用的要求。圖中射極跟隨器通過降低從R3與D1節點抽取的電流大大增加R3所允許的最大值。以β值為100的三極管為例，此時150µA的器件工作電流變成1.5µA。這種情況下
，不能忽略5µA的二極管反向漏電流。R3為10kΩ，因此，由於漏電流在R3上產生的壓降會達到50mV。

在IN和GND間使用一個1µF (最小值)的陶瓷電容。確保器件的電壓範圍滿足輸入電壓的要求，須注意MOSFET的VDS_MAX額定值。

利用輸出端電容儲能
發生過壓時，典型應用電路能夠對輸出電容自動放電，以保護下遊電路(圖4)
，有些應用需要利用輸出電容儲存能量
，並且能夠在瞬間高壓的條件下繼續維持下遊電路的供電，利用圖5電路可以達到這一目的。

圖4. 典型的限壓電路提供輸出電容放電通道

MAX6495–MAX6499/MAX6397/MAX6398通過內部100mA的電流源(見圖4)連接到GATE輸出
，以對柵極電容和輸出電容放電。電流源先對GATE放電(電流I1
，綠色箭頭)
，直到GATE的電壓等於OUTFB電壓，然後斷開FET，電流源繼續降低GATE電壓
，最後，直到內部的箝位二極管變為正向偏置，對輸出電容放電(電流I2，紅色箭頭)。

圖5. 帶有輸出電容儲能功能的過壓限製電路

如果OUTFB沒有連接，則斷開了通過箝位二極管放電的通路，不再對輸出電容放電。然而
，MOSFET的柵極就不再有保護箝位二極管
，VGS_MAX有可能超出額定值。

在MOSFET源極和柵極之間增加一個外部箝位二極管(圖5中的D1)可重新建立輸出端與100mA恒流源之間的通路。在柵極和GATE引腳之間增加一個串聯電阻(圖5中的R3)，jianghuixianzhishuchudianrongdefangdiandianliu，jiangdidianliu。xianzhifangdiandianliudetongshihuizengjiadianludeduankaishijian，yejiangdiledianluduishuntaiguoyadexiangyingsudu。zaichuanliandianzuliangduanbinglianyigedianrong(圖5中的C4)可以減輕對響應時間的影響，還可以選擇使用電阻R4
，避免OUTFB浮空。

如果將SET外部的分壓電阻連接到輸出端，而不是輸入端(參考上述電路圖)，使MAX6495–MAX6499/MAX6397/MAX6398工作在限幅模式，發生過壓時，電路會定期地對輸出電容進行充電。電容電壓跌落到過壓門限的滯回電壓以下時，MOSFET導通

，對電容充電

；當電容電壓達到過壓門限時，MOSFET斷開。

圖6給出了MAX6495–MAX6499/MAX6397/MAX6398工作在過壓監控模式的電路。輸入電壓經過電阻分壓後連接到SET引腳，當輸入過壓時，斷開MOSFET，並將一直維持斷開狀態，直到解除輸入過壓故障。

圖6. 過壓監測模式下的過壓比較配置