產品特性：

• 分別采用SOT-723和UDFN-6封裝
• 高速線路對地容抗小
• 能將15千伏的輸入ESD波形在數納秒內鉗位至低於7伏

應用範圍：

• 高頻射頻(RF)天線
• 便攜應用

安森美半導體擴充高性能片外靜電放電(ESD)保護產品係列，推出兩款新器件——ESD7L5.0D和NUP4212。這些新產品以安森美半導體專有的集成ESD保護平台設計，提高了鉗位電壓性能，同時保持低電容和小裸片尺寸。

ESD7L5.0D 采用極小的1.2 mm x 1.2 mm x 0.5 mm SOT-723封裝
，保護每條線路0.5皮法(pF)電容的兩條高速數據線路。將安森美半導體的低電容技術集成至3引腳封裝為設計人員提供以單個器件保護USB2.0端口D+和D-線路的解決方案。ESD7L5.0D也能夠連接陰極至陰極


，保護0.25 pF電容的一條雙向線路，非常適用於保護高頻射頻(RF)天線線路。

NUP4212采用小巧的1.6 mm x 1.6 mm x 0.5 mm UDFN-6封裝，保護每條線路0.7 pF的4條高速數據線路和2條Vcc電源線路。使設計人員能夠采用單個集成器件保護兩個USB端口上的D+和D-線路及Vcc線路。

這兩款新器件的主要特點，都來自安森美半導體的專有技術。ESD7L5.0D和NUP4212能夠將15千伏(kV)的輸入ESD波形在數納秒(ns)內鉗位至低於7伏(V)，確保當今的對ESD敏感的集成電路(IC)具有高水平的保護。此外，安森美半導體這些矽器件沒有無源技術的磨損問題
，在經受ESD等多次浪湧事件後可靠性和性能都不會受到影響。

安森美半導體標準產品部全球市場營銷副總裁麥滿權說：“安森美半導體推出針對高速數據應用的超低電容產品，持續擴大我們在高性能ESD保(bao)護(hu)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)的(de)領(ling)先(xian)地(di)位(wei)。下(xia)一(yi)代(dai)便(bian)攜(xie)應(ying)用(yong)需(xu)要(yao)在(zai)越(yue)來(lai)越(yue)高(gao)的(de)數(shu)據(ju)率(lv)下(xia)具(ju)有(you)更(geng)高(gao)的(de)性(xing)能(neng)和(he)更(geng)大(da)的(de)設(she)計(ji)靈(ling)活(huo)性(xing)。安(an)森(sen)美(mei)半(ban)導(dao)體(ti)不(bu)斷(duan)配(pei)合(he)這(zhe)個(ge)趨(qu)勢(shi)，推(tui)出(chu)完(wan)整(zheng)的(de)低(di)電(dian)容(rong)ESD保護解決方案係列。”

采用這個技術平台的首款產品ESD9L5.0S以技術、應用和設計創新方麵的巨大進步而榮獲美國《Electronic Products》雜誌以及中國《今日電子》雜誌各頒發2007“年度產品”獎。

ESD7L5.0DT5G采用SOT-723封裝，每8,000片的批量單價為0.20美元。NUP4212采用UDFN-6封裝
，每3,000片的批量單價為0.608美元。